FMH21N50ES
超级FAP -E
3S
系列
特点
保持了低功耗和低噪音
低
DS
（上）特性
通过栅极电阻的可控开关的dv / dt
小V
GS
切换过程中的波形振铃
栅极阈值电压的窄频带（4.2 ±0.5V ）
高雪崩耐用性
FUJI功率MOSFET
N沟道硅功率MOSFET
外形图[MM ]
TO-3P （Q）的
等效电路示意
漏极（D ）
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
栅极（G ）
源极（S ）
最大额定值和特性
在Tc绝对最大额定值= 25°C （除非另有规定编）
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
重复和不重复的最大雪崩电流
非重复性最大雪崩能量
重复的最大雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
峰值二极管恢复-di / dt的
最大功率耗散
工作和存储温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
I
AR
E
AS
E
AR
dv / dt的
-di / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
特征
500
500
±21
±84
±30
21
714.5
28.5
5.7
100
2.50
285
150
-55到+ 150
单位
V
V
A
A
V
A
mJ
mJ
KV / μs的
A / μs的
W
°C
°C
备注
V
GS
= -30V
Note*1
Note*2
Note*3
Note*4
Note*5
Ta=25°C
Tc=25°C
在Tc电气特性= 25°C （除非另有规定编）
描述
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极 - 漏极电荷交叉
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS
（ TH ）
I
DSS
I
GSS
R
DS
（上）
g
fs
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
Q
SW
I
AV
V
SD
TRR
QRR
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
I
D
= 250μA ，V
DS
=V
GS
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V
V
GS
=±30V, V
DS
=0V
I
D
= 10.5A ，V
GS
=10V
I
D
= 10.5A ，V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
cc
=300V
V
GS
=10V
I
D
=10.5A
R
GS
=10
V
cc
=250V
I
D
=21A
V
GS
=10V
L = 1.27mH ，T
ch
=25°C
I
F
= 21A ，V
GS
= 0V ，T
ch
=25°C
I
F
= 21A ，V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的，总胆固醇= 25°C
分钟。
500
3.7
-
-
-
-
7.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
21
-
-
-
典型值。
-
4.2
-
-
10
0.23
15
2450
320
19
41
33
90
16
68
23
26
10
-
0.90
0.45
7.2
马克斯。
-
4.7
25
250
100
0.27
-
3675
480
28.5
61.5
49.5
135
24
102
34.5
39
15
-
1.35
-
-
单位
V
V
A
nA
S
pF
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
ns
nC
A
V
s
C
热特性
描述
热阻
符号
RTH （ CH-C ）
RTH （ CH -A ）
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.440
50.0
单位
° C / W
° C / W
注* 1 ： Tch≤150 °以下。
注* 2 ：陈述总胆固醇= 25 ° C，I
AS
= 9A ， L = 16.2mH ， VCC = 50V ，R
G
=50Ω.
E
AS
受到最大通道温度和雪崩电流。
看到“雪崩能量”图。
注* 3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度。
看到了“瞬态Themal impeadance ”图。
*注4 ：我
F
≤-I
D
， -di / DT = 100A / μs的， Vcc≤BV
DSS
， Tch≤150 °以下。
注* 5 ：我
F
≤-I
D
，的dv / dt = 5.7kV / μs的， Vcc≤BV
DSS
， Tch≤150 °以下。
1
FMH21N50ES
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
安全工作区
I
D
= F（V
DS
）：占空比= 0 （单脉冲） ，TC = 25
°
c
FUJI功率MOSFET
300
10
2
t=
1
s
10
s
250
10
200
1
100
s
PD [ W]
100
ID [ A]
150
10
0
1ms
10
50
-1
功率损耗波形：
方波
P
D
t
0
0
25
50
75
TC [
°
C]
100
125
150
10
-2
10
-1
10
0
10
VDS [V]的
1
10
2
10
3
70
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
60
50
10V
10
ID [ A]
30
7.5V
1
20
7.0V
6.5V
VGS=6.0V
0.1
10
0
0
4
8
12
VDS [V]的
16
20
24
0
2
4
6
VGS电压[V]的
8
10
12
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
ID [ A]
40
8.0V
0.7
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6.0V
6.5V
7V
0.6
10
RDS （上）
Ω
]
0.5
8V
10V 20V
GFS [S]
0.4
1
0.3
0.2
0.1
0.1
1
ID [ A]
10
100
0.1
0
10
20
30
ID [ A]
40
50
60
2
FMH21N50ES
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10.5A ， VGS = 10V
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
FUJI功率MOSFET
1.0
8
7
0.8
6
5
4
3
RDS （上）
Ω
]
0.6
VGS （ TH） [V]
马克斯。
典型值。
分钟。
0.4
马克斯。
典型值。
0.2
2
1
0.0
-50
-25
0
25
50
TCH [
°
C]
75
100
125
150
0
-50
-25
0
25
50
75
TCH [
°
C]
100
125
150
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 21A ，总胆固醇= 25
°
C
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
12
10
VCC = 100V
250V
400V
10
4
西塞
10
3
VGS电压[V]的
C [ pF的]
8
6
10
2
科斯
4
10
2
1
CRSS
0
0
20
40
QG [ NC ]
60
80
100
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
VDS [V]的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
Ω
10
10
2
TD （关闭）
tf
IF [ A]
TD （上）
T [ NS ]
tr
1
10
1
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
VSD [V]的
1.00
1.25
1.50
1.75
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
ID [ A]
3
FMH21N50ES
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 50V ， I（ AV） < = 21A
I
AS
=21A
700
10
0
FUJI功率MOSFET
800
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
600
500
EAV [兆焦耳]
I
AS
=13A
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
400
300
200
100
0
0
25
50
75
开始总胆固醇[
°
C]
100
125
I
AS
=9A
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
150
4
FMH21N50ES
FUJI功率MOSFET
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