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FME6G20US60
2000年9月
IGBT
FME6G20US60
的Econo模块类型
概述
飞兆半导体的IGBT功率模块提供低传导和
开关损耗以及短路坚固性。这是
专为应用,如电机控制, UPS
和一般的变频器在短路耐用是
所需。
特点
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ,V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= 2.2 V @ I
C
= 20A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
封装代码: 17 PM -CA
应用
AC &直流电机控制
通用变频器
机器人
伺服控制
UPS
1
5
9
2
U
6
V
10
W
3
7
11
4
8
12
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
V
ISO
MOUNTING
力矩
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
隔离电压
安装螺丝: M5
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ AC 1分钟
FME6G20US60
600
±
20
20
40
20
40
10
56
-40到+150
-40到+125
2500
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
us
W
°C
°C
V
牛米
注意事项:
( 1 )重复评价:脉冲宽度有限的最大值。结温
2000仙童半导体国际
FME6G20US60版本A
FME6G20US60
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时,我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时,我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 20mA时, V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
6.0
2.2
8.5
2.8
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
1323
254
47
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
30
49
48
152
524
473
997
30
51
52
311
568
1031
1599
--
55
10
25
--
--
70
200
--
--
1400
--
--
75
400
--
--
2240
--
80
15
40
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
V
CC
= 300 V,I
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V,I
C
= 20A,
R
G
= 10, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 125°C
@
T
C
=
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
100°C
V
CE
= 300 V,I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
2000仙童半导体国际
FME6G20US60版本A
FME6G20US60
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 20A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 20A
的di / dt = 40A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
2.0
2.3
75
110
1.2
1.8
180
400
马克斯。
2.8
--
150
--
1.8
--
300
--
单位
V
ns
A
nC
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
重量
参数
结至外壳( IGBT部分,每1/6模块)
结至外壳(二极管部分,每1/6模块)
模块的重量
典型值。
--
--
--
马克斯。
2.2
3.0
180
单位
° C / W
° C / W
g
2000仙童半导体国际
FME6G20US60版本A
FME6G20US60
60
共发射极
T
C
= 25℃
50
12V
20V
15V
60
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
50
集电极电流,I
C
[A]
40
集电极电流,I
C
[A]
40
30
V
GE
= 10V
20
30
20
10
10
0
0
2
4
6
8
0
1
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
5
28
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流:方波的峰值
24
40A
4
3
30A
20A
负载电流[ A]
20
16
2
12
I
C
= 10A
8
1
4
0
-50
0
50
100
150
占空比: 50 %
T
C
= 100℃
功耗= 32W
0.1
1
10
100
1000
0
外壳温度,T
C
[℃]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压, V [ V]
CE
16
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
16
12
12
8
8
40A
4
I
C
= 10A
0
20A
40A
4
I
C
= 10A
0
0
4
8
12
16
20
20A
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压,V
GE
[V]
门 - 发射极电压,V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2000仙童半导体国际
图6.饱和电压与V
GE
FME6G20US60版本A
FME6G20US60
2400
2000
资本投资者入境计划
共发射极
V
GE
= 0V , F = 1MHz的
T
C
= 25℃
电容[ pF的]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
1600
卓越中心
1200
开关时间[ NS ]
100
Tr
800
CRES
400
0
1
10
10
1
10
100
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
栅极电阻,R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开,在主场迎战特点
栅极电阻
1000
开关时间[ NS ]
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
EOFF
开关损耗[ UJ ]
1000
花花公子
Tf
花花公子
EOFF
Tf
100
100
1
10
100
1
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 20A
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10
100
栅极电阻,R
G
[
]
栅极电阻,R
G
[
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ,R
G
= 10
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
开关时间[ NS ]
100
Tr
开关时间[ NS ]
花花公子
Tf
花花公子
Tf
100
共发射极
V
GE
=
±
15V ,R
G
= 10
T
C
= 25℃
━━
T
C
= 125℃ ------
10
15
20
25
30
35
40
10
10
15
20
25
30
35
40
集电极电流,I
C
[A]
集电极电流,I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2000仙童半导体国际
图12.关断特性对比
集电极电流
FME6G20US60版本A
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FME6G20US60
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
FME6G20US60
FAIRCHIL
24+
2000
20A600VI
授权分销 现货热卖
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
FME6G20US60
FAIRCHILD
24+
2100
MODULE
公司大量全新现货 随时可以发货
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电话:755-83219286 (FPGA原厂渠道)// 83210909 (CPLD原厂渠道)
联系人:张小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室 (亚太地区XILINX(赛灵思)、ALTERA(阿特拉)专业分销商!)
FME6G20US60
FAIRCHIL
22+
55
20A600VI
模块专业供应商,全新原装优势产品,可开17%增值票,敬请来电!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FME6G20US60
FAIRCHIL
21+
9640
20A600VI
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
FME6G20US60
FAIRCHILD
24+
2100
MODULE
公司大量全新现货 随时可以发货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FME6G20US60
FAIRCHIL
2012+
1560
20A600VI
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
FME6G20US60
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8350
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
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联系人:刘先生
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FME6G20US60
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9091
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电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
FME6G20US60
FAIRCHILD
23+
80000
原厂封装
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