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预生产
FM25V10
1Mb的串行3V F-RAM存储器
特点
1M位的非易失性铁电RAM
组织为131,072 ×8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
写保护方案
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
设备ID读出制造商ID &部分ID
唯一的序列号( FM25VN10 )
低电压,低功耗
低工作电压2.0V - 3.6V
90
A
待机电流(典型值)。
5
A
睡眠模式电流(典型值)。
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM25V10是1兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25V10执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始,而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了非常高的写
耐力,比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外, F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25V10理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的工业
其中,控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25V10提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该设备使用了高速SPI总线,这
提高F-RAM的高速写入能力
这是在发展的预产期的产物。设备
鉴定完成, Ramtron公司并不期望改变
规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知
规格更改。
技术。该FM25VN10提供了一个独特的
是只读的,并且可以用于序列号
识别电路板或系统。这两款器件集成
一个只读的设备ID是允许主机
确定生产商,产品密度,并
产品版本。这些器件保证了一个多
工业级温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
引脚配置
S
Q
W
VSS
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器,科罗拉多斯普林斯,CO 80921
( 800 ) 545 - FRAM , ( 719 ) 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版2.0
2010年5月
第16页1
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
W
S
HOLD
C
指令译码
时钟发生器
控制逻辑
写保护
16384 x 64
FRAM阵列
指令寄存器
地址寄存器
计数器
D
17
8
Q
数据I / O寄存器
3
非易失性状态
注册
图1.框图
引脚说明
引脚名称
/S
I / O
输入
描述
片选:此低电平输入激活的设备。当高,器件进入
低功耗待机模式,忽略了其他的投入,以及所有输出三态。当
低电平时,器件内部激活C信号。上/ S的下降沿必须发生之前
每个操作码。
串行时钟:所有的I / O活动的同步串行时钟。输入锁存
在下降沿的上升沿和输出发生。由于该设备是静止的,则
时钟频率可以是0和40 MHz之间的任何值,并且可以在被中断
任何时间。
持有:在/ HOLD引脚用于当主机CPU必须中断存储操作
另一项任务。当/ HOLD为低电平,当前操作被暂停。该装置
忽略了对C或/ S的任何过渡。上/ HOLD所有过渡必须发生,而C为低。
该引脚都具有内部弱上拉(见
IN
规格,第11页) 。然而,如果它没有被使用,
在/ HOLD引脚应连接到V
DD
.
写保护:此低电平有效防止脚写操作状态寄存器
只。提供6页和第7写保护的完整说明,如果是
不使用时, / W引脚应连接到V
DD
.
串行输入:所有的数据输入到该引脚上的设备。该引脚被采样到
上升的C边缘,在其他时间被忽略。它应该总是被驱动为有效的
逻辑电平,以满足我
DD
特定连接的阳离子。
* D可以连接至Q的单针数据接口。
串行输出:这是数据输出引脚。在读它的驱动并保持三
在其他时间,包括时/ HOLD低说明。数据转换是在驱动
串行时钟的下降沿。
