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FLL810IQ-3C
L波段高功率GaAs FET
特点
推挽结构
高功率输出： 80W
高的PAE ：50％ 。
卓越的线性度
适合于AB类操作。
密封包装
描述
该FLL810IQ -3C是一个80瓦的砷化镓场效应管，它采用推挽式设计。
该器件提供出色的线性度，易于匹配，和更大的一致性
在覆盖的频带的2.5至2.7千兆赫。这种新产品是唯一
适合用于微波系统的应用程序，因为它提供高增益的，长期可靠性
和易用性。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
136
-65到+175
+175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过12伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过176和-51.8毫安分别与
5Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（案例温度Tc = 25 ° C）
项
漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出功率
线性增益（注1 ）
功率附加英法fi效率
漏电流
热阻
类型：智商
注1： GL的条件是一样的噘除了PIN = 25.0dBm 。
符号
I
DSS
V
p
V
GSO
P
OUT
GL
η
添加
I
DSR
R
th
条件
V
DS
= 5V, V
GS
= 0V
V
DS
= 5V ，我
DS
= 220毫安
I
GS
= -2.2mA
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-0.1
-5
48.0
8
-0.3
-
49.0
12.0
50
11.5
0.8
-
-0.5
-
-
-
-
15.0
1.1
单位
A
V
V
DBM
dB
%
A
° C / W
V
DS
= 12V
F = 2.6 GHz的
I
DS
= 5.0A
PIN = 40.0dBm
11.0
-
-
渠道情况
-
1.1版
2001年10月
1
FLL810IQ-3C
L波段高功率GaAs FET
输出功率与频率的关系
VDS = 12V
IDS = 5A
IMD & IDS （ RF ）与总输出功率
VDS = 12V
IDS = 5A
FO = 2.6GHz的
F1 = 2.61GHz
8
7
6
50
48
输出功率（dBm ）
39dBm
34dBm
-30
30dBm
IMD （ DBC）
46
44
42
40
38
36
34
2.4
2.5
2.6
频率（GHz ）
5
IM3
4
3
2
-40
-50
-60
IM5
26dBm
22dBm
2.7
2.8
34
36
38
40
42
44
总输出功率（dBm ）
输出功率&
η
加上随输入功率
50
48
46
VDS = 12V
IDS = 5A
输出功率（dBm ）
44
42
40
38
36
34
32
30
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
η
添加
噘
60
50
30
20
10
0
输入功率（dBm ）
2
η
添加
(%)
40
IDS （ RF ） （A ）
IDS （ RF ）
FLL810IQ-3C
L波段高功率GaAs FET
S-参数
VDS = 12V ， IDS = 2500毫安
频率
（兆赫）
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
2900
3000
3100
3200
3300
3400
3500
S11
MAG
.856
.786
.698
.579
.455
.347
.247
.141
.200
.425
.634
.738
.750
.693
.620
.601
.713
.804
.863
.895
.909
S21
昂
MAG
1.167
1.430
1.722
2.020
2.323
2.564
2.784
3.064
3.418
3.446
3.332
2.845
2.436
2.125
1.618
1.345
1.031
.748
.587
.420
.335
S12
昂
MAG
.021
.026
.029
.034
.036
.039
.041
.041
.039
.035
.029
.024
.023
.020
.020
.019
.017
.014
.015
.014
.009
S22
昂
MAG
.841
.805
.790
.777
.795
.818
.819
.781
.668
.560
.556
.659
.747
.822
.879
.910
.931
.922
.936
.936
.951
昂
167.3
167.9
169.2
170.2
171.0
169.7
167.1
163.5
162.4
170.4
-175.3
-168.5
-168.5
-170.0
-172.2
-175.1
-177.6
-179.8
178.2
176.2
174.2
137.9
131.5
124.7
118.4
115.3
115.2
119.8
142.0
-160.2
-159.8
-179.2
156.5
129.4
94.5
48.8
0.2
-39.5
-68.6
-89.7
-104.3
-115.6
39.2
25.6
10.3
-8.0
-27.7
-48.5
-67.9
-90.1
-114.9
-143.7
-173.7
161.4
134.5
113.9
89.3
67.3
50.9
31.0
19.4
9.2
0.5
43.0
31.2
15.8
0.9
-16.4
-39.5
-59.6
-84.9
-114.5
-150.5
170.0
122.6
84.7
47.3
12.3
-15.0
-35.8
-60.2
-70.4
-85.8
-96.7
注意：该S参数数据显示了在单端推挽场效应管进行的测量。这些参数应使用
以确定所计算的推挽S参数的放大器设计。
下载S参数，请点击这里
3
FLL810IQ-3C
L波段高功率GaAs FET
机箱样式"IQ"
24±0.35
2.5分钟。
20.4±0.2
1
2
4-0.1
45°
2.4±0.15
4-2.6±0.2
8.0±0.15
17.4±0.2
6
3
4-2.0
2.5分钟。
4-R1.3±0.2
5
6.0
4
14.9±0.2
15.5±0.2
5.5最大。
1 ， 2：门
3 ：源
4,5 ：漏
单位：mm （英寸）
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通量子器件EUROPE LTD 。
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
1.9±0.2
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
2001富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI05019M200
4
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