FM18L08
256KB的字节宽度FRAM存储器
特点
256K位的非易失性铁电RAM
组织为32,768 ×8位
45年的数据保存
无限的读/写周期
无需等待的写入
先进的高可靠性铁电工艺
优越于电池供电的SRAM
没有电池忧虑
整体可靠性
真正的表面安装解决方案，没有返工步骤
优越的防潮，防震，振动
抗负电压下冲
SRAM & EEPROM兼容
JEDEC 32Kx8 SRAM & EEPROM的引脚
70 ns访问时间
140 ns的周期时间
低功耗工作
3.0V至3.65V工作
15毫安工作电流
15
A
待机电流
行业标准配置
工业级温度-40 ° C至+ 85°C
32引脚“绿色”的TSOP封装
28引脚SOIC或DIP封装
“绿色”包装选项
销刀豆网络gurations
NC
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VDD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
NC
描述
该FM18L08是256千比特的非易失性存储器
采用先进的铁电工艺。一
铁电随机存取存储器或FRAM是
非易失性和读取和写入像RAM 。它
提供了数据保留45年，同时消除
的可靠性问题，功能和缺点
系统设计的电池备份SRAM的复杂性
（ BBSRAM ） 。快写时序和高写入
耐力化妆FRAM优于其它类型的
非易失性存储器。
在系统的FM18L08的操作非常相似
到其它基于RAM的设备。读周期和写
周期时间相等。在FRAM存储器，但是，
是非易失性的，由于其独特的强电介质存储器
流程。不像BBSRAM ，所述FM18L08是一个真正的
单片非易失性存储器。它提供了相同的
一个快速的写入没有功能性利益
与模块和电池相关的缺点
或者混合存储解决方案。
这些功能使得FM18L08理想
需要频繁的非易失性存储器应用
或快速写入一字节的环境。该
表面贴装封装的可用性提高
制造性的新的设计，而将DIP
包装方便简洁的设计改造。设备
规格保证在温度
范围为-40 ° C至+ 85°C 。
TSOP -I
订购信息
FM18L08-70-TG
FM18L08-70-S
FM18L08-70-P
FM18L08-70-SG
FM18L08-70-PG
70 ns访问， 32引脚“绿色” TSOP
70 ns访问， 28引脚SOIC
70 ns访问， 28引脚DIP
70 ns访问， 28引脚“绿色” SOIC
70 ns访问， 28引脚“绿色” DIP
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试，并达到生产状态。
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
http://www.ramtron.com
修订版3.4
2007年7月
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A10-A14
块解码器
A0-A14
地址
LATCH
A0-A7
ROW
解码器
32,768 ×8 FRAM阵列
CE
A8-A9
列解码器
WE
OE
控制
逻辑
I / O锁存器
公交车司机
DQ0-7
图1.框图
引脚说明
引脚名称
A0-A14
DQ0-7
/ CE
TYPE
输入
I / O
输入
/ OE
/ WE
VDD
VSS
输入
输入
供应
供应
引脚说明
地址： 15地址线选择的FRAM阵列中的32,768字节之一。该
地址值被锁存， / CE的下降沿。
数据：用于访问FRAM的阵列的8位双向数据总线。
芯片使能。 / CE选择设备时低。主张/ CE为低，使得地址
在内部锁存。之后发生的更改地址/ CE为低电平会
忽略，直到下一个下降沿出现。
输出使能：断言/ OE为低，使得FM18L08时，驱动数据总线
有效数据是可用的。拉高/ OE高导致DQ引脚为三态。
写使能：断言/ WE为低，使得FM18L08写的内容
数据总线由/ CE的下降沿锁存的地址位置。
电源电压
地
功能真值表
/ CE
/ WE
H
X
X
↓
L
H
L
↓
功能
待机/预充电
锁存地址（并开始写的if / WE =低）
读
写
Ramtron的国际公司
1850 Ramtron的驱动器，科罗拉多斯普林斯，CO 80921
（ 800 ） 545 - FRAM ， （ 719 ） 481-7000
注： / OE引脚控制只有DQ输出缓冲器。
本产品符合每Ramtron公司的条款规范
标准保修。该产品已经完成了Ramtron的内部
资格测试，并达到生产状态。
http://www.ramtron.com
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2007年7月
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FM18L08
概观
该FM18L08是一个单字节宽， FRAM存储器。该
