FMB150
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI FMB150
是一种高功率
晶体管设计的FM广播
系统在88-108 MHz范围内。它有
扩散镇流电阻，以提高
MTBF和高VSWR能力。
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
A
L
产品特点：
C类， CE模式28 V工作
P
G
= 9.0分贝在150瓦/ 108兆赫
Omnigold
金属化系统
高VSWR能力
，完全R
E
C
.125 NOM 。
C
B
B
E
H
D
G
F
E
I J
K
最大额定值
I
C
V
CBO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
16 A
55 V
4.0 V
165 W @ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65 ° C至+150°C
1.06 ° C / W
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
.980 / 24.89
1.050 / 26.67
订货编号： ASI10588
特征
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
VSWR
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 20毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 150 W
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 108兆赫
最小典型最大
55
25
4.0
20
140
9.0
10
65
3:1
单位
V
V
V
---
pF
dB
%
---
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Rev. D的
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FMB150
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
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RECTRON
半导体
技术规格
FM120
THRU
FM1100
表面贴装肖特基整流器
电压范围为20 100伏特电流1.0安培
特点
*
*
*
*
*
非常适合表面安装应用程序
低漏电流
冶金结合建设
安装位置：任意
重量： 0.09克
DO-214AC
机械数据
*环氧：设备具有UL可燃性分类94V -O
0.067 (1.70)
0.051 (1.29)
0.180(4.57)
0.160(4.06)
0.110 (2.79)
0.086 (2.18)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
o
0.091 (2.31)
0.067 (1.70)
0.059 (1.50)
0.035 (0.89)
0.209 (5.31)
0.185 (4.70)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在降额焊接温度
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注1 ）
典型结电容（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θ
JA
C
J
T
J
T
英镑
-65至+ 125
-65到+ 150
FMB120 FMB130 FMB140 FMB150 FMB160 FMB180 FMB1100单位
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
1.0
40
50
110
-65到+ 150
60
42
60
80
56
80
100
70
100
伏
伏
伏
安培
安培
0
C / W
pF
0
0
C
C
电气特性
（在T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
最大正向电压在1.0A DC
最大平均反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
= 25 C
@T
A
= 100
o
C
o
符号
V
F
I
R
FMB120 FMB130 FMB140 FMB150 FMB160 FMB180 FMB1100单位
.55
1.0
10
.70
.85
伏
毫安
毫安
2001-5
注： 1，热阻（结到环境） 。
2.测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
3. P.C.B Monuted有0.2X0.2 “ （ 5.0X5.0mm
2
）铜焊盘面积。
额定值和特性曲线（ FM120 THRU FM1100 ）
图。 1 - 典型正向电流降额曲线
瞬时正向电流（ A）
图。 2 - 典型瞬时
FORWARD退化特征
20
10
AVREAGE正向电流（ A）
1.0
.75
15
FM
0~
12
FM
.50
单身
半波60Hz的
电阻或
感性负载
0.375 QUOT ;设计（9.5mm ）引线长度
0
11
FM
0~
1
FM
40
1.0
.25
TJ = 25
脉冲宽度= 300US
FM120
FM130
FM140
FM150
FM160
FM180
FM1100
0
0
0
25
50
75
100
125
150
焊接温度， （
)
175
.1
.1
1 ％占空比
.3 .5
.7 .9 1.1 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1
瞬时正向电压（V）的
图。 3B - 典型的反向特性
图。 3A - 典型的反向特性
瞬时反向电流（mA ）
100
瞬时反向电流（mA ）
FM120~FM140
100
10
TJ = 125
10
1.0
TJ = 75
1.0
TJ = 150
0.1
0.1
TJ = 125
.01
TJ = 25
.01
TJ = 75
FM150~FM160
FM180~FM1100
.001
.001
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
TJ = 25
60
80
100
120 140
额定峰值反向电压的百分比（ ％ ）
图。 5 - 最大非重复正向浪涌电流
图。 4 - 典型结电容
结电容（PF ）
峰值正向浪涌
电流（ A）
400
200
100
80
60
40
20
10
.1
.4
1.0
4
10
反向电压， （V）的
40
80
TJ = 25
50
40
30
20
10
0
1
2
4 6 810
20 40
80100
循环次数在60Hz
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
FMB150
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI FMB150
是专为
包装样式0.500 4L FLG
.112x45°
A
，完全R
.125 NOM 。
L
产品特点：
Omnigold
金属化系统
C
B
最大额定值
I
C
V
CBO
V
首席执行官
V
CES
V
EBO
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
E
H
D
G
F
K
I J
16 A
60 V
25 V
60 V
4.0 V
230 W @ T
C
= 25
O
C
-65℃至+ 200C
-65
O
C至+150
O
C
1.1
O
C / W
O
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
.980 / 24.89
.970 / 24.64
.495 / 12.57
.003 / 0.08
.090 / 2.29
.150 / 3.81
.245 / 6.22
.720 / 18.28
.125 / 3.18
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.220 / 5.59
.125 / 3.18
.230 / 5.84
.255 / 6.48
.7.30 / 18.54
.980 / 24.89
.505 / 12.83
.007 / 0.18
.110 / 2.79
.175 / 4.45
.280 / 7.11
1.050 / 26.67
订货编号： ASI10588
O
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
T
C
= 25 C
NONETEST
条件
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 100毫安
I
E
= 20毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 150 W
I
C
= 1.0 A
F = 1.0 MHz的
F = 108兆赫
R
BE
= 10
最小典型最大
60
55
25
4.0
20
150
140
9.0
65
单位
V
V
V
V
---
pF
dB
%
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
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