口蹄疫80-0045PS
用菜刀
沟槽功率MOSFET
和肖特基二极管
在ISOPLUS I4 -PAC
TM
初步数据
3
I
D25
= 100 A
= 55 V
V
DSS
R
DSON （典型值）。
= 3.8 m
4
1
2
1
5
MOSFET
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
55
±20
150
110
V
V
A
A
特点
沟槽MOSFET
- 非常低的状态，电阻R
DSON
- 快速切换
=肖特基二极管
- 低正向电压
- 非常快速的切换
- 用于阻断能力优化
高温
ISOPLUS I4 -PAC
TM
包
- 孤立的背面
- 引脚之间的低耦合能力
和散热器
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 行业标准大纲
- UL注册，E 72873
应用
汽车
- 菜刀 - 更换串联电阻
直流驱动器，取暖等。
- SR驱动器控制
- DC-DC变换器
- 电子开关-replacing继电器
和保险丝
电源
- DC-DC变换器
- 太阳能逆变器
提供电池系统
- 菜刀在手持工具的驱动器
- 电池充电器
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
3.8
2
0.1
0.2
86
18
25
25
50
70
40
1.5
4.9 m
4
1
V
A
mA
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
1 K / W
K / W
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thJH
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D90
V
DS
= 20V;我
D
= 1毫安
V
DS
= 55V; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 44 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V; V
DS
= 30 V;
I
D
= 25A ;
G
= 10
与复合散热器
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ，
D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
1-2
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： （ 408 ） 982-0700 ，传真： 408-496-0670
406
口蹄疫80-0045PS
用菜刀
沟槽功率MOSFET
和肖特基二极管
在ISOPLUS I4 -PAC
TM
初步数据
3
I
D25
= 100 A
= 55 V
V
DSS
R
DSON （典型值）。
= 3.8 m
4
1
2
1
5
MOSFET
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
条件
T
VJ
= 25 ℃至150 ℃的
最大额定值
55
±20
150
110
V
V
A
A
特点
沟槽MOSFET
- 非常低的状态，电阻R
DSON
- 快速切换
=肖特基二极管
- 低正向电压
- 非常快速的切换
- 用于阻断能力优化
高温
ISOPLUS I4 -PAC
TM
包
- 孤立的背面
- 引脚之间的低耦合能力
和散热器
- 对散热器的爬电距离扩大
- 应用型引出线
- 低电感的电流路径
- 高可靠性
- 行业标准大纲
- UL注册，E 72873
应用
汽车
- 菜刀 - 更换串联电阻
直流驱动器，取暖等。
- SR驱动器控制
- DC-DC变换器
- 电子开关-replacing继电器
和保险丝
电源
- DC-DC变换器
- 太阳能逆变器
提供电池系统
- 菜刀在手持工具的驱动器
- 电池充电器
符号
条件
(T
VJ
特征值
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
3.8
2
0.1
0.2
86
18
25
25
50
70
40
1.5
4.9 m
4
1
V
A
mA
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
1 K / W
K / W
R
DSON
V
gsth
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thJH
V
GS
= 10 V ;我
D
= I
D90
V
DS
= 20V;我
D
= 1毫安
V
DS
= 55V; V
GS
= 0 V ;牛逼
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
V
GS
= ±20 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V; V
DS
= 44 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V; V
DS
= 30 V;
I
D
= 25A ;
G
= 10
与复合散热器
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2004 IXYS所有权利。
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Edisonstr 。 15 ，
D- 68623兰佩尔泰姆
电话： + 49-6206-503-0 ，传真： + 49-6206-503627
1-2
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3540巴西特街，圣克拉拉CA 95054
电话： （ 408 ） 982-0700 ，传真： 408-496-0670
406
QQ：2880707522 复制
