【FLL300IL -1， FLL300IL -2， FLL300IL -3-L波段中&高功率】,IC型号FLL300IL-1,FLL300IL-1 PDF资料,FLL300IL-1经销商,ic,电子元器件-51电子网

FLL300IL -1， FLL300IL -2， FLL300IL -3-

L波段中&高功率GaAs FET

特点

高输出功率： P1dB为44.5dBm = （典型值）

高增益： G1dB = 12.0分贝（典型值） @ 1.8GHz的（ FLL300IL - 2 ）

高PAE ：

添加= 44 ％（典型值）。

久经考验的可靠性

密封包装

描述

该FLL300IL -1， FLL300IL -2， FLL300IL -3的功率GaAs FET的是

专门设计为在L波段频率与提供高功率

增益，线性度和效率优于硅器件。该

在多音环境为AB类的操作，请性能

它们非常适用于基站应用。

富士通的严格的质量保证计划，保证最高

可靠性和一致的性能。

绝对最大额定值（环境温度Ta = 25 ℃）

项

漏源电压

栅源电压

总功耗

储存温度

通道温度

符号

VDS

VGS

TSTG

总胆固醇

TC = 25°C

条件

等级

-5

100

-65到+175

175

单位

°C

富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下：

1.漏极 - 源极的工作电压（VDS）不应超过10伏。

2.正向和反向栅极电流不应超过80.4和-17.4毫安分别与

25Ω的栅极电阻。

3.工作通道温度（ TCH）应不超过145 ℃。

电气特性（环境温度Ta = 25 ℃）

项

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

符号

IDSS

测试条件*

VDS = 5V ， VGS = 0V

VDS = 5V ， IDS = 7200毫安

VDS = 5V ， IDS = 720毫安

f=900MHz

f=1.8GHz

f=2.6GHz

f=900MHz

f=1.8GHz

f=2.6GHz

11.0

10.0

8.0

13.0

12.0

10.0

6.0

1.1

8.0

1.5

° C / W

°C

43.0

44.5

DBM

分钟。

-1.0

-5

极限

典型值。马克斯。

6000

-2.0

-3.5

单位

门源击穿电压

VGSO IGS = -720μA

FLL300IL-1

输出功率

FLL300IL-2

P1dB

在1分贝G.C.P.

VDS = 10V

FLL300IL-3

IDS

0.5 IDSS

FLL300IL-1

（典型值）。

功率增益

FLL300IL-2

G1dB

在1分贝G.C.P.

