FMM 200-004PL
沟槽功率MOSFET
逻辑电平栅极控制
Phaseleg拓扑
在ISOPLUS I4 -PAC
TM
初步数据
3
T1
I
D25
= 200 A
= 40 V
V
DSS
R
DSON典型。
= 2.8 m
5
4
1
2
T2
1
5
MOSFET T1 / T2
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
（体二极管）T
C
= 25°C
（体二极管）T
C
= 90°C
条件
T
VJ
= 25°C至T
vjmax
最大额定值
40
±20
200
150
110
70
V
V
A
A
A
A
特点
沟槽MOSFET
- 逻辑电平栅极控制
- 非常低的状态，电阻R
DSON
- 快速切换
- 快速体二极管
ISOPLUS I4 -PAC
TM
包
- 孤立的背面
- 引脚之间的低耦合能力
和散热器
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 行业标准大纲
- UL注册，E 72873
应用
汽车
- 交流变频器 - 起动发电机
12 / 14V等。
- 菜刀 - 更换串联电阻
直流驱动器，取暖等。
- DC-DC变换器
- 电子开关-replacing继电器
和保险丝
电源
- DC-DC变换器
- 太阳能逆变器
- 转换器，用于燃料电池的
提供电池系统
- 菜刀或逆变器的驱动器
手持工具
- 电池充电器
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
2.8
1.1
0.1
3.9 m
2
V
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
F
t
rr
R
thJC
R
thjs
V
GS
= 10 V ;我
D
= 100 A
V
DS
= 20V;我
D
= 1毫安
V
DS
= 40 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V; V
DS
= 14 V ;我
D
= 25 A
1 A
mA
200 nA的
82
17
25
70
270
260
190
1.2
70
1.5
1.7
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
1.0 K / W
K / W
V
GS
= 5 V; V
DS
= 30 V
I
D
= 25 A;
G
= 10
（体二极管）I
F
= 100 A; V
GS
= 0 V
（体二极管）I
F
= 20A ; -di / DT = 100A /μs的; V
DS
= 20V
传热贴
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