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江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 06C塑封装晶体管
FMMDT5451
晶体管
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
单位：mm
描述
PNP和NPN外延硅晶体管
特点
互补对
其中5551 - NPN型，其中5401型PNP
超小型表面贴装封装
应用
非常适用于中等功率放大和开关
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： KNM
1
KNM
E 1， B 1 ，C 1 = NPN 5551条
E2 ，B2，C2 = PNP 5401条
5551最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
RΘJA
T
J
T
英镑
参数
价值
180
160
6
0.2
0.15
625
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
K / W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
热阻，结到环境
结温
存储温度范围
℃
℃
5401最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
RΘJA
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
热阻，结到环境
结温
存储温度范围
参数
价值
-160
-150
-5
-0.2
单位
V
V
V
A
0.15
625
150
-55-150
W
K / W
℃
℃
5551
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
h
FE
（
2
）
h
FE
（
3
）
TEST
除非
否则
民
180
160
6
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
50
50
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
Ic=100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10
A，I
C
=0
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
E
=0
n
A
nA
80
80
30
0.15
0.2
1
1
100
300
6
8
V
V
兆赫
pF
dB
250
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
V
BESAT
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
CE
=10V,I
C
=10mA,,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.2mA,
f=1KHZ,Rg=1k
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
5401电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
C
ob
NF
TEST
除非
条件
否则
特定网络版）
民
-160
-150
-5
-0.05
-0.05
50
60
50
-0.2
-0.5
-1
-1
100
300
6
V
V
V
V
兆赫
pF
240
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，
I
E
=-10A,
I
B
=0
I
C
=0
V
CB
= -120 V，I
E
=0
V
EB
=-3V ,
V
CE
=-5 V,
V
CE
=-5 V,
V
CE
=-5 V,
I
C
=0
I
C
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -50mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -200A,
R
S
= 10Ω ， F = 1.0kHz
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
8.0
dB
符号
A
A1
b
D
E
D1
E1
e
L
k
z
单位：毫米
分钟。
马克斯。
0.450
0.550
0.000
0.100
0.150
0.250
1.900
2.100
1.900
2.100
0.590 REF 。
0.590 REF 。
0.650典型。
0.400 REF 。
0.300参考。
0.500 REF 。
尺寸以英寸
分钟。
马克斯。
0.018
0.022
0.000
0.004
0.006
0.010
0.075
0.083
0.075
0.083
0.023 REF 。
0.023 REF 。
0.026典型。
0.016 REF 。
0.012 REF 。
0.020参考。
江苏长电科技股份有限公司
WBFBP - 06C塑封装晶体管
FMMDT5451
晶体管
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
单位：mm
描述
PNP和NPN外延硅晶体管
特点
互补对
其中5551 - NPN型，其中5401型PNP
超小型表面贴装封装
应用
非常适用于中等功率放大和开关
对于便携式设备（如手机， MP3 ，MD ， CD - ROM ，
DVD-ROM ，笔记本电脑等）
标记： KNM
1
KNM
E 1， B 1 ，C 1 = NPN 5551条
E2 ，B2，C2 = PNP 5401条
5551最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
RΘJA
T
J
T
英镑
参数
价值
180
160
6
0.2
0.15
625
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
K / W
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
热阻，结到环境
结温
存储温度范围
℃
℃
5401最大额定值* T
A
= 25° ，除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
RΘJA
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
热阻，结到环境
结温
存储温度范围
参数
价值
-160
-150
-5
-0.2
单位
V
V
V
A
0.15
625
150
-55-150
W
K / W
℃
℃
5551
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
h
FE
（
2
）
h
FE
（
3
）
TEST
除非
否则
民
180
160
6
特定网络版）
典型值
最大
单位
V
V
V
50
50
条件
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
Ic=100
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10
A，I
C
=0
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
E
=0
n
A
nA
80
80
30
0.15
0.2
1
1
100
300
6
8
V
V
兆赫
pF
dB
250
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
V
BESAT
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
CE
=10V,I
C
=10mA,,f=100MHz
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.2mA,
f=1KHZ,Rg=1k
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声系数
f
T
C
ob
NF
5401电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
f
T
C
ob
NF
TEST
除非
条件
否则
特定网络版）
民
-160
-150
-5
-0.05
-0.05
50
60
50
-0.2
-0.5
-1
-1
100
300
6
V
V
V
V
兆赫
pF
240
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，
I
E
=-10A,
I
B
=0
I
C
=0
V
CB
= -120 V，I
E
=0
V
EB
=-3V ,
V
CE
=-5 V,
V
CE
=-5 V,
V
CE
=-5 V,
I
C
=0
I
C
= -1mA
I
C
= -10mA
I
C
= -50mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
I
C
= -10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= -50毫安，我
B
=-5mA
V
CE
= -10V ，我
C
= -10mA
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= -5.0V ，我
C
= -200A,
R
S
= 10Ω ， F = 1.0kHz
基射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
8.0
dB
符号
A
A1
b
D
E
D1
E1
e
L
k
z
单位：毫米
分钟。
马克斯。
0.450
0.550
0.000
0.100
0.150
0.250
1.900
2.100
1.900
2.100
0.590 REF 。
0.590 REF 。
0.650典型。
0.400 REF 。
0.300参考。
0.500 REF 。
尺寸以英寸
分钟。
马克斯。
0.018
0.022
0.000
0.004
0.006
0.010
0.075
0.083
0.075
0.083
0.023 REF 。
0.023 REF 。
0.026典型。
0.016 REF 。
0.012 REF 。
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F82C212-20
FU-68PDF-V510M203B
FX-104-DFC-A1M7
FMS2024
FC0.7-18-05TL2
FLZ15VA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FMMDT5451-WBFBP-06C
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    终端采购配单精选

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    电话：18922805453
    联系人：连
    地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

    FMMDT5451-WBFBP-06C
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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