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FLL400IP-2
L波段中&高功率GaAs FET
特点
推挽结构
高功率输出： 35W （典型值）。
高PAE ： 44 ％ （典型值）。
宽广的频率范围： 800 2000兆赫。
适用于10V A类操作
与AB类工作在12V
描述
该FLL400IP -2是一个35瓦的砷化镓场效应管，它采用推挽式设计而
提供易于匹配，更大的一致性和高更广阔的带宽
功率L波段放大器。此产品是有针对性地减小尺寸和复杂性
高线性，高功率基站发射放大器。这种新产品
特别适用于在PCS / PCN基站放大器，因为它提供了高增益的使用，
长期可靠性和易用性。
应用
固态基站功率放大器。
PCS / PCN通信系统。
绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）
参数
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
符号
V
DS
V
GS
P
T
T
英镑
T
ch
TC = 25°C
条件
等级
15
-5
107
-65到+175
+175
单位
V
V
W
°C
°C
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：
1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过12伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过54.4和-17.4毫安分别与
25Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。
电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）
项
漏电流
跨
捏-O FF电压
栅源击穿电压
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
漏电流
功率附加英法fi效率
输出功率1分贝G.C.P.
功率增益为1分贝G.C.P.
热阻
类型： IP
符号
I
DSS
gm
V
p
V
GSO
P
1dB
G
1dB
I
DSR
η
添加
P
1dB
G
1dB
R
th
V
DS
= 12V
f=1.96GHz
I
DS
= 2A
V
DS
= 10V
f=1.96GHz
I
DS
= 2A
渠道情况
条件
V
DS
= 5V, V
GS
=0V
V
DS
= 5V ，我
DS
=7.2A
V
DS
= 5V ，我
DS
=720mA
I
GS
= -720A
范围
分钟。典型值。马克斯。
-
-
-1.0
-5
44.5
9.0
-
-
-
-
-
12
6000
-2.0
-
45.5
10.0
6.0
44
44.5
10.0
1.0
16
-
-3.5
-
-
-
8.0
-
-
-
1.4
单位
A
mS
V
V
DBM
dB
A
%
DBM
dB
° C / W
G.C.P ：增益压缩点
1.6版
1999年12月
1
FLL400IP-2
L波段中&高功率GaAs FET
功率降额曲线
120
输出功率&
η
加上随输入功率
46
45
100
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
0
50
100
150
200
VDS = 12V
IDS = 2A
F = 1.96GHz
噘
50
40
总功耗（ W）
80
60
输出功率（dBm ）
40
η
添加
30
20
10
0
20
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
外壳温度（ ° C）
输入功率（dBm ）
输出功率与频率的关系
47
46
45
44
43
42
VDS = 12V
IDS = 2A
Pin=37dBm
输出功率（dBm ）
30dBm
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
1.8
1.85
1.9
1.95
2.0
20dBm
25dBm
频率（GHz ）
2
η
增加（ ％ ）
FLL400IP-2
L波段中&高功率GaAs FET
输出功率与IMD
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
-52
-54
-56
-58
-60
VDS = 12V
IDS = 2A
F = 1.96GHz
f
= + 5.0MHz
IM3
IMD （ DBC）
IM5
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
总输出功率（dBm ）
输出功率与IMD
-20
-22
-24
-26
-28
-30
-32
-34
-36
-38
-40
-42
-44
-46
-48
-50
-52
-54
-56
-58
-60
VDS = 10V
IDS = 5A
F = 1.96GHz
f
= + 5MHz的
IM3
IM5
IMD （ DBC）
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
总输出功率（dBm ）
3
FLL400IP-2
L波段中&高功率GaAs FET
机箱样式"IP"
金属陶瓷密封封装
22
±0.2
(0.866)
18.6
±0.2
(0.732)
2-1
(0.039)
45°
1
2
3.0 ± 0.5分钟。
(0.118)
0.1
+0.05
-0.01
(0.039)
2.4
(0.094)
2.6
±0.2
(0.102)
9.8
±0.2
(0.386)
6
5
2-R1.3
±0.2
(0.051)
5
(0.197)
13.8
±0.2
(0.543)
13.3
(0.523)
4
3
3.0 ± 0.5分钟。
(0.118)
2-1.4
(0.055)
5.5MAX
(0.217)
欲了解更多信息，请联系：
富士通化合物半导体股份有限公司。
2355 Zanker路。
加利福尼亚州圣何塞， 95131-1138 ， U.S.A.
电话： （ 408 ） 232-9500
传真： （ 408 ） 428-9111
www.fcsi.fujitsu.com
富士通微电子欧洲公司，有限公司
量子器件事业部
网络之家
Norreys驱动器
梅登黑德，伯克希尔SL6 4FJ
电话： +44 （ 0 ） 1628 504800
传真： +44 （ 0 ） 1628 504888
1.9
(0.075)
8.2
(0.332)
1 ， 2：门
3 ， 6 ：源
4,5 ：漏
单位：mm （英寸）
小心
富士通化合物半导体的产品包含
砷化镓
砷化镓（GaAs ）
这会危害人体和环境。
为安全起见，请遵循以下步骤：
不要将这些产品放入口中。
不要改变这个产品的形式转化为气体，粉末或液体
通过燃烧，粉碎，或化学处理，因为这些副产物
是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
遵守政府的法律和丢弃这个时候公司规定
产品。该产品必须按照方法被丢弃
适用危险废物的程序规定。
富士通公司保留更改产品规格，恕不另行通知。
信息不转达根据富士通公司或他人的权利的任何许可。
1999富士通化合物半导体股份有限公司。
美国印刷FCSI0799M200
4
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