三菱<MOSFET MODULE>
FM200TU-3A
高功率开关使用
绝缘包
FM200TU-3A
●
I
D（ RMS） .............................................. ............
100A
●
V
DSS ................................................. ............
150V
●
预绝缘
TYPE
●
在一包6元
●
NTC热敏电阻的内部
●
UL认可
黄牌No.E80276
文件No.E80271
应用
交流电机控制叉车（电池电源） ， UPS
外形绘图&电路图
110
97
±0.25
70.9
32
10
30
7
(6)
(17.5)
N
P
尺寸（mm）
6.5
15.2
16.5
10
16
36
16
36
35
±1.0
30
6.5
26
＋1.0
0.5
7
(6)
(14.5)
22.75
(15.8)
3 6.5
7
14
22.57
4
11.5
9.1
1
13
3
(8.7)
4-φ6.5
安装孔
(14.5)
12
6
(6)
U
V
W
7-M6NUTS
16.5
A
14
20
32
14
20
32
B
14
20
14
（旋盖深度）
25
TC测量点
A和B的房屋类型
（泰科电子公司P / N :)
A: 917353-1
B: 179838-1
电路图
P
(7)G
U
P
(1)S
U
P
U
(10)G
U
N
(4)S
U
N
N
(8)G
V
P
(2)S
V
P
V
(11)G
V
N
(5)S
V
N
(9)G
W
P
(3)S
W
P
W
(12)G
W
N
(6)S
W
N
(14)
(13)
NTC
(1)S
U
P
(7)G
U
P
(2)S
V
P
(8)G
V
P
4
(3)S
W
P
(4)S
U
N
(5)S
V
N
L A B 左
9.2
5-6.5
38
67
±0.25
3.96
75
80
90
(6)S
W
N
(9)G
W
P（ 10 ）G
U
N（ 11 ）G
V
N（ 12 ）G
W
N
A
B
（ 13 ） TH1 （ 14 ） TH2
二月
2009
三菱<MOSFET MODULE>
FM200TU-3A
高功率开关使用
绝缘包
绝对最大额定值
(T
ch
= 25°C除非另有规定。 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ RMS）
I
DM
I
DA
I
S（ RMS ）
*
1
I
SM
*
1
P
D
*
4
P
D
*
4
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
—
项
漏源电压
栅源电压
漏电流
雪崩电流
源出电流
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
条件
G-的短
D-的短
T
C
’ = 122°C*
3
脉冲*
2
L = 10μH脉冲*
2
脉冲*
2
T
C
= 25°C
T
C
’ = 25°C*
3
评级
150
±20
100
200
100
100
200
410
560
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
600
单位
V
V
A
RMS
A
A
A
RMS
A
W
W
°C
°C
V
RMS
N·m的
N·m的
g
终端底板， F = 60Hz的， AC 1分钟
主端子螺钉M6
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
(T
ch
= 25°C除非另有规定。 ）
符号
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
r
DS （ ON）
（片）
V
DS （ ON）
（片）
R
（铅）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
*
1
Q
rr
*
1
V
SD
*
1
R
TH（ CH-C ）
R
TH（ CH-C '）
R
TH（ C-F ）
R
第（ C'- f中）
项
排水截止电流
门源阈值电压
栅极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
静态漏源
通态电压
导线电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
源 - 漏电压
热阻
接触热阻
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，V
DS
= 10V
V
GS
= V
GSS
, V
DS
= 0V
I
D
= 100A
V
GS
= 15V
I
D
= 100A
V
GS
= 15V
I
D
= 100A
终端芯片
V
DS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A ，V
GS
= 15
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A ，V
GS
±
15V
R
G
= 13Ω ，感性负载
I
S
= 100A
条件
分钟。
—
4.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
6
—
4.8
9.1
0.48
0.91
1.2
1.68
—
—
—
820
—
—
—
—
—
6.5
—
—
—
0.1
0.09
马克斯。
1
7.3
1.5
6.6
—
0.66
—
—
—
50
7
4
—
400
250
450
200
200
—
1.3
0.30
0.22
—
—
单位
mA
V
A
m
V
m
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
nF
nC
ns
I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
MOSFET部分（1/6模块） *
7
MOSFET部分（1/6模块） *
3
案件散热片，导热硅脂应用*
8
（ 1/6模块）
案件散热片，导热硅脂应用*
3,
*
8
（ 1/6模块）
ns
C
V
K / W
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
Th
*
6
B*
6
参数
阻力
B常数
条件
T
Th
= 25°C*
5
阻力在T
Th
= 25°C, 50°C*
5
分钟。
—
—
范围
典型值。
100
4000
马克斯。
—
—
单位
k
K
*
1 ：是反平行，源极 - 漏极续流二极管（ FWDI ）的特性。
*
2 ：脉冲宽度和重复速率应使得该设备通道温度（T
ch
）不超过牛逼
ch
最高评级。
*
3 ：外壳温度（TC ' ）测量点就是芯片下。如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
4 ：脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
*
5: T
Th
是热敏电阻的温度。
*
6:
B =在（R
25
)/( T1 T1 )
R
50
25
50
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ：T已
25
= 25 ° C] 273.15 = 298.15 [ K]
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ：T已
50
= 50 [℃] 273.15 = 323.15 [K]的
*
7 ：外壳温度（ Tc）的测量点显示在页面外形图。
*
8 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米 K） ] 。
二月
2009
2
三菱<MOSFET MODULE>
FM200TU-3A
高功率开关使用
绝缘包
FM200TU-3A
●
I
D（ RMS） .............................................. ............
