添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13751165337  13692101218
51电子网联系电话:13751165337
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第206页 > FMM5815X
FMM5815X
17.5-20GHz功率放大器MMIC
特点
高输出功率的P1dB = 31dBm的(典型值)
高增益: G1dB = 21分贝(典型值)
高PAE :
η
添加= 30 % (典型值)。
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
0.25微米pHEMT技术
描述
该FMM5815X是一个高增益,高线性度, 3级单片
放大器在the17.5-20.0 GHz的设计,操作
频率范围。该放大器具有输入和输出
设计用于在50Ω systems.This装置中使用是非常适合
对于点对点通信应用。
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
漏极电压
栅极电压
输入功率
储存温度
工作温度背面
符号
VDD
VGG
TSTG
顶部
条件
等级
10
-3.0
22
-65到+175
-65到+85
单位
V
V
DBM
°C
°C
富士通建议砷化镓场效应管的长期可靠运行下列条件:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDD)应不超过6伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过4和-0.39毫安分别。
3.本品应密封包装
电气特性(环境温度Tc = 25 ° C)
频带
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
输入回波损耗
输出回波损耗
三阶互调
失真
符号
f
P
1dB
G
1dB
Iddrf
η
添加
RLIN
RLOUT
IM3
VDD = 6V
国际直拨电话
=
600毫安(典型值)。
ZS = ZL = 50Ω
条件
范围
分钟。典型值。马克斯。
17.5 - 20.0
29.5
19
-
-
-
-
f=10MHz,
2音测试,
-37.0
噘嘴= 20dBm的S.C.L.
31
21
700
30
-12
-8
-40
-
24
950
-
-
-
-
单位
GHz的
DBM
dB
mA
%
dB
dB
dBc的
注1 :
RF参数的样本量10件。标准(接受/拒绝) = (0/1)
注2 :
电气特性射频探针测量指定
G.C.P :增益压缩点
S.C.L :单载波电平
1.0版
2001年6月
1
FMM5815X
17.5-20GHz功率放大器MMIC
IM3与输出功率
-20
-25
-30
IM3 ( DBC)
-35
-40
-45
-50
-55
-60
17
19
21
23
25
27
29
15
总输出功率(dBm )
-4
0
4
8
12
0
VDD = 6V
IDD ( DC ) = 600毫安
输出功率与输入功率
35
VDD = 6V
IDD ( DC ) = 600毫安
总输出功率(dBm )
17.5GHz
18.0GHz
20.0GHz
31
17.5GHz
18.0GHz
20.0GHz
27
23
η
添加
40
η
增加( % )
19
20
总输入功率(dBm )
P1dB为& G1dB与频率的关系
40
36
的P1dB ( dBm的) , G1dB ( dB)的
32
28
24
20
16
VDD = 6V
IDD ( DC ) = 600毫安
P1dB
G1dB
η
添加
120
104
88
72
56
40
24
η
增加( % )
17.5
18.0
18.5
19.0
19.5
20.0
频率(GHz )
2
FMM5815X
17.5-20GHz功率放大器MMIC
S-参数
VDD = 6V , IDS = 600毫安
频率
S11
(兆赫)
MAG
16500
17000
17500
18000
18500
19000
19500
20000
20500
21000
.357
.385
.443
.512
.566
.572
.538
.459
.346
.307
47.0
19.3
-10.5
-39.3
-66.7
-92.9
-117.9
-144.7
165.1
74.2
S21
MAG
10.785
12.059
13.360
14.483
14.782
14.585
13.693
13.188
12.600
11.066
S12
MAG
.004
.005
.005
.007
.007
.005
.005
.003
.005
.006
S22
-51.8
-42.8
-62.5
-83.0
-95.1
-112.5
-142.9
94.6
33.8
-10.5
MAG
.110
.111
.169
.205
.220
.178
.121
.051
.044
.080
-20.6
-93.5
-134.6
-166.6
164.9
137.0
108.3
53.6
19.8
11.4
-44.4
-80.4
-117.3
-156.9
161.9
120.3
78.7
37.1
-10.4
-65.4
下载S参数,请点击这里
装配图
VGG
0.15F
VDD
0.15F
220pF
220pF
RFIN
RFOUT
220pF
220pF
芯片尺寸: 3.57毫米X 2.76毫米
0.15F
VDD
3
FMM5815X
17.5-20GHz功率放大器MMIC
芯片大纲
VGG1
VDD1
0
2760
2640
2555
620 750
1155
2380
VDD2
3075
3570
2760
2510
1380
1194
RFOUT
RFIN
280
205
120
0
250
0
芯片尺寸: 3570μm X 2760μm
芯片厚度: 70μm的
垫尺寸: 1.直流垫: 80微米X 80微米
VDD : 100微米X 100微米
2.射频垫: 120微米X 80微米
单位:
m
0 120
636 750
VDD3
1155
VDD4
VGG2
2380
3075
VDD5
3450 3570
欲了解更多信息,请联系:
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞, 95131-1138 , U.S.A.
电话: ( 408 ) 232-9500
传真: ( 408 ) 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通量子器件EUROPE LTD 。
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德,伯克希尔SL6 4FJ
电话: +44 ( 0 ) 1628 504800
传真: +44 ( 0 ) 1628 504888
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓(GaAs )
这会危害人体和环境。
为安全起见,请遵循以下步骤:
不要摄取。
不要改变这个产品的形式转化为气体,粉末或液体
通过燃烧,粉碎,或化学处理,因为这些副产物
是危险的,如果吸入,食入,或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格,恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
2001富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0601M200
4
查看更多FMM5815XPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FMM5815X
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:195847376 复制 点击这里给我发消息 QQ:583757894 复制

电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
FMM5815X
EUDYNA
25+
3000
全新原装特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FMM5815X
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8032
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FMM5815X
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8184
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多FMM5815X供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!