* Q可以被连接到D为单个引脚的数据接口。
电源
C
输入
/ HOLD
输入
/W
D
输入
输入
Q
产量
VDD
VSS
供应
供应
修订版2.0
2010年5月
第16页2
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
概观
该FM25V10是一个串行F-RAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为131072 ×8
并且使用一个工业标准的串行存取
外设接口或SPI总线。功能操作
在F -RAM是类似于串行闪存。主要
该FM25V10和串行Flash之间的差异
用相同的引脚是F-RAM “超群的写
性能,极高的耐用性和更低的功耗
消费。
内存架构
当访问FM25V10 ,用户地址
128K的位置,每行8个数据位。这些数据位是
串行移位。该地址被使用访问
SPI协议,它包括一个芯片选择(容许
总线上的多个设备) ,操作码,以及一个三
字节地址。的17位的完整地址
指定唯一的每个字节的地址。
该FM25V10的任何控制大部分功能
通过SPI接口或通过自动处理
板载电路。对存储器的存取时间
操作基本上是零,超出所需要的时间
用于串行协议。即,存储器读出或
写在SPI总线的速度。不同于系列
闪光灯,这是没有必要的轮询器件的准备
因为写状态出现在总线速度。所以,由
一次新的总线事务可以被移入
装置中,在写入操作就完成了。这是
在接口部分更详细地解释。
用户希望从几个明显的系统优势
由于其快速的写入周期和高的FM25V10
续航能力相比,串行闪存。此外
也有不太明显的好处。例如
在高噪声的环境中,在快速的写操作
不易受腐败比串行闪存
因为它是很快完成。与此相反,串行
闪存需要毫秒写很容易受到
在多周期的噪声。
协议概述
SPI接口是一个同步串行接口
利用时钟和数据引脚。它的目的是支持
在总线上的多个设备。每一个设备被激活
使用片选。当片选是通过激活
总线主机时, FM25V10将开始监测
的时钟线和数据线。之间的关系
落下/ S的边缘,时钟和数据是通过口授
在SPI模式。该设备将作出裁决
在每个芯片的下降沿的SPI模式的
选择。而有四个这样的模式,该
FM25V10仅支持模式0和3。图2
显示了模式0所需的信号关系
和3.两种模式下,数据被移入
FM25V10上C和数据的上升沿是
预计在第一个上升沿后/ S变为有效。
如果时钟开始从高状态,它将落在前
为了创建第一升起的第一数据传输
边缘。
SPI协议是由操作码控制。这些
操作码中指定的命令的设备。后
/ S被激活从总线传输的第一个字节
主是操作码。下面的操作码,任何
地址和数据,然后转移。
某些操作码都没有后续命令
数据传输。在/ S必须后变为无效
操作完成后和一个新的操作码罐之前
签发。有一个有效的操作码唯一的单位活性
片选。
SPI模式0 : CPOL = 0 , CPHA = 0
串行外设接口 - SPI总线
该FM25V10采用串行外设接口
( SPI)总线。它被指定为速度高达操作
40MHz的。这种高速串行总线提供了高
到主机性能的串行通信
微控制器。许多常见的微控制器
有硬件SPI端口,允许直接接口。
这是很简单的使用普通模拟端口
端口引脚微控制器没有。该
FM25V10工作在SPI模式0和3 。
SPI模式3 : CPOL = 1 , CPHA = 1
图2. SPI模式0 & 3
修订版2.0
2010年5月
第16页3
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
系统接线图
SPI接口使用一共有四个引脚时钟,
数据输入,数据输出和片选。一个典型的系统
配置使用的一个或多个FM25V10设备
与微控制器具有专门的SPI端口,
如图3所示。此外,时钟,输入数据,
和数据输出引脚是所有设备中常见的。
片选和HOLD引脚必须驱动
分别为每个FM25V10设备。
对于微控制器不具有专用的SPI总线,一个
通用端口都可以使用。为了减少
控制器上的硬件资源,所以能够
连接两个数据引脚连接在一起,并配合关闭
抱脚。图4示出了使用配置
只有三个引脚。
图3兆比特( 256KB ),系统配置与SPI端口
没有SPI端口图4.系统配置
修订版2.0
2010年5月
第16页4
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
功率可达首次访问
该FM25V10不是一段时间访问
(t
PU
)上电后。用户必须遵守
时序参数t
PU
,这是最小的时间
从V
DD
(分钟)第一/ S低。
数据传输
所有的数据传输和从FM25V10发生在
8位组。它们是同步的时钟
信号(C) ,以及它们传送最显著位
( MSB)在前。串行输入已注册的上升
C.产出的边缘是从下降沿驱动
时钟C.