100A
●
V
DSS ................................................. ............
150V
●
预绝缘
TYPE
●
在一包6元
●
热敏电阻的内部
●
UL认可
黄牌No.E80276
文件No.E80271
应用
交流电机控制叉车（电池电源） ， UPS
外形绘图&电路图
110
97
±0.25
70.9
32
10
30
7
(6)
(17.5)
N
P
尺寸（mm）
6.5
15.2
16.5
10
16
36
16
36
35
±1.0
30
6.5
26
＋1.0
0.5
7
(6)
(14.5)
22.75
(15.8)
3 6.5
7
14
22.57
4
11.5
9.1
1
13
3
(8.7)
4-
φ6.5
安装孔
(14.5)
12
6
(6)
U
V
W
7-M6NUTS
16.5
A
14
20
32
14
20
32
B
14
20
14
（旋盖深度）
25
TC测量点
A和B的房屋类型
（泰科电子公司P / N :)
A: 917353-1
B: 179838-1
电路图
P
(7)G
U
P
(1)S
U
P
U
(10)G
U
N
(4)S
U
N
N
(8)G
V
P
(2)S
V
P
V
(11)G
V
N
(5)S
V
N
(9)G
W
P
(3)S
W
P
W
(12)G
W
N
(6)S
W
N
(14)
(13)
(1)S
U
P
(7)G
U
P
(2)S
V
P
(8)G
V
P
4
(3)S
W
P
(4)S
U
N
(5)S
V
N
L A B 左
9.2
5-6.5
38
67
±0.25
3.96
75
80
90
(6)S
W
N
(9)G
W
P（ 10 ）G
U
N（ 11 ）G
V
N（ 12 ）G
W
N
A
B
（ 13 ） TH1 （ 14 ） TH2
2006年5月
三菱<MOSFET MODULE>
FM200TU-3A
高功率开关使用
绝缘包
绝对最大额定值
(T
ch
= 25°C除非另有规定。 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
I
DA
I
S
*
1
I
SM
*
1
P
D
*
4
P
D
*
4
T
ch
T
英镑
V
ISO
—
—
项
漏源电压
栅源电压
漏电流
雪崩电流
源出电流
最大功率耗散
通道温度
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
条件
G-的短
D-的短
T
C
’ = 122°C*
3
脉冲*
2
L = 10μH脉冲*
2
脉冲*
2
T
C
= 25°C
T
C
’ = 25°C*
3
评级
150
±20
100
200
100
100
200
410
560
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
600
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M6
M6安装
典型的价值
电气特性
(T
ch
= 25°C除非另有规定。 ）
符号
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
r
DS （ ON）
（片）
V
DS （ ON）
（片）
R
（铅）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
*
1
Q
rr
*
1
V
SD
*
1
R
TH（ CH-C ）
R
TH（ CH-C '）
R
TH（ C-F ）
R
第（ C'- f中）
项
排水截止电流
门源阈值电压
栅极漏电流
静态漏源
导通状态电阻
静态漏源
通态电压
导线电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
源 - 漏电压
热阻
接触热阻
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，V
DS
= 10V
V
GS
= V
GSS
, V
DS
= 0V
I
D
= 100A
V
GS
= 15V
I
D
= 100A
V
GS
= 15V
I
D
= 100A
终端芯片
V
DS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A ，V
GS
= 15V
条件
分钟。
—
4.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
6
—
4.8
9.1
0.48
0.91
1.2
1.68
—
—
—
820
—
—
—
—
—
6.5
—
—
—
0.1
0.09
马克斯。
1
7.3
1.5
6.6
—
0.66
—
—
—
50
7
4
—
400
250
450
200
200
—
1.3
0.30
0.22
—
—
单位
mA
V
A
m
V
m
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
T
ch
= 25°C
T
ch
= 125°C
nF
nC
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A ，V
GS1
= V
GS2
= 15V
R
G
= 13Ω ，电感性负载切换操作
I
S
= 100A
ns
I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
MOSFET部分（1/6模块） *
7
MOSFET部分（1/6模块） *
3
案例应用到散热鳍片，导热硅脂*
8
（ 1/6模块）
案例应用到散热鳍片，导热硅脂*
3,
*
8
（ 1/6模块）
ns
C
V
° C / W
热敏电阻PART
符号
R
TH
*
6
B*
6
参数