存储阵列在逻辑上组织为32,768 ×8
并使用行业标准的并行访问
界面。写入部分的所有数据立即
非易失性的，没有延迟。的功能操作
FRAM存储器的相同的SRAM型器件，
除了FM18L08需要的/ CE的下降沿到
启动每个存储周期。
该FM18L08驱动数据总线时， / OE是
置为低电平状态。如果/ OE是后置
存储器访问时间已经被满足时，数据总线
将驱动有效数据。如果/ OE之前断言
到的存储器访问结束后，将数据总线将
当有效数据可用来驱动。此功能
通过消除最大限度地减少电源电流的系统
造成无效数据瞬变驱动到
总线。当/ OE是不活动的数据总线将
保持三态的。
写操作
写入操作需要同时读取。该
FM18L08支持/ CE-和/ WE控制
写周期。在所有情况下，地址被锁存的
坠落/ CE的优势。
在/ CE的控制的写入时，/ WE信号被断言
开始前的存储周期。即， / WE为
当低/ CE下降。在这种情况下，该装置开始
存储器周期作为写入。该FM18L08不会
驱动/ OE状态的数据总线不管。
在/ WE控制写入，存储周期开始
在/ CE的下降沿。后/ WE信号下降
/ CE的下降沿。因此，存储器周期
开始是读。数据总线将被驱动
按/ OE ，直到状态/ WE下降。该
无论/ CE-和/ WE控制的写周期的时序
中示出的电气规格。
写访问数组后，异步开始
存储器周期开始。写访问
终止于/ WE或/ CE的上升沿，
以先到为准。数据建立时间，如图所示，在
电气规格，表示在区间
该数据之前写入的末端不能改变
访问。
不同于其他真正的非易失性存储器技术，
没有写延迟FRAM 。由于读
写底层的内存访问时间
同样，用户遇到通过没有延迟
总线。整个存储器操作发生在一个单一的
总线周期。因此，任何操作包括读或
可以写下面写立即发生。数据
投票站，与EEPROM与使用的技术
确定一个写操作完成，是不必要的。
预充电操作
预充电操作是一个内部条件
其中，所述存储器的状态准备一个新的
访问。所有的存储周期包括一个内存
访问和预充电。预充电的用户
通过取/ CE信号高或不活动引发。它
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内存操作
用户访问每8 32,768内存位置
通过并行接口的数据位。周期时间
是相同的读取和写入存储器的操作。
这简化了存储器控制器逻辑和定时
电路。同样的存取时间是相同的读
写内存操作。当/ CE为
去断言高时，预充电操作的开始，并且是
每个存储周期的要求。因此不像SRAM ，
访问时间和周期时间是不相等的。写操作发生
紧接在没有延迟的访问结束。
不象一个EEPROM ，它是没有必要的轮询
设备的就绪状态，因为写操作发生在公交车
速度。
注意， FM18L08包含有限量的低
电压的写保护电路。这将防止
访问时， V
DD
比指定的要低得多
工作范围。它仍然是用户的责任
确保V
DD
是数据表的公差范围内
防止不正确的操作。
该FM18L08被设计的方式来操作
类似于其他的单字节宽的内存产品。对于用户
熟悉SRAM ，性能足以媲美
但单字节宽接口工作在一个稍微
如下面描述的不同的方式。对于用户
熟悉EEPROM ，很明显的差异
从FRAM中的较高的写入性能产生
技术，包括无延迟写入和
无限的读写次数。
读操作
读操作开始/ CE的下降沿。
此时，在地址位锁存和一
存储器周期开始。一旦开始，全
存储周期必须在内部完成
无论/ CE的状态。数据变为可用
访问时间后在总线上已被满足。
在地址被锁存，地址值
在满足保持时间可以改变
参数。与SRAM ，改变地址值
会对之后的存储器操作没有影响
地址被锁存。
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FM18L08
第二个设计考虑涉及的电平
V
DD
在操作过程中。电池支持的SRAM是
被迫监视V
DD
为了切换到电池
备份。它们通常方框下面的用户访问
某些V
DD
为了防止加载水平
电池与来自活性SRAM的电流需求。
用户可从访问该被突然切断
记忆中毫无预警断电的情况。
FRAM存储器不需要这个系统开销。
内存不会阻止任何V访问
DD
的水平。
用户，但是，应当防止从处理器
访问内存时， V
DD
超出超差。该
拿在处理器共同设计实践
掉电复位过程中可能就足够了。这是
建议在芯片使能拉高和
允许跟踪V
DD
上电和断电时
周期。这是用户的责任，以确保
芯片使能为高，以防止低于V访问
DD
分钟。 （ 3.0V ） 。图3示出了一个外部上拉
电阻上/ CE将继续在高脚
电源周期假设MCU / MPU引脚三态
在复位状态。上拉电阻值
的选择应保证/ CE引脚跟踪V
DD
YET
足够高的值，该值当前绘制时/ CE
低不是一个问题。
V
DD
R
FM18L08
CE
MCU /
MPU
WE
OE
A(14:0)
DQ
图3.在/ CE采用上拉电阻
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