命令结构
有10名为命令操作码,可以
总线主机的FM25V10发行。他们是
在下表中列出。这些操作码控制
功能的内存中执行。它们可以是
分为三类。第一,有
有没有后续操作的命令。他们
执行单个功能,诸如能在一个写
操作。第二后跟1的命令
字节,或进或出。他们的工作状态
注册。第三组包括用于命令
随后地址和一个或存储器事务
多字节的数据。
表1.操作码指令
名字
描述
设置写使能锁存
雷恩
写禁止
WRDI
读状态寄存器
RDSR
写状态寄存器
WRSR
读取内存数据
FSTRD
快速读取内存数据
写存储器数据
进入睡眠模式
睡觉
读取设备ID
RDID
阅读S / N
SNR
操作码
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
1011
1001
1100
0110b
0100b
0101b
0001b
0011b
1011b
0010b
1001b
1111b
0011b
清除该写使能锁存器,并防止进一步
不写又WREN命令。图5
下面说明了WREN命令总线
配置。
S
0
C
1
2
3
4
5
6
7
D
Q
0
0
0
0
0
高阻
1
1
0
图5.雷恩总线配置
WRDI - 写禁止
该WRDI命令禁止所有写入操作由
清除写使能锁存器。用户可以验证
该写操作通过读取WEL位禁止
状态寄存器和验证WEL = 0 。
图6示出了WRDI指令总线
配置。
S
0
C
1
2
3
4
5
6
7
D
Q
0
0
0
0
0
高阻
1
0
0
图6. WRDI总线配置
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机
验证状态寄存器的内容。阅读
状态提供了有关当前状态的信息
的写保护功能。继
RDSR操作码,该FM25V10会返回一个字节
与状态寄存器的内容。状态
寄存器进行详细在下面的部分中描述。
雷恩 - 将写使能锁存
该FM25V10将启动禁用写入。
该WREN命令之前,必须出具任何
写操作。发送WREN操作码会
允许用户发出随后的操作码进行写
操作。这些措施包括写状态寄存器
( WRSR)和写入内存(写)。
发送WREN操作码导致内部写
使能锁存器进行设置。在状态标志位
注册名为WEL ,表示锁存器的状态。
WEL = 1表示写操作是允许的。
试图写入的状态WEL位
寄存器对该位的状态没有影响。
完成任何写操作都会自动
修订版2.0
2010年5月
第16页5
FM25V10
1Mb的串行3V F-RAM存储器
特点
1M位的非易失性铁电RAM
组织为131,072 ×8位
高耐用性100万亿美元( 10
14
)读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 ( CPOL , CPHA = 0,0 & 1,1 )
写保护方案
硬件保护
软件保护
器件ID和序列号
设备ID读出制造商ID &部分ID
唯一的序列号( FM25VN10 )
低电压,低功耗
低工作电压2.0V - 3.6V
90 ,待机电流(典型值)。
5睡眠模式电流(典型值)。
行业标准配置
工业级温度-40°C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的SOIC封装
描述
该FM25V10是1兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性,开销,并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25V10执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始,而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了非常高的写
耐力,比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外, F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25V10理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集,在那里数
写周期可能是至关重要的,要求苛刻的工业
其中,控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25V10提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该设备使用了高速SPI总线,这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。该FM25VN10提供了一个独特的
是只读的,并且可以用于序列号
识别电路板或系统。这两款器件集成
一个只读的设备ID是允许主机
确定生产商,产品密度,并
产品版本。这些器件保证了一个多
工业级温度范围为-40 ° C至+ 85°C 。
引脚配置
S
Q
W
VSS
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压
本产品符合每Ramtron公司标准保修条款的规范。该产品已完成了Ramtron的
内部资格测试,并达到生产状态。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-84499修订版**
198冠军苑
圣何塞,加利福尼亚95134-1709 408-943-2600
修订后的2013年2月25日
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
W
S
HOLD
C
指令译码
时钟发生器
控制逻辑
写保护
16384 x 64
FRAM阵列
指令寄存器
地址寄存器
计数器
D
17
8
Q
数据I / O寄存器
3
非易失性状态
注册
图1.框图
引脚说明
引脚名称
/S
I / O
输入
描述
片选:此低电平输入激活的设备。当高,器件进入
低功耗待机模式,忽略了其他的投入,以及所有输出三态。当
低电平时,器件内部激活C信号。上/ S的下降沿必须发生之前
每个操作码。
串行时钟:所有的I / O活动的同步串行时钟。输入锁存
在下降沿的上升沿和输出发生。由于该设备是静止的,则
时钟频率可以是0和40 MHz之间的任何值,并且可以在被中断
任何时间。
持有:在/ HOLD引脚用于当主机CPU必须中断存储操作
另一项任务。当/ HOLD为低电平,当前操作被暂停。该装置
忽略了对C或/ S的任何过渡。上/ HOLD所有过渡必须发生,而C为低。
该引脚都具有内部弱上拉(见
IN
规格,第11页) 。然而,如果它没有被使用,
在/ HOLD引脚应连接到V
DD
.
