预生产
FM25H20
2MB串行3V F-RAM存储器
特点
2M位的非易失性铁电RAM
组织为256K ×8位
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 （ CPOL ， CPHA = 0,0 & 1,1 ）
写保护方案
硬件保护
软件保护
低功耗
低工作电压2.7V - 3.6V
睡眠模式电流3
A
（典型值）。
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC封装
描述
该FM25H20是2兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性，开销，并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25H20执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始，而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了几乎无限的写入
耐力，比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外， F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25H20理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集，在那里数
写周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业
其中，控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25H20提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该FM25H20采用高速SPI总线，这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。设备规格有保证
在-40 ° C至工业级温度范围
+85°C.
这是在发展的预产期的产物。设备
鉴定完成， Ramtron公司并不期望改变
规格。 Ramtron公司将发行如果有一个产品变更通知
规格更改。
引脚配置
顶视图
/S
Q
/W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
C
D
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
引脚排列等同于其他SPI F- RAM器件。
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压（2.7 3.6V ）
地
订购信息
FM25H20-DG
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN
FM25H20-DGTR
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN ，
磁带&卷轴
FM25H20-G
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC
FM25H20-GTR
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ
SOIC ，磁带卷&
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
2.2版
2010年9月
分页： 15 1
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
W
S
HOLD
C
指令译码
时钟发生器
控制逻辑
写保护
32768 x 64
FRAM阵列
指令寄存器
地址寄存器
计数器
D
18
8
数据I / O寄存器
3
非易失性状态
注册
Q
图1.框图
引脚说明
引脚名称
/S
I / O
输入
描述
片选：此低电平输入激活的设备。当高，器件进入
低功耗待机模式，忽略了其他的投入，以及所有输出三态。当
低电平时，器件内部激活C信号。上/ S的下降沿必须发生之前
每个操作码。
串行时钟：所有的I / O活动的同步串行时钟。输入锁存
在下降沿的上升沿和输出发生。由于该设备是静止的，则
时钟频率可以是0和40 MHz之间的任何值，并且可以在被中断
任何时间。
持有：在/ HOLD引脚用于当主机CPU必须中断存储操作
另一项任务。当/ HOLD为低电平，当前操作被暂停。该装置
忽略了对C或/ S的任何过渡。上/ HOLD所有过渡必须发生，而C为低。
写保护：此低电平有效引脚防止写入操作只能在状态
注册。提供6和第7页写保护的完整解释。
串行输入：所有的数据输入到该引脚上的设备。该引脚被采样到
上升的C边缘，在其他时间被忽略。它应该总是被驱动为有效的
逻辑电平，以满足我
DD
特定连接的阳离子。
* D可以连接至Q的单针数据接口。
串行输出：这是数据输出引脚。在读它的驱动并保持三
在其他时间，包括时/ HOLD低说明。数据转换是在驱动
串行时钟的下降沿。
* Q可以被连接到D为单个引脚的数据接口。
电源（ 2.7V至3.6V ）
地
C
输入
/ HOLD
/W
D
输入
输入
输入
Q
产量
VDD
VSS
供应
供应
2.2版
2010年9月
分页： 15 2
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
图2： 512KB系统配置与SPI端口
没有SPI接口图3.系统配置
SPI模式0 ： CPOL = 0 ， CPHA = 0
SPI模式3 ： CPOL = 1 ， CPHA = 1
图4. SPI模式0 & 3
2.2版
2010年9月
第15 4
预生产
FM25H20
2MB串行3V F-RAM存储器
特点
2M位的非易失性铁电RAM
组织为256K ×8位
高耐用性100万亿美元（ 10
14
）读/写操作
10年的数据保存
无需等待的写入
先进的高可靠性铁电工艺
非常快的串行外设接口 - SPI
高达40 MHz的频率
直接的硬件更换为串行闪存
SPI模式0 & 3 （ CPOL ， CPHA = 0,0 & 1,1 ）
写保护方案
硬件保护
软件保护
低功耗
低工作电压2.7V - 3.6V
睡眠模式电流3 A（典型值）。
行业标准配置
工业级温度-40°C至+ 85°C
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN封装
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC封装
描述
该FM25H20是2兆位非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或F -RAM是
非易失性和执行读取和写入像
内存。它提供可靠的数据保持10年
同时消除了复杂性，开销，并且
造成串行系统级可靠性问题
Flash等非易失性存储器。
与串行闪存的FM25H20执行写
操作以总线速度。没有写入延迟发生。
数据立即被写入到存储器阵列
后已经传送到该设备。下一个
总线周期可以开始，而不需要对数据进行
轮询。该产品提供了几乎无限的写入
耐力，比数量级的更多的耐力
串行闪存。此外， F-RAM具有低功耗
消耗比串行闪存。
这些功能使得FM25H20理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入或低功耗操作。示例
范围内的数据的收集，在那里数
写周期可能是至关重要的，要求苛刻的工业
其中，控制串行闪存的写长的时间可以
导致数据丢失。
该FM25H20提供了实实在在的好处给用户
串行闪存的硬件简易替换。
该FM25H20采用高速SPI总线，这
提高F-RAM的高速写入能力
技术。设备规格有保证
在-40 ° C至工业级温度范围
+85°C.