阻力
B常数
条件
T
TH
= 25°C*
5
阻力在T
TH
= 25°C, 50°C*
5
分钟。
—
—
范围
典型值。
100
4000
马克斯。
—
—
单位
k
K
*
1 ：是反平行，源极到漏极续流二极管（ FWDI ）的特性。
*
2 ：脉冲宽度和重复速率应使得该设备通道温度（T
ch
）不超过牛逼
ch
最高评级。
*
3: T
C
“测量点就是芯片下。如果使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
*
4 ：脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
*
5: T
TH
是热敏电阻的温度。
*
6 ： B = （ INR
1
-INR
2
)/(1/T
1
-1/T
2
) R
1
：电阻在T
1
（K ）中，R
2
：电阻在T
2
(K)
*
7: T
C
测量点显示在页面外形图。
*
8 ：典型值是通过使用Shin-Etsu化学有限公司的“G -746 ”测定。
2006年5月
FM200TU-3A
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
6 -PACK大功率
MOSFET模块
百安培/ 150伏
G
G
P
AB
R
AD
7
Q
H
K
A
D
F
L
AC
P
N
N
M
L
Z
AB
AE
X（ 11个地方）
J
1
B
E
S
AF
T
13
14
W
A
12
U
6
B
TC
测
点
V
Z
AA
M
Z
W
AA
M
Z
Y
V
U
C
Q
K
X
C
终端代码
U
V
1 S
UP
2 S
VP
3 S
WP
P
4 S
UN
5 S
VN
A
（ 7 ） GUP
（1） SUP
U
（ 8 ） GVP
（ 2 ）高级副总裁
V
（ 9 ） GWP
（3） SWP
W
(14)
(13)
6 S
WN
7 G
UP
8 G
VP
9 G
WP
10 G
UN
11 G
VN
12 G
WN
13 TH1
14 TH2
描述：
POWEREX MOSFET模块是
设计用于低电压
开关应用。每
模块由6个MOSFET
开关与低R
DS （ ON）
AND A
快速恢复体二极管产生
低损耗。所有部件和
互连从隔离
散热片底板上。这
提供了简化的系统组装
和热管理。
产品特点：
低辐射
SW （OFF）的
与低R
DS （ ON）
超快速恢复自由
续流二极管
热敏电阻对于T
C
传感
平行的腿做一个双
模块在3X的评分
正锁定连接器
易母线布局由于
流过电源的设计
应用范围：
叉车
越野电动车
焊机
UPS
断路器
订货信息：
例如：选择完整
你想要的部分模块编号
从下面-i.e.表
FM200TU -3A是一个150V （Ⅴ
DSS
),
百安培6包大功率
MOSFET的模块。
TYPE
FM
B
（ 10 ）枪
（ 4 ） SUN
N
（ 11 ） GVN
（ 5 ） SVN
（ 12 ）周报
（6） SWN
房屋类型
泰科电子公司P / N
A: 917354-1
B: 177898-1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
7月12日第1版
英寸
4.33
3.54
1.38
3.82
3.15
3.27
0.26
0.48
0.51
0.65
0.63
1.26
0.35
0.45
0.16
MILLIMETERS
110.0
90.0
35.0
97.0
80.0
83.0
6.5
12.0
12.9
16.5
16.0
32.0
8.8
11.5
4.0
尺寸
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
英寸
0.79
1.50
2.64
1.02
0.98
0.36
直径。 0.25
弧度。 0.25
0.57
0.55
1.18
0.69
0.47
0.61
0.18
MILLIMETERS
20.0
38.0
67.0
26.0
25.0
9.1
直径。 6.5
弧度。 6.5
14.5
14.0
30.0
17.5
12.0
15.5
4.5
额定电流
安培
100
V
DSS
伏
150
1
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
FM200TU-3A
6 ，包高功率MOSFET模块
百安培/ 150伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
评级
通道温度
储存温度
漏源极电压（G -S短）
栅源电压（D -E短）
漏极电流（T
C
= 25°C)
峰值漏极电流（脉冲）
雪崩电流（ L = 10μH ，脉冲）
源电流（T
C
= 25°C)**
峰源电流（脉冲） **
最大功率耗散（T
C
= 25 ° C，T
j
< 150 ° C） ***
最大峰值功率耗散（T
C'
= 25 ° C，T
j
< 150 ° C） ***
安装扭矩， M6主要终端
安装扭矩， M6安装
重量
隔离电压（主候机楼至底座， AC 1分钟）
符号
T
j
T
英镑
V
DSS
V
GSS
I
D（ RMS）
I
DM
I
DA
I
S（ RMS ）
I
SM
P
D
P
D
—
—
—
V
ISO
FM200TU-3A
-40至150
-40至125
150
±20
100
200*
100*
100
200*
410
560
40
40
600
2500
单位
°C
°C
伏
伏
A
RMS
安培
安培
A
RMS
安培
瓦
瓦
在磅
在磅
克
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得器件沟道温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特性，源 - 漏续流二极管（ FWDI ） 。