写保护:此低电平有效防止脚写操作状态寄存器
只。提供6页和第7写保护的完整说明,如果是
不使用时, / W引脚应连接到V
DD
.
串行输入:所有的数据输入到该引脚上的设备。该引脚被采样到
上升的C边缘,在其他时间被忽略。它应该总是被驱动为有效的
逻辑电平,以满足我
DD
特定连接的阳离子。
* D可以连接至Q的单针数据接口。
串行输出:这是数据输出引脚。在读它的驱动并保持三
在其他时间,包括时/ HOLD低说明。数据转换是在驱动
串行时钟的下降沿。
* Q可以被连接到D为单个引脚的数据接口。
电源
C
输入
/ HOLD
输入
/W
输入
D
输入
Q
产量
VDD
VSS
供应
供应
文件编号: 001-84499修订版**
第17页2
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
概观
该FM25V10是一个串行F-RAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为131072 ×8
并且使用一个工业标准的串行存取
外设接口或SPI总线。功能操作
在F -RAM是类似于串行闪存。主要
该FM25V10和串行Flash之间的差异
用相同的引脚是F-RAM “超群的写
性能,极高的耐用性和更低的功耗
消费。
内存架构
当访问FM25V10 ,用户地址
128K的位置,每行8个数据位。这些数据位是
串行移位。该地址被使用访问
SPI协议,它包括一个芯片选择(容许
总线上的多个设备) ,操作码,以及一个三
字节地址。的17位的完整地址
指定唯一的每个字节的地址。
该FM25V10的任何控制大部分功能
通过SPI接口或通过自动处理
板载电路。对存储器的存取时间
操作基本上是零,超出所需要的时间
用于串行协议。即,存储器读出或
写在SPI总线的速度。不同于系列
闪光灯,这是没有必要的轮询器件的准备
因为写状态出现在总线速度。所以,由
一次新的总线事务可以被移入
装置中,在写入操作就完成了。这是
在接口部分更详细地解释。
用户希望从几个明显的系统优势
由于其快速的写入周期和高的FM25V10
续航能力相比,串行闪存。此外
也有不太明显的好处。例如
在高噪声的环境中,在快速的写操作
不易受腐败比串行闪存
因为它是很快完成。与此相反,串行
闪存需要毫秒写很容易受到
在多周期的噪声。
协议概述
SPI接口是一个同步串行接口
利用时钟和数据引脚。它的目的是支持
在总线上的多个设备。每一个设备被激活
使用片选。当片选是通过激活
总线主机时, FM25V10将开始监测
的时钟线和数据线。之间的关系
落下/ S的边缘,时钟和数据是通过口授
在SPI模式。该设备将作出裁决
在每个芯片的下降沿的SPI模式的
选择。而有四个这样的模式,该
FM25V10仅支持模式0和3。图2
显示了模式0所需的信号关系
和3.两种模式下,数据被移入
FM25V10上C和数据的上升沿是
预计在第一个上升沿后/ S变为有效。
如果时钟开始从高状态,它将落在前
为了创建第一升起的第一数据传输
边缘。
SPI协议是由操作码控制。这些
操作码中指定的命令的设备。后
/ S被激活从总线传输的第一个字节
主是操作码。下面的操作码,任何
地址和数据,然后转移。
某些操作码都没有后续命令
数据传输。在/ S必须后变为无效
操作完成后和一个新的操作码罐之前
签发。有一个有效的操作码唯一的单位活性
片选。
SPI模式0 : CPOL = 0 , CPHA = 0
S
C
D
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
串行外设接口 - SPI总线
该FM25V10采用串行外设接口
( SPI)总线。它被指定为速度高达操作
40MHz的。这种高速串行总线提供了高
到主机性能的串行通信
微控制器。许多常见的微控制器
有硬件SPI端口,允许直接接口。
这是很简单的使用普通模拟端口
端口引脚微控制器没有。该
FM25V10工作在SPI模式0和3 。
SPI模式3 : CPOL = 1 , CPHA = 1
S
C
D
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
图2. SPI模式0 & 3
文件编号: 001-84499修订版**
第17页3
