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FMBL1G75US60
2001年3月
IGBT
FMBL1G75US60
成型类型模块
概述
飞兆半导体的绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）功率
模块提供低传导和开关损耗
以及短路耐用性。它们被设计为
应用，如电机控制，不间断电源
电源（UPS ）和通用变频器在短路
耐用性是必需的功能。
特点
UL认证号E209204
短路额定10us的@ T
C
= 100℃ ，V
GE
= 15V
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.2 V @ I
C
= 75A
高输入阻抗
快速&软反并联FWD
封装代码：7 PM- AA
E1/C2
应用
升压（进阶）转换器
C1
E2
G2
E2
内部电路框图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
T
SC
P
D
T
J
T
英镑
V
ISO
MOUNTING
力矩
T
C
= 25 ° C除非另有说明
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
收藏家个当前
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
隔离电压
电源端子螺丝： M5
安装螺丝： M5
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ AC 1分钟
FMBL1G75US60
600
±
20
75
150
75
150
10
310
-40到+150
-40到+125
2500
2.0
2.0
单位
V
V
A
A
A
A
us
W
°C
°C
V
牛米
牛米
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
2001仙童半导体公司
FMBL1G75US60版本A
FMBL1G75US60
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
B
VCES
/
T
J
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 250uA
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
±
100
V
V /°C的
uA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 0V时，我
C
= 75毫安
I
C
= 75A
,
V
GE
= 15V
5.0
--
--
2.2
8.5
2.8
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
7056
672
180
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
T
sc
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
24
41
120
87
2.4
1.8
4.2
27
43
175
124
2.6
2.7
5.3
--
310
62
130
--
--
150
200
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
350
--
--
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
us
nC
nC
nC
V
CC
= 300 V，I
C
= 75A,
R
G
= 3.3, V
GE
= 15V
感性负载，T
C
= 25°C
V
CC
= 300 V，I
C
= 75A,
R
G
= 3.3, V
GE
= 15V
感性负载，T
C
= 125°C
V
CC
= 300 V, V
GE
= 15V
@
T
C
= 100°C
V
CE
= 300 V，I
C
= 75A,
V
GE
= 15V
2001仙童半导体公司
FMBL1G75US60版本A
FMBL1G75US60
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
rr
Q
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复
当前
二极管的反向恢复电荷
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
T
C
= 25°C
I
F
= 75A
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
I
F
= 75A
的di / dt = 150 A /美
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
分钟。
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值。
1.9
1.8
90
130
7
10
315
650
马克斯。
2.8
--
130
--
9
--
590
--
单位
V
ns
A
nC
热特性
符号
R
θJC
R
θJC
R
θCS
重量
参数
结至外壳（ IGBT部分，每1/2模块）
结至外壳（二极管部分，每1/2模块）
外壳到散热器
（导电润滑脂应用）
模块的重量
典型值。
--
--
0.05
--
马克斯。
0.4
0.9
--
190
单位
° C / W
° C / W
° C / W
g
2001仙童半导体公司
FMBL1G75US60版本A
FMBL1G75US60
200
180
160
共发射极
T
C
= 25℃
20V
15V
12V
200
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
集电极电流，I
C
[A]
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
VGE = 10V
集电极电流，I
C
[A]
160
120
80
40
0
0.3
1
10
20
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
5
100
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
V
CC
= 300V
负载电流：方波的峰值
4
150A
3
80
负载电流[ A]
60
75A
2
I
C
= 40A
1
40
20
占空比： 50 ％
TC = 100 ℃
功耗= 100W
0.1
1
10
100
1000
0
0
30
60
90
120
150
0
外壳温度，TC [
℃
]
频率[千赫]
图3.饱和电压与案例
温度变电流等级
图4.负载电流与频率的关系
20
共发射极
T
C
= 25℃
20
共发射极
T
C
= 125℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
8
150A
4
IC = 40A
0
75A
150A
4
IC = 40A
0
0
4
8
12
16
20
75A
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2001仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
FMBL1G75US60版本A
FMBL1G75US60
16000
14000
12000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25℃
资本投资者入境计划
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 75A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
吨
电容[ pF的]
10000
8000
6000
卓越中心
4000
CRES
2000
0
1
10
开关时间[ NS ]
100
Tr
10
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
栅极电阻，R
G
[
]
图7.电容特性
图8.打开，在主场迎战特点
栅极电阻
20000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 75A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 75A
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
10000
开关时间[ NS ]
1000
宙
开关损耗[ UJ ]
花花公子
EOFF
100
Tf
1000
10
100
1
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻， RG [
]
图9.关断特性对比
栅极电阻
图10.开关损耗与栅极电阻
300
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.3
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
吨
1000
共发射极
V
CC
= 300V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.3
T
C
= 25℃
T
C
= 125℃
开关时间[ NS ]
100
开关时间[ NS ]
花花公子
Tr
100
Tf
10
20
30
40
50
60
70
75
20
30
40
50
60
70
75
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图11.导通特性对比
集电极电流
2001仙童半导体公司
图12.关断特性对比
集电极电流
FMBL1G75US60版本A
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FM25CL64_07
FYS-8015AX-1
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FE100D9
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    FMBL1G75US60
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FMBL1G75US60
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