引脚配置
顶视图
/S
Q
/W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
/ HOLD
C
D
S
Q
W
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VDD
HOLD
C
D
引脚排列等同于其他SPI F- RAM器件。
引脚名称
/S
/W
/ HOLD
C
D
Q
VDD
VSS
功能
芯片选择
写保护
HOLD
串行时钟
串行数据输入
串行数据输出
电源电压（2.7 3.6V ）
地
订购信息
FM25H20-DG
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN
FM25H20-DGTR
8引脚“绿色” / RoHS指令的TDFN ，
磁带&卷轴
FM25H20-G
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ SOIC
FM25H20-GTR
8引脚“绿色” / RoHS指令EIAJ
SOIC ，磁带卷&
这是在发展的预产期的产物。器件特性是完整的， Ramtron公司并不期望
改变它的规格。 Ramtron公司会发出产品变更通知（如果有）规范的更改。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-85935修订版**
198冠军苑
圣何塞，加利福尼亚95134-1709 408-943-2600
修订后的2013年3月7日
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
W
S
HOLD
C
指令译码
时钟发生器
控制逻辑
写保护
32768 x 64
FRAM阵列
指令寄存器
地址寄存器
计数器
D
18
8
数据I / O寄存器
3
非易失性状态
注册
Q
图1.框图
引脚说明
引脚名称
/S
I / O
输入
描述
片选：此低电平输入激活的设备。当高，器件进入
低功耗待机模式，忽略了其他的投入，以及所有输出三态。当
低电平时，器件内部激活C信号。上/ S的下降沿必须发生之前
每个操作码。
串行时钟：所有的I / O活动的同步串行时钟。输入锁存
在下降沿的上升沿和输出发生。由于该设备是静止的，则
时钟频率可以是0和40 MHz之间的任何值，并且可以在被中断
任何时间。
持有：在/ HOLD引脚用于当主机CPU必须中断存储操作
另一项任务。当/ HOLD为低电平，当前操作被暂停。该装置
忽略了对C或/ S的任何过渡。上/ HOLD所有过渡必须发生，而C为低。
写保护：此低电平有效引脚防止写入操作只能在状态
注册。提供6和第7页写保护的完整解释。
串行输入：所有的数据输入到该引脚上的设备。该引脚被采样到
上升的C边缘，在其他时间被忽略。它应该总是被驱动为有效的
逻辑电平，以满足我
DD
特定连接的阳离子。
* D可以连接至Q的单针数据接口。
串行输出：这是数据输出引脚。在读它的驱动并保持三
在其他时间，包括时/ HOLD低说明。数据转换是在驱动
串行时钟的下降沿。
* Q可以被连接到D为单个引脚的数据接口。
电源（ 2.7V至3.6V ）
地
C
输入
/ HOLD
输入
/W
D
输入
输入
Q
产量
VDD
VSS
供应
供应
文件编号： 001-85935修订版**
第16页2
FM25H20 - 的2Mb SPI FRAM
SCK
MOSI
MISO
Q
D
C
Q
D
C
SPI
微控制器
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
FM25H20
S
HOLD
FM25H20
S
HOLD
MOSI ：主出从入
MISO ：主入从出
SS ：从机选择
图2： 512KB系统配置与SPI端口
P1.0
P1.1
微控制器
Q
D
C
FM25H20
S
P1.2
HOLD
VDD
没有SPI接口图3.系统配置
SPI模式0 ： CPOL = 0 ， CPHA = 0
S
C
D
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
SPI模式3 ： CPOL = 1 ， CPHA = 1
S
C
D
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
最低位
图4. SPI模式0 & 3
文件编号： 001-85935修订版**
第16页4
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