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
系统接线图
SPI接口使用一共有四个引脚时钟,
数据输入,数据输出和片选。一个典型的系统
配置使用的一个或多个FM25V10设备
与微控制器具有专门的SPI端口,
如图3所示。此外,时钟,输入数据,
和数据输出引脚是所有设备中常见的。
片选和HOLD引脚必须驱动
分别为每个FM25V10设备。
对于微控制器不具有专用的SPI总线,一个
通用端口都可以使用。为了减少
控制器上的硬件资源,所以能够
连接两个数据引脚连接在一起,并配合关闭
抱脚。图4示出了使用配置
只有三个引脚。
SCK
MOSI
MISO
Q
D
C
Q
D
C
SPI
微控制器
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
FM25V10
S
HOLD
FM25V10
S
HOLD
MOSI :主出从入
MISO :主入从出
SS :从机选择
图3兆比特( 256KB ),系统配置与SPI端口
P1.0
P1.1
微控制器
Q
D
C
FM25V10
S
P1.2
HOLD
没有SPI端口图4.系统配置
文件编号: 001-84499修订版**
第17页4
FM25V10 - 1Mb的SPI FRAM
功率可达首次访问
该FM25V10不是一段时间访问
(t
PU
)上电后。用户必须遵守
时序参数t
PU
,这是最小的时间
从V
DD
(分钟)第一/ S低。
数据传输
所有的数据传输和从FM25V10发生在
8位组。它们是同步的时钟
信号(C) ,以及它们传送最显著位
( MSB)在前。串行输入已注册的上升
C.产出的边缘是从下降沿驱动
时钟C.
命令结构
有10名为命令操作码,可以
总线主机的FM25V10发行。他们是
在下表中列出。这些操作码控制
功能的内存中执行。它们可以是
分为三类。第一,有
有没有后续操作的命令。他们
执行单个功能,诸如能在一个写
操作。第二后跟1的命令
字节,或进或出。他们的工作状态
注册。第三组包括用于命令
随后地址和一个或存储器事务
多字节的数据。
表1.操作码指令
名字
描述
设置写使能锁存
雷恩
写禁止
WRDI
读状态寄存器
RDSR
写状态寄存器
WRSR
读取内存数据
FSTRD
快速读取内存数据
写存储器数据
进入睡眠模式
睡觉
读取设备ID
RDID
阅读S / N
SNR
完成任何写操作都会自动
清除该写使能锁存器,并防止进一步
不写又WREN命令。图5
下面说明了WREN命令总线
配置。
S
0
C
1
2
3
4
5
6
7
D
Q
0
0
0
0
0
高阻
1
1
0
图5.雷恩总线配置
WRDI - 写禁止
该WRDI命令禁止所有写入操作由
清除写使能锁存器。用户可以验证
该写操作通过读取WEL位禁止
状态寄存器和验证WEL = 0 。
图6示出了WRDI指令总线
配置。
S
操作码
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
1011
1001
1100
0110b
0100b
0101b
0001b
0011b
1011b
0010b
1001b
1111b
0011b
C
0
1
2
3
4
5
6
7
D
Q
0
0
0
0
0
高阻
1
0
0
图6. WRDI总线配置
RDSR - 读状态寄存器
该RDSR命令允许总线主机
验证状态寄存器的内容。阅读
状态提供了有关当前状态的信息
的写保护功能。继
RDSR操作码,该FM25V10会返回一个字节
与状态寄存器的内容。状态
寄存器进行详细在下面的部分中描述。
雷恩 - 将写使能锁存
该FM25V10将启动禁用写入。
该WREN命令之前,必须出具任何
写操作。发送WREN操作码会
允许用户发出随后的操作码进行写
操作。这些措施包括写状态寄存器
( WRSR)和写入内存(写)。
发送WREN操作码导致内部写
使能锁存器进行设置。在状态标志位
注册名为WEL ,表示锁存器的状态。
WEL = 1表示写操作是允许的。
试图写入的状态WEL位
寄存器对该位的状态没有影响。
文件编号: 001-84499修订版**
第17页5
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