FMA3051
12.5-15.5 GH
Z
MMIC
室内运动场
P
OWER
A
MPLIFIER
F
EATURES
35分贝增益
30 dBm的P
1dB
在6 V ， 1.2 A输出功率
40 dBm的OIP3
PHEMT技术
片上输出功率检测器
5× 3平方毫米管芯
试点数据表V2.1
F
UNCTIONAL
S
电气原理
D1 D2 D3 D4
在RF
G2 G3 G4
D1 D2 D3 D4
RF OUT
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该FMA3051是一种高性能
12.5-15.5 GHz的砷化镓单片
放大器。它适合于在点对使用
点对多点通信， SAT- COM和
电子战的应用。模具是
制造使用费尔多尼克0.25微米工艺。
平衡设计提供了高输出功率
低收益的损失。功率检测
实现了与芯片上耦合检测器
与二极管的参考电压相关。该
电路的直流阻断在两个RF输入和
RF输出。
G2 G3 G4
DET
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
点至点收音机
点对多点广播
SAT -COM
电子战
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
P
ARAMETER
小信号增益
输入回波损耗
输出反射
损失
在输出功率
1dB压缩
点
输出IP3
漏电流
典型的浇口
电压
注：t
环境
= + 25 ° C，Z
0
= 50Ω
用于晶圆上测量性能
C
ONDITIONS
12.5-15.5 GHz时， VD = 6 V ， 1200毫安
12.5-15.5 GHz时， VD = 6 V ， 1200毫安
12.5-15.5 GHz时， VD = 6 V ， 1200毫安
12.5-15.5 GHz时， VD = 6 V ， 1200毫安
M
IN
32
T
YP
35
-12
-15
M
AX
36
-10
-12
35
U
尼特
dB
dB
dB
DBM
30
33
12.5-15.5 GHz时， VD = 6 V ， 1200毫安
6.0 V
800
-0.5
40
1100
-0.4
1400
-0.3
DBM
mA
V
1
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FMA3051
试点数据表V2.1
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
:
P
ARAMETER
最大输入
动力
漏
电压
操作
温度
存储
温度
S
YMBOL
针
VDD
豪饮者
Tstor
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
+20dBm
+10V
-40 ° C至
+85°C
-55°C至
+150°C
P
AD
R
EF
A
B
C
D
E
F
G
H
注：超过这些绝对的任何一个
最大额定值可能会造成永久性的
损坏设备。
P
AD
N
AME
IN
S1B
D1B
D2B
S2B
G2B
G3B
G4B
S3B
D3B
B
S4B
D4B
B
OUT
DET
Q1
S5
D4B
A
S4A
D3B
A
S3A
G4A
G3A
G2A
S2A
D2A
D1A
S1A
D
ESCRIPTION
在RF
GND
VD1偏南部
VD2偏南部
GND
VG2偏南部
VG3偏南部
VG4偏南部
GND
VD3偏南部
GND
VD4偏南部
RF OUT
检测电源电压
基准电压二极管
探测器
GND
VD4偏北方
GND
VD3偏北方
GND
VG4偏北方
VG3偏北方
VG2偏北方
GND
VD2偏北方
VD1偏北方
GND
I
J
K
L
P
AD
L
AYOUT
:
AA旋转Z Y x宽V ü牛逼
S R
Q
P ON
M
N
O
P
Q
A
B C DE
F GH
I
与信
L
M
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
D
IE
S
IZE
(μm)
5100 x 3000
D
IE
T
HICKNESS
(μm)
100
M
IN
. B
OND
P
AD
P
痒
(μm)
150
M
IN
. B
OND PAD
O
PENING
（微米×
μm
)
92 x 92
2
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FMA3051
试点数据表V2.1
T
YPICAL
P
ERFORMANCE
F
OR
O
N
-W
AFER
M
EASUREMENTS
:
注意：测量条件我
D
= 1100毫安，V
DD
= 6V ，T
环境
= 25°C.
收益
200
每片晶圆的样本量
在1dB压缩点的输出功率
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
12.7 GHz的
14 GHz的
15.35 GHz的
40
35
S21 （ dB）的
30
25
20
15
10
5
0
12
13
14
频率（GHz ）
15
16
28
29
30
31
32
33
34
35
输出P1dB为（ DBM）
输入回波损耗
0
-5
S11（ dB）的
S22 （ dB）的
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
输出回波损耗
-10
-15
-20
-25
-30
12
13
14
频率（GHz ）
15
16
12
13
14
频率（GHz ）
15
16
3
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FMA3051
试点数据表V2.1
B
IASING
C
IRCUIT
S
电气原理
:
南北分别施力，仅在一侧被表示。请参阅
下面的表面装配图安装元件的位置。
D3
BOND
VDD
BOND
C1
C2
VDD
Vg
BOND
C1
C2
BOND
BOND
BOND
C1
VDD
D1 D2
D4
C2
G2 G3 G4
BOND
C2
BOND
C3
L1
C1
4.5 V
R1
DET PAD
R2
检测电压
Q1 PAD
参考电压
R1
R2
4.5 V
R
指南
C1
C2
C3
L1
BOND
R1
R2
C
OMPONENT
D
ESCRIPTION
电容为100 nF ，表面贴装0402
电容器100pF的单层，在环氧中空腔
电容10nF的，表面贴装0402
电感器， 10 nH的，表面贴装0402
键合线
电阻为1kΩ ，表面贴装0402
电阻器， 1.5 kΩ的，表面贴装0402
Q
UANTITY
8
8
2
2
–
2
2
4
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试点数据表V2.1
A
SSEMBLY
D
IAGRAM
因此建议该射频连接采用接合线具有25μm的直径和一个作
为300μm的最大长度。
C2
C2
C2
C2
AA
Z
Y X
W
V
U
T
S
R
Q
P
0：N
A
B
C
D
E
F
摹
I
J
K
L
M
C2
C2
C2
C2
5
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