FLM0910-15F
X波段内部匹配型场效应管
特点
高输出功率: P1dB为42.0dBm = (典型值)
高增益: G1dB = 7.5分贝(典型值)
高PAE :
ηadd=32%(Typ.)
宽带: 9.5 10.5GHz
阻抗匹配寻/ ZOUT = 50Ω
密封包装
描述
该FLM0910-15F是功率GaAs FET的内部匹配
为标准的通信频带,以提供最佳的功率和
获得在50Ω系统。
绝对最大额定值(外壳温度Tc = 25
o
C)
ITE米
漏源电压
栅源电压
总战俘ê 耗散
储存温度
CHANNE升特温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
等级
15
-5
57.7
-65到+175
175
单位
V
V
W
o
C
o
C
推荐运行条件(案例温度Tc = 25
o
C)
ITE米
直流输入电压
FORW ARD栅电流
反向栅电流
符号
V
DS
I
GF
I
GR
条件
R
G
= 50欧姆
R
G
= 50欧姆
LIM它
≦
10
≦
16.7
≧
-3.62
单位
V
mA
mA
电气特性(案例温度Tc = 25
o
C)
ITE米
漏电流
跨导
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出战俘ê R成为1分贝G.C.P.
战俘ê R GAIN在1分贝G.C.P.
漏电流
战俘ê - 增加效率
增益Flatne S S小
千卡人再s istance
CHANNE升特温度上升
类型: IB
ESD
CLAS S III
2000V
~
符号
I
DSS
g
m
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
I
DSR
N
添加
G
R
th
T
ch
条件
V
DS
=5V , V
GS
=0V
V
DS
= 5V ,我
DS
=3.5A
V
DS
= 5V ,我
DS
=300mA
I
GS
=-300uA
V
DS
=10V
I
DS
=0.5I
DSS
(典型值)。
f= 9.5
~
10.5 GHz的
ZS = Z
L
= 50欧姆
渠道情况
10V ×1
DSR
个R
th
M英寸
-
-
-0.5
-5.0
41.0
6.5
-
-
-
-
-
LIM它
典型值。
7.2
4500
-1.5
-
42.0
7.5
4.0
32
-
2.3
-
M AX 。
10.8
-
-3.0
-
-
-
5.0
-
1.2
2.6
100
单位
A
mS
V
V
DBM
dB
A
%
dB
o
C / W
o
C
GCP :增益压缩点, SCL :单载波列夫·埃尔
1.1版
2005年5月
1
FLM0910-15F
X波段内部匹配型场效应管
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