FLL300IL-3

漏电流

功率附加效率

热阻

通道温度上升

类型：

*在固定VGS偏置条件

IDSR

添加

RTH

VDS = 10V

IDS

0.5 IDSS （典型值）。

渠道情况

（ 10V X IDSR - 噘+引脚）× Rth的

G.C.P ：增益压缩点

1.2版

1999年7月

FLL300IL -1， FLL300IL -2， FLL300IL -3-

L波段中&高功率GaAs FET

功率降额曲线

总功耗（ W）

120

100

150

200

外壳温度（ ° C）

漏极电流与漏源电压

漏电流（ A）

VGS = 0V

-0.5V

-1.0V

-1.5V

-2.0V

漏源极电压（ V）

FLL300IL-1

L波段中&高功率GaAs FET

+j50

+j100

+j25

1.5GHz

0.5GHz

S11

S22

+90°

S21

S12

+j250

+j10

1.0

1.5GHz

1.0

1.3

100

250

1.5GHz

0.5GHz

180°

1.0

0.5GHz

1.5GHz

量表| S21 |

0°

-j10

-j250

.01

-j25

-j50

.02

-j100

-90°

S-参数

VDS = 10V ， IDS = 6000毫安

频率

（兆赫）

500

600

700

800

900

1000

1100

1200

1300

1400

1500

S11

MAG

.961

.957

.956

.955

.948

.943

.933

.923

.910

.898

.875

S21

昂

176.7

174.7

172.5

170.6

168.2

166.0

161.9

158.8

155.1

151.0

145.8

S12

昂

70.0

64.9

59.9

55.1

49.6

44.5

37.9

31.7

24.7

16.8

8.4

量表| S12 |

S22

昂

26.1

26.6

33.0

32.2

28.6

25.7

32.6

25.2

23.1

19.7

15.1

MAG

1.318

1.162

1.053

.989

.951

.944

.952

.975

1.021

1.094

1.182

MAG

.005

.006

.007

.008

.009

.010

.012

.015

.017

.023

MAG

.889

.884

.880

.871

.865

.855

.841

.828

.810

.789

.760

昂

174.0

173.0

171.7

170.5

169.5

167.7

167.0

165.1

163.3

161.1

158.9

下载S参数，请点击这里

输出功率与输入功率

VDS=10V

IDS

≈

0.5 IDSS

F = 0.9 GHz的

输出功率（dBm ）

噘

增加（％）

添加

23 25 27 29 31 33

输入功率（dBm ）

FLL300IL-2

L波段中&高功率GaAs FET

+j50

+j100

+j25

2.2

2.0

1.4

+j10

1.2

1.6

1.8 2.2

1.6

1.2

2.0

S11

S22

+90°C

S21

S12

2.6

2.4

+j250

2.6

2.8

100

250

±180°

量表| S |

2.0

2.4

2.2

2.6

2.4

2.4 1.8

2.6

2.8

1.2

3.0

2.2

1.8

量表| S12 |

3.0

1.4

1.6

2.8

1.8

0.1

2.8

0°

-j10

3.0

-j250

2.0

3.0

-j25

-j50

-j100

0.2

S-参数

VDS = 10V ， IDS = 6000毫安

S21

昂

167.2

164.6

161.0

157.3

153.3

148.3

142.2

137.8

144.5

161.1

162.2

154.3

150.0

139.4

125.1

106.2

75.9

23.4

-45.8

-94.8

-123.6

-90°C

频率

（兆赫）

1000

1100

1200

1300

1400

1500

1600

1700

1800

1900

2000

2100

2200

2300

2400

2500

2600

2700

2800

2900

3000

S11

MAG

.953

.944

.933

.923

.903

.864

.788

.654

.506

.522

.652

.716

.746

.771

.763

.722

.626

.508

.544

.686

.791

S12

昂

34.0

28.0

21.5

14.0

5.3

-6.9

-23.0

-45.3

-74.2

-104.9

-131.4

-149.5

-167.8

171.9

152.6

133.4

106.5

73.3

36.7

3.4

-22.0

S22

昂

-32.3

-31.6

-50.9

-50.6

-60.5

-71.2

-86.6

-109.7

-136.9

-167.7

165.4

148.1

129.7

110.3

91.3

71.1

41.9

9.1

-25.1

-63.2

-90.8

MAG

.788

.811

.882

.997

1.169

1.419

1.752

2.179

2.526

2.523

2.249

1.946

1.984

1.902

1.887

1.935

1.998

1.932

1.613

1.136

.726

MAG

.003

.005

.006

.007

.008

.010

.014

.018

.023

.024

.022

.021

.023

.022

.023

.025

.027

.026

.021

.016

.010

MAG

.869

.864

.859

.857

.850

.853

.868

.889

.923

.907

.852

.789

.730

.644

.555

.460

.323

.161

.031

.210

.370

昂

169.9

169.0

167.9

166.2

165.2

164.7

162.7

160.0

155.3

148.1

141.8

136.7

130.5

124.2

117.9

113.5

103.1

89.3

-62.8

-105.9

-118.5

输出功率与输入功率

VDS=10V

IDS

≈

0.5 IDSS

F = 1.8 GHz的

噘

下载S参数，请点击这里

输出功率（dBm ）

增加（％）

添加

24 26 28 30 32 34

输入功率（dBm ）

FLL300IL-3

L波段中&高功率GaAs FET

+j50

+j25

1.5GHz

2.5

2.0

1.5GHz

2.5

3.0

2.5

S11

S22

+j100

+90°

S21

S12

.04

2.5

.03

+j250

量表| S12 |

+j10

.02

.01

3.0

3.5

100

3.0

250

180°

3.5

1.5

3.0

量表| S21 |

3.5

2.0

0°

1.5

-j10

3.5

-j250

2.0

-j25

-j50

-j100

S-参数

VDS = 10V ， IDS = 6000毫安

S21

昂

130.6

123.3

114.2

102.9

88.8

71.7

54.5

173.9

175.2

157.4

137.6

119.7

99.3

72.8

37.9

-4.7

-44.2

-80.2

-109.5

-131.0

-147.1

-90°

频率

（兆赫）

1500

1600

1700

1800

1900

2000

2100

2200

2300

2400

2500

2600

2700

2800

2900

3000

3100

3200

3300

3400

3500

S11

MAG

.902

.872

.829

.756

.645

.463

.217

.065

.285

.441

.523

.560

.583

.578

.564

.605

.731

.813

.864

.895

S12

昂

-3.1

-13.4

-25.8

-40.5

-57.7

-78.8

-103.5

-129.4

-153.9

-176.2

166.5

146.9

126.7

104.2

79.1

51.3

20.3

-9.0

-32.7

-52.7

-69.8

S22

昂

-55.7

-69.8

-81.5

-96.1

-113.4

-134.7

-160.3

173.7

150.2

128.8

110.8

91.6

72.2

49.8

28.0

0.5

-33.2

-63.6

-88.0

-106.9

-121.2

MAG

1.169

1.324

1.539

1.824

2.199

2.604

2.939

3.080

3.055

2.938

2.843

2.768

2.791

2.840

2.854

2.789

2.536

1.981

1.502

1.130

.853

MAG

.009

.010

.012

.016

.019

.024

.028

.031

.032

.033

.035

.036

.039

.031

.023

.019

.013

MAG

.854

.852

.847

.854

.860

.867

.848

.808

.752

.700

.628

.550

.461

.348

.208

.081

.132

.253

.345

.408

昂

155.0

153.2

150.7

148.5

146.1

142.2

137.4

131.6

125.3

119.7

119.6

113.6

109.0

102.5

94.4

91.8

125.9

-167.4

-158.6

-162.2

-168.1

输出功率与输入功率

VDS=10V

IDS

≈

0.5 IDSS

F = 2.6 GHz的

噘

下载S参数，请点击这里

输出功率（dBm ）

增加（％）

添加

26 28 30 32 34 36

输入功率（dBm ）