FLS3217 / FLS3247 - 单级PFC初级端调节离线LED驱动器，集成功率MOSFET
2012年5月
FLS3217 / FLS3247
单级PFC的初级侧调节当前离线
LED驱动器，集成功率MOSFET
特点
无需输入大电容具有成本效益的解决方案
和反馈电路
功率因数校正（ PFC ）
集成功率MOSFET
精确的恒流（ CC ）控制
独立在线电压，输出电压，并
激磁电感变化
为提高效率线性频率控制
开/短路LED保护
逐周期电流限制
过温保护，自动重启
低启动电流： 20μA
低工作电流： 5毫安
V
DD
过电压保护（ OVP ）
V
DD
欠压锁定（UVLO ）
应用电压范围： 80V
AC
~ 308V
AC
描述
这款高度集成的PWM控制器，功率
MOSFET ， FLS3217 / FLS3247 ，提供了几个
功能来增强低功耗性能
反激式转换器。专有的拓扑实现
简化电路设计LED照明应用。
通过使用单级拓扑与初级侧
调控中， LED照明电路板可以实现
用很少的外部元件和最小化的成本;
无需输入大电容或反馈电路。
为了实现良好的功率因数和低THD ，恒
导通时间控制是利用由外部电容
连接到COMI 。
精确的恒流控制精确调节
输出电流相对于变化的输入电压和
输出电压。工作频率是成比例
由输出电压来保证的DCM变
操作与更高的效率和简洁的设计。
FLS3217和FLS3247提供保护等功能
如LED开路，短路LED和过热
保护。限流电平自动
减少到最小的输出电流和保护
外部元件的短路LED状态。
应用
LED照明系统
订购信息
产品型号
FLS3217M
FLS3217N
FLS3247N
.
-40°C至+ 125°C
操作
温度范围
包
7引脚，小型封装（ SOIC ）
7引脚，小型封装（ DIP ）
包装方法
磁带&卷轴
管
2012仙童半导体公司
FLS3217 / FLS3247 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
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应用框图
桥式二极管
TRANS
LINE输入
保险丝
2 VDD
漏极7
NC 6
5 COMI
3 GND
VS 4
CS 1
图1 。
典型用途
内部框图
漏
7
国内
BIAS
V
DD
良好
VDD 2
V
OVP
+
-
关闭
马克斯。税
调节器
+
-
S
R
+
OSC
S
Q
V
OCP
门
司机
Q
OCP水平
调节器
VS
-
LEB
锯齿
发电机
1 CS
TSD
R
V
DD
良好
+
-
5 COMI
错误
安培。
-
+
NC
6
DCM频率
调节器
t
DIS
探测器
V
REF
GND 3
自动重启保护功能：
OVP （过电压保护）
UVLO （欠压锁定）
OTP （过温保护）
频率。
TRUECURRENT
计算
4 VS
VS
样品&保持
图2中。
功能框图
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标识信息
F:
飞兆半导体的标志
Z：工厂代码
X： 1位数年份代码
Y： 1位周码
TT ： 2位数模运行代码
T：封装类型（M = SOIC ， N = DIP）
M：制造流程守则
ZXYTT
S3217
TM
ZXYTT
S3247
TM
网络连接gure 3 。
顶标
引脚配置
图4中。
引脚配置
引脚德网络nitions
针＃
1
2
3
4
5
6
7
名字
CS
VDD
GND
VS
COMI
NC
漏
描述
电流检测。
该引脚连接一个电流检测电阻器来检测MOSFET电流
输出电流调节恒流（ CC ）调节。
电源。
IC工作电流和MOSFET驱动电流通过该引脚提供。
地
电压检测。
该引脚用于检测所述输出电压的信息和放电时间
最大频率控制和恒流调节。该引脚被连接到一个
变压器经由分压器电阻的辅助绕组。
恒流环路补偿。
该引脚连接到的一个电容
COMI和GND引脚用于补偿电流环路增益。
无连接
功率MOSFET的漏极。
该引脚为高电压功率MOSFET的漏极。
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绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
V
VDD
V
VS
V
CS
V
COMI
I
D
直流电源电压
(1,2)
VS引脚输入电压
CS引脚输入电压
COMI引脚输入电压
参数
分钟。
-0.3
-0.3
-0.3
T
A
=25°C,
FLS3217M/N
T
A
= 25 ° C， FLS3247N
