【FMM1061VJ砷化镓MMIC特点操作到6.0 GHz的输入频率除以4 ，不折不扣 -5V （或+】,IC型号FMM1061VJ,FMM1061VJ PDF资料,FMM1061VJ经销商,ic,电子元器件-51电子网

FMM1061VJ

砷化镓MMIC

特点

操作到6.0 GHz的

输入频率除以4 ，不折不扣

-5V （或+ 5V ）直流单电源供电

外部50欧姆负载驱动能力

小型10引脚密封SMT - 10封装（ VJ ）

磁带和卷轴可用

描述

该FMM1061VJ是GaAs微波静态分频器

设计用于由4的输入信号除以在一个频率范围内

从2.0至6.0千兆赫。这部分被设计为微波频率

合成器和锁相环振荡器的应用程序。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）

参数

电源电压

输入电压

输入功率

储存温度

功耗

符号

VSS

VIN

针

TSTG

评级

-7.0到0

VSS为0

+13.0

-55到+125

1.0

单位

DBM

°C

推荐工作条件

参数

电源电压

环境温度

符号

VSS

分钟。

-5.5

-30

极限

典型值。

-5.0

马克斯。

-4.5

+70

单位

°C

电气特性（环境温度Ta = 25°C ， VSS = -5.0V ）

参数

电源电流

工作频率

输出功率

类型：

符号

国际空间站

条件

分钟。

引脚= 0 10dBm的

2.0

极限

典型值。马克斯。

100

6.0

单位

GHz的

DBM

1.1版

1999年8月

FMM1061VJ

砷化镓MMIC

测试电路

正电源电压

VDD = 5V +运算电路

VDD = + 5.0V

0.33F

1000pF

输入

GND

产量

1000pF

产量

GND VDD

OUT

GND

1000pF

OUT

VSS GND

负电源电压

VSS = -5V运算电路

1000pF

输入

GND

1000pF

产量

1000pF

产量

GND VDD

OUT

GND

1000pF

OUT

VSS GND

0.33F

VSS = -5.0V

FMM1061VJ

砷化镓MMIC

输入灵敏度特性

VSS = -5.0V ，

TA = 25°C

推荐

工作区

(2GHz~6GHz)

噘

输出功率（dBm ）

输入功率（dBm ）

-5

-10

-15

-20

-25

-30

针

输入频率（ GHz）的

FMM1061VJ

砷化镓MMIC

机箱样式“ VJ ”

1.2±0.2

(0.047)

7.2±0.2

(0.283)

4.8±0.2

(0.189)

10-0.38

(0.015)

6-1.27

(0.050)

1.2±0.2

(0.047)

3.8

(0.150)

2.8

(0.110)

6.3±0.2

(0.248)

3.9±0.2

(0.154)

指数

铅作业

0.15

(0.006)

领导

符号

VDD

GND

领导

10.

1.9

(0.075)

2.9

(0.114)

符号

VSS

GND

OUT

GND

OUT

单位：mm （英寸）

欲了解更多信息，请联系：

富士通化合物半导体股份有限公司。

2355 Zanker路。

加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.

电话：（ 408 ） 232-9500

传真：（ 408 ） 428-9111

www.fcsi.fujitsu.com

富士通微电子欧洲公司，有限公司

量子器件事业部

网络之家

Norreys驱动器

梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ

电话： +44 （ 0 ） 1628 504800

传真： +44 （ 0 ） 1628 504888

小心

富士通化合物半导体的产品包含

砷化镓

砷化镓（GaAs ）

这会危害人体和环境。

为安全起见，请遵循以下步骤：

不要将这些产品放入口中。

不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体

通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物

是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。

遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定

产品。该产品必须按照方法被丢弃

适用危险废物的程序规定。

富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。

信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。

1998富士通化合物半导体股份有限公司。

美国印刷FCSI0598M200

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