【FMB200分立功率&信号技术FMB200C2E1C1B2E2针＃ 1B1SuperSOT-】,IC型号FMB200,FMB200 PDF资料,FMB200经销商,ic,电子元器件-51电子网

FMB200

分立功率&信号

技术

FMB200

针＃ 1

SuperSOT

-6

马克： .N2

PNP多芯片通用放大器

这个装置是专为通用放大器应用集电极

电流为300毫安。从工艺68采购。

绝对最大额定值*

符号

首席执行官

CBO

EBO

, T

英镑

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

= 25 ° C除非另有说明

参数

价值

6.0

500

-55到+150

单位

°C

工作和存储结温范围

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

这些评级是基于150度C的最高结温

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

θJA

= 25 ° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

最大

FMB200

700

5.6

180

单位

毫瓦/°C的

° C / W

1998年仙童半导体公司

FMB200

PNP多芯片通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

测试条件

民

典型值

最大单位

开关特性

CBO

首席执行官

EBO

CBO

CES

EBO

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿

电压*

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

= 10

= 0

= 1.0毫安，我

= 0

= 10

= 0

= 50 V，I

= 0

= 40 V，I

= 10

= 4.0 V，I

= 0

6.0

基本特征

直流电流增益

= 100

= 1.0 V

= 10 mA时， V

= 1.0 V

= 150毫安， V

= 5.0 V*

= 10 mA时，我

= 1.0毫安

= 200毫安，我

能力= 20 mA *

= 10 mA时，我

= 1.0毫安

= 200毫安，我

能力= 20 mA *

100

450

350

0.2

0.4

0.85

1.0

CE（

SAT

)

BE （

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

小信号特性

敖包

电流增益 - 带宽积

输出电容

噪声系数

= 20 V，I

= 20毫安

= 10 V ， F = 1.0 MHz的

= 100

= 5.0 V,

= 2.0千欧， F = 1.0千赫

300

4.5

2.5

兆赫

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%

典型特征

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

500

= 5V

CESAT

- 集电极发射极电压（V ）

- 典型的脉冲电流增益

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.3

0.25

0.2

0.15

25 °C

400

300

125 °C

= 10

25 °C

200

100

0.01

- 40 °C

0.1

0.05

0.1

125 C

- 40 C

0.1

100

- 集电极电流（毫安）

100

- 集电极电流（毫安）

P 68

300

FMB200

PNP多芯片通用放大器

（续）

典型特征

（续）

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

BEON

- 基极发射极电压（ V）

BESAT

- 基极发射极电压（ V）

基射极饱和

电压Vs集电极电流

= 10

基极发射极电压ON VS

集电极电流

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

= 5V

- 40 C

25 °C

125 C

- 40 C

25 °C

125 C

100

- 集电极电流（毫安）

300

- 集电极电流（毫安）

100 200

集电极截止电流

- 环境温度

CBO

- 集电极电流（ NA）

= 50V

CER

- 击穿电压（ V）

100

集电极 - 发射极击穿

电压与电阻

发射基之间

0.1

0.01

100

- 环境温度（ C）

125

0.1

100

1000

电阻（K

)

- 集电极 - 发射极电压（ V）

集电极饱和区

输入和输出电容

VS反向电压

100

TA = 25°C

F = 1.0 MHz的

IC =

100微安

电容（pF）

50毫安

300毫安

兴业银行

COB

100

300

700

2000 4000

0.1

100

- 基极电流（ UA）

- 集电极电压（ V）

FMB200

PNP多芯片通用放大器

（续）

典型特征

（续）

- 增益带宽积（兆赫）

增益带宽积

VS集电极电流

开关时间VS

集电极电流

300

270

240

210

时间（纳秒）

180

150

120

IB1 = IB2 = IC / 10

= 10 V

VCE = 5V

P 68

100 150

- 集电极电流（毫安）

100

200

- 集电极电流（毫安）

300

功耗与

环境温度

- 功耗（ W）

0.75

SOT-6

0.5

0.25

100

温度（℃）

125

150

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型号

厂家

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