FMA3019QFN
H
室内运动场
L
INEARITY
I
NTEGRATED
B
宠辱不惊
A
MPLIFIER
M
ODULE
F
EATURES
(1.7-2.0GH
Z
):
初步数据表V2.1
B
OARD
P
HOTOGRAPH
:
平衡式低噪声放大器模块
无需外部耦合器
优秀的42 dBm的输出IP3
28.5 dBm的输出功率（ P1dB为）
优良的回波损耗（ RL ） ： -25dB
14分贝小信号增益（ SSG）的
1.7分贝噪声系数
6 V电源（ 380毫安电流）
成本效益的足迹：采用4mm x 4mm QFN封装
6毫米x 6mm的评估板可用
符合RoHS （ 2002/95 / EC指令）
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
:
该BA2250QFN MMIC模块是一个自
偏见，集成和封装的平衡
放大器安装在6x6毫米
2
FR4板。
有源器件是一对假晶的
高电子迁移率晶体管（ pHEMT制）
特别是
优化
为
均衡
配置系统。该费尔多尼克0.25微米
过程
保证
同级车中领先
噪音
性能。
使用小尺寸
塑料封装设计，具有成本效益的总
系统实施。
T
YPICAL
A
PPLICATIONS
:
无线基础设施：建筑安装
放大器和前端的低噪声放大器
EGSM / PCS / WCDMA / UMTS基站
高拦截点低噪声放大器
E
LECTRICAL
S
PECIFICATIONS
:
P
ARAMETER
频率
最小噪声科幻gure
输入三阶截取点
S
YMBOL
频率
NF
IIP3
C
ONDITIONS
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
M
IN
1.7
1.75
27.5
T
YP
1.85
1.8
28.5
M
AX
2
2.1
30
U
尼特
GHz的
dB
DBM
小信号增益
小信号输入回波损耗
小信号输出回波损耗
功率1分贝增益压缩
SSG
S11
S22
P1dB
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
VDS = 6.0 V ; IDS = 380毫安
13
-30
-40
28
14
-25
-30
28.5
14.3
-20
-25
29
dB
dB
dB
DBM
注：t
环境
= 22°C
1
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
费尔多尼克化合物半导体有限公司
传真： +44 （ 0 ） 1325 306177
电子邮件： sales@filcs.com
电话：+44 （ 0 ） 1325 301111
网址：
www.filtronic.com
FMA3019QFN
初步数据表V2.1
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
阿婷
1
:
P
ARAMETER
漏源电压
通道工作温度
储存温度
S
YMBOL
VDS
总胆固醇
TSTG
T
美东时间
C
ONDITIONS
6
在任何可以接受的偏置状态
非工作存储
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
9V
175°C
-55 ° C至150℃
注意事项：
1.
T
环境
= 22 ° C除非另有说明;超过这些绝对最大额定值的任何一个可能
对器件造成永久性损坏
对QFN封装风格的安装，以获得最佳的散热性能信息，请访问
请求。
2.
B
IASING
G
UIDELINE
:
该BA2250QFN模块是一个自偏置电路，其采用的RF -旁路源电阻，以
提供负栅 - 源极偏置电压，并且这些电路提供一定温度
稳定的设备
T
YPICAL
M
EASURED
P
ERFORMANCE
O
N
E
估价
B
OARD
:
S21 （ dB）的
18
15
12
9
6
3
0
0.5
0
-10
-20
-30
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
-40
0.5
S11
S22
回波损耗（分贝）
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
3
NF（ dB）的
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.6
30
29
28
27
26
25
1.7
IIP3 （ dBm的）
1.7 1.8 1.9
2
频率（GHz ）
2.1
1.8
1.9
频率（GHz ）
2
注： NF可以优化打印的感性元素居中
2
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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FMA3019QFN
初步数据表V2.1
R
指南
D
ESIGN
(1.7-2GH
Z
):
C
OMPONENT
C1,C2
QFN
评估和演示板材料
(1.7-2)GH
Z
为1pF （ 0603 ）
4×4 QFN封装
6×6毫米RF4板（0.8毫米厚的1/2盎司铜两侧和印刷电感）
E
估价
B
OARD
L
AYOUT
(D
RAWINGS可根据要求提供
):
VD1
C1
4x4QFN
包
SMA
连接器
RFIN
RFOUT
SMA
连接器
C2
VD2
S
IMPLIFIED
M
ODULE
S
电气原理
:
2
FSS25_SSpHEMT
1
SUBCKT
ID =耦合器
3
2
1
PORT
P=1
INDQ
INDQ
3
水库
帽
3
2
2
SUBCKT
ID =耦合器
1
PORT
P=2
1
INDQ
FSS25_SSpHEMT
3
INDQ
水库
帽
3
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FMA3019QFN
初步数据表V2.1
P
ACKAGE
O
UTLINE
:
（尺寸以毫米为单位 - 毫米）
销Identi科幻器
0.4
4±0.05
0.5
SLP 24L
4X4
2.75
底部视图
4±0.05
顶视图
0.9
0.5
SIDE VIEW
P
简称
A
SSEMBLY
I
NSTRUCTIONS
:
请
联系
费尔多尼克
复合
半导体公司的进一步细节。
A
PPLICATION
N
OTES
＆放大器;
ESIGN
D
ATA
:
应用笔记和设计数据，包括S-
参数可用;请联系
费尔多尼克化合物半导体有限公司
H
ANDLING
P
RECAUTIONS
:
为避免损坏
该
器件
CARE
应该行使
中
处理。
正确
静电
放电
（ ESD ）
预防措施应在各阶段可观察
仓储，装卸，组装和测试。
这些装置应被视为1A类
（ 0-500 V）作为JEDEC标准中定义号
22 - A114 。在ESD控制的更多信息
措施可以发现在MIL -STD- 1686和
MIL-HDBK-263.
D
ISCLAIMERS
:
本产品不适合在任何使用
基于空间或维持生命/支持
设备。
O
RDERING
I
载文信息
:
P
艺术
N
棕土
FMA3019QFN-EB
D
ESCRIPTION
打包平衡MMIC LNA
评估板
4
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