***T
C'
测量点就是芯片下。如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
2
7月12日第1版
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
FM200TU-3A
6 ，包高功率MOSFET模块
百安培/ 150伏
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
汲极截止电流
门源阈值电压
栅极漏电流
静态漏源导通电阻
（片）
静态漏源通态电压
（片）
导线电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
源 - 漏电压
R
领导
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
V
SD
I
S
= 100A ，V
GS
= 0V
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A,
V
GS1
= V
GS2
= 15V ，R
G
= 13Ω,
感应负载开关操作，
I
S
= 100A
V
DD
= 80V ，我
D
= 100A ，V
GS
= 15V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DS （ ON）
符号
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
r
DS （ ON）
测试条件
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
I
D
= 10毫安，V
DS
= 10V
V
GS
= V
GSS
, V
DS
= 0V
I
D
= 100A ，V
GS
= 15V ，T
j
= 25°C
I
D
= 100A ，V
GS
= 15V ，T
j
= 125°C
I
D
= 100A ，V
GS
= 15V ，T
j
= 25°C
I
D
= 100A ，V
GS
= 15V ，T
j
= 125°C
I
D
= 100A ，终端芯片，T
j
= 25°C
I
D
= 100A ，终端芯片，T
j
= 125°C
分钟。
—
4.7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
6.0
—
4.8
9.1
0.48
0.91
1.2
1.68
—
—
—
820
—
—
—
—
—
6.5
—
马克斯。
1.0
7.3
1.5
6.6
—
0.66
—
—
—
50
7
4
—
400
250
450
200
200
—
1.3
单位
mA
伏
A
mΩ
mΩ
伏
伏
mΩ
mΩ
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
伏
**表示在反平行的特性，源 - 漏续流二极管（ FWDI ） 。
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百安培/ 150伏
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道到外壳
接触热阻
符号
R
日（J -C ）
R
日（ J- C' ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
MOSFET部分（ 1/6模块）
T
C
每外形图的参考点
MOSFET部分（ 1/6模块）
测量点就是芯片下。
每1/6模块，导热硅脂的应用
—
0.1
—
° C / W
—
—
0.22
° C / W
分钟。
—
典型值。
—
马克斯。
0.30
单位
° C / W
热敏电阻部分
特征
电阻*
B常数*
* B = （ INR
1
- INR
2
) / (1/T
1
– 1/T
2
)
R
1
：电阻在T
1
(K),
R
2
：电阻在T
2
(K)
符号
R
th
B
测试条件
T
C
= 25°C
阻力位在25℃ ， 50 ℃，
分钟。
—
—
典型值。
100
4000
马克斯。
—
—
单位
kΩ
K
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6 ，包高功率MOSFET模块
百安培/ 150伏
输出特性
（典型值）
传输特性
（典型值）
200
漏电流，我
D
（安培）
V
GS
= 20V
12
10
200
15
漏电流，我
D
（安培）
150
150
100
9
100
50
T
j
= 25°C
50
V
DS
= 10V
T
j
= 25°C
T
j
= 125
o
C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
5
7
9
11
13
15
漏极 - 源极电压V
DS
（伏）
门源，V
GS
（伏）
漏源通态电压
VS. GATE偏置特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值 - 逆变部分）
3.00
漏极 - 源极导通电压，
V
DS （ ON）
（伏）
T
j
= 25°C
源电流，我
S
（安培）
10
3
2.25
V
GS
= 0V
T
j
= 25°C
T
j
= 125
o
C
1.50
I
D
= 200A
10
2
0.75
I
D
= 50A
I
D
= 100A
0
0
5
10
15
20
10
1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
栅源电压，V
GS
（伏）
源极 - 漏极电压，V
SD
，伏）
7月12日第1版
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