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EMG3 / UMG3N / FMG3A
晶体管
发射器通用
(双数字晶体管)
EMG3 / UMG3N / FMG3A
特点
1 )两个DTC143T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG3
0.5 0.5
1.0
1.6
0.22
(4)
(3)
(2)
(5)
0.13
1.2
1.6
(1)
结构
双NPN数字晶体管
(每个内置电阻单)
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: G3
(4)
(3)
以下特性同时适用于DTR
1
DTR
2
.
UMG3N
0.65 0.65
1.3
0.2
2.0
(2)
(5)
等效电路
0.15
1.25
2.1
(1)
0.5
0to0.1
EMG3 / UMG3N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
(2)
(1)
R
1
=4.7k
R
1
DTR
1
(5)
FMG3A
(3)
R
1
DTR
2
(2)
(4)
(5)
R
1
=4.7k
R
1
DTR
1
(1)
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
缩写符号: G3
FMG3A
0.95 0.95
1.9
0.8
0to0.1
0.3
(2)
(3)
0.7
(1)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家EMG3 , UMG3N
动力
散热FMG3A
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
C
C
单位
0.15
1.6
2.8
V
V
V
mA
mW
(5)
(4)
0.3to0.6
每根导线具有相同的尺寸
1
2
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
缩写符号: G3
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
1.1
2.9
0.9
Rev.A的
1/2
EMG3 / UMG3N / FMG3A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=5mA/0.25mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
50
50
5
100
250
250
0.5
0.5
0.3
600
V
V
V
A
A
V
兆赫V
CE
=10V,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
R
1
3.29
4.7
6.11
k
晶体管的转换频率
包装规格
CODE
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
T148
3000
基本订购
单位(件)
EMG3
UMG3N
FMG3A
电气特性曲线
1k
500
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(
V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
200
500
1m
2m
5m
l
C
/l
B
=20
直流电流增益:H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
Ta=100C
25C
40C
Ta=100C
25C
40C
10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMG3 / UMG3N / FMG3A
晶体管
发射器通用
(双数字晶体管)
EMG3 / UMG3N / FMG3A
特点
1 )两个DTC143T芯片在EMT或UMT或SMT
封装。
2 )安装成本和面积可减少一半。
外形尺寸
(单位:毫米)
EMG3
0.5 0.5
1.0
1.6
0.22
(4)
(3)
(2)
(5)
0.13
1.2
1.6
(1)
结构
双NPN数字晶体管
(每个内置电阻单)
ROHM : EMT5
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号: G3
(4)
(3)
以下特性同时适用于DTR
1
DTR
2
.
UMG3N
0.65 0.65
1.3
0.2
2.0
(2)
(5)
等效电路
0.15
1.25
2.1
(1)
0.5
0to0.1
EMG3 / UMG3N
(3)
R
1
DTR
2
(4)
(2)
(1)
R
1
=4.7k
R
1
DTR
1
(5)
FMG3A
(3)
R
1
DTR
2
(2)
(4)
(5)
R
1
=4.7k
R
1
DTR
1
(1)
0.1Min.
每根导线具有相同的尺寸
ROHM : UMT5
EIAJ : SC- 88A
缩写符号: G3
FMG3A
0.95 0.95
1.9
0.8
0to0.1
0.3
(2)
(3)
0.7
(1)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
收藏家EMG3 , UMG3N
动力
散热FMG3A
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150 ( TOTAL )
300 ( TOTAL )
150
55
to
+150
C
C
单位
0.15
1.6
2.8
V
V
V
mA
mW
(5)
(4)
0.3to0.6
每根导线具有相同的尺寸
1
2
ROHM : SMT5
EIAJ : SC- 74A
缩写符号: G3
每个单元1 120MW不得超过。
每件2 200mW的不得超过。
1.1
2.9
0.9
Rev.A的
1/2
EMG3 / UMG3N / FMG3A
晶体管
电气特性
( TA = 25°C )
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输入阻抗
符号最小值。典型值。马克斯。单位
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT)
h
FE
f
T
条件
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
/I
B
=5mA/0.25mA
V
CE
=5V,
I
C
=1mA
50
50
5
100
250
250
0.5
0.5
0.3
600
V
V
V
A
A
V
兆赫V
CE
=10V,
I
E
=
5mA,
f=100MHz
R
1
3.29
4.7
6.11
k
晶体管的转换频率
包装规格
CODE
TYPE
TAPING
T2R
8000
TR
3000
T148
3000
基本订购
单位(件)
EMG3
UMG3N
FMG3A
电气特性曲线
1k
500
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(
V)
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
200
500
1m
2m
5m
l
C
/l
B
=20
直流电流增益:H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
Ta=100C
25C
40C
Ta=100C
25C
40C
10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
SMD型
IC
晶体管
产品speci fi cation
FMG3A
特点
双NPN数字晶体管
5
4
单位:mm
1
2
3
(3)
(2)
(1)
R
1
=4.7k
R
1
DTR
2
(4)
R
1
DTR
1
(5)
绝对最大额定值TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗(总)
操作和储存和温度范围内
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
T
j
, T
英镑
等级
50
50
5
100
300
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输入阻抗
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
R
1
测试条件
I
C
= 50 μA ,我
E
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 50 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 50V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= -5M A, F = 100MHz的
3.29
250
4.7
6.11
100
250
50
50
5
0.5
0.5
600
0.3
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
记号
记号
G3
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
10F中2
SMD型
IC
晶体管
产品speci fi cation
FMG3A
典型特征
集电极饱和电压: V
CE (SAT)
(
V)
1k
500
V
CE
=5V
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100
200
500
1m
2m
5m
l
C
/l
B
=20
直流电流增益:H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
100 200 500 1m
2m
5m 10m 20m
50m100m
Ta=100C
25C
40C
Ta=100C
25C
40C
10m 20m
50m 100m
集电极电流:我
C
(A)
集电极电流:我
C
(A)
图1直流电流增益与集电极
当前
图2集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FMG3A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
FMG3A
ROHM
20+
26000
SOT-153
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2481682028 复制 点击这里给我发消息 QQ:936045363 复制

电话:13424184668
联系人:肖佳欣
地址:广东省深圳市福田区深南中路华强电子世界
FMG3A
ROHM
24+
8000000
SMD
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
FMG3A
ROHM
15+
5000
SOT-153
进口原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
FMG3A
ROHM/罗姆
22+
33000
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
FMG3A
ROHM
1926+
28562
SOT-153
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
FMG3A
ROHM/罗姆
1926+
28562
SOT-153
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
FMG3A
ROHM/罗姆
2024
30475
SOT23-5
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FMG3A
ROHM
21+
20000
SOT153
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
FMG3A
ROHM
25+23+
34086
Sot-153
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
FMG3A
ROHM
2443+
23000
SOT-25
一级代理专营,原装现货,价格优势
查询更多FMG3A供应信息

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