FLS3217M/N
FLS3247N
FLS3217M/N
FLS3247N
SOIC ，T
A
＜50°C
DIP ，T
A
＜50°C
SOIC ，T
A
＜50°C
DIP ，T
A
＜50°C
SOIC ，T
A
＜50°C
DIP ，T
A
＜50°C
-55
-
马克斯。
30
7.0
7.0
7.0
1
4
4
16
1
4
660
1
150
95
40
25
+150
+150
+260
5
2
单位
V
V
V
V
A
连续漏电流
I
DM
I
AR
P
D
JA
JC
T
J
T
英镑
T
L
ESD
漏电流脉冲
雪崩电流
功耗
热阻（结到空气）
热阻（结到外壳）
最高结温
存储温度范围
A
A
mW
W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
V
引线温度（焊接10秒）
ESD能力，人体模型
ESD能力，带电器件模型
注意事项：
1.强调超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。
2.所有的电压值，除了差分电压，给出相对于GND管脚。
推荐工作条件
推荐的操作条件表德网络网元设备的实际运行情况。推荐
工作条件规定，以确保最佳性能达到数据表规格。飞兆半导体不
建议超过或设计，以绝对最大额定值。
符号
T
A
参数
工作环境温度
分钟。
-40
马克斯。
125
单位
°C
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电气特性
除非另有规定ED ，V
DD
= 15V和T
A
=25°C.
符号
MOSFET部分
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源
FLS3217N
抗性
FLS3247N
输入电容
FLS3217N
FLS3247N
FLS3217M
FLS3217M
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
I
D
= 0.5A ，V
GS
=10V
I
D
= 1A ，V
GS
=10V
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f
S
=1MHz
分钟。
700
典型值。
马克斯。
单位
V
13
8.8
2.4
175
250
435
23
25
51
14.5
6.75
16.0
7.75
4.00
2
22.0
23.5
65
23.5
2.35
0.85
14
2.500
2.43
300
16
11.0
2.8
200
pF
pF
pF
FLS3217M
C
国际空间站
C
OSS
V
DD
部分
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -OP
I
DD -ST
V
OVP
f
MAX -CC
f
MIN -CC
VS
MAX -CC
VS
MIN -CC
t
开（ MAX）的
V
RV
V
CCR
t
LEB
t
民
t
PD
D
SAW
t
DIS- BNK
I
VS- BNK
输出电容FLS3217N
FLS3247N
导通阈值电压
关断阈值电压
工作电流
启动电流
V
DD
过电压保护水平
在CC最大频率
最低频率的CC
VS中的CC最大频率
VS的最小频率的CC
最大开启时间
参考电压
变异测试电压的CS引脚
对于恒流调节
前沿消隐时间
最小导通时间在CC
传播延迟至GATE
产量
SAW限制器的占空比
t
DIS
VS消隐时间
VS电流的VS消隐
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f
S
=1MHz
25
pF
pF
pF
17.5
8.75
5.00
20
25.0
70
26.0
2.45
1.15
16
2.525
2.48
V
V
mA
μA
V
千赫
千赫
V
V
s
V
V
ns
ns
V
S
= 2.4V ，C
L
「 MOSFET
C
国际空间站
V
DD
=V
DD -ON
– 0.16V
2.85
振荡器部分
V
DD
=10V, 20V
V
DD
=10V, 20V
频率=最大
Frequency-2kHz
频率=最小
频率为1kHz +
60
21.0
2.25
0.55
12
2.475
V
CS
=0.24V
2.38
电流检测科
V
VS
=-0.5V, V
CS
=1.5V
50
600
100
40
1.5
100
150
ns
%
s
A
续下页...
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