【我们所有的客户关于文件中提到的名字，如三菱的变化电气和三菱XX ，瑞萨科技公司日立和三菱电机的半导体】,IC型号FL16KM-6A,FL16KM-6A PDF资料,FL16KM-6A经销商,ic,电子元器件-51电子网

我们所有的客户

关于文件中提到的名字，如三菱的变化

电气和三菱XX ，瑞萨科技公司

日立和三菱电机的半导体业务转移到瑞萨

科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟

和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等

因此，虽然三菱电机，三菱电机株式会社，三菱

半导体及其他三菱品牌名称提到的文件中，这些名称

已在事实上，所有被更改为瑞萨科技公司感谢您的理解。

除了我们的企业商标，标识和公司声明，没有改变任何已经

到文档中的内容作出，而这些变化不构成任何改动的

文件本身的内容。

注：三菱电机将继续高频&光学器件的业务运营

与功率器件。

瑞萨科技公司

客户服务部

2003年4月1日

三菱N沟道功率MOSFET

FL16KM-6A

高速开关使用

FL16KM-6A

外形绘图

10 ± 0.3

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

4.5 ± 0.2

2.6 ± 0.2

q

10V驱动器

q

V

DSS ................................................. ..............................

300V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.35

q

I

D .........................................................................................

16A

门

漏

来源

TO-220FN

应用

开关电源，逆变器的荧光灯套等

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

L = 200μH

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

300

±30

16

48

16

35

–55 ~ +150

单位

V

A

W

°C

V

g

2002年3月

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

2000

2.0

三菱N沟道功率MOSFET

FL16KM-6A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

GS

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

范围

分钟。

300

±30

—

2.0

—

典型值。

—

3.0

0.29

2.32

10

950

175

20

15

30

150

60

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4.0

0.35

2.80

—

2.0

3.57

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

V

DD

= 150V ，我

D

= 8A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 8A ，V

GS

= 0V

渠道情况

性能曲线

功耗降额曲线

50

最大安全工作区

10

2

7

5

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

40

3

2

TW = 10微秒

10

1

7

5

3

2

30

100s

1ms

10ms

20

10

0

7

5

3

2

T

C

= 25°C

单脉冲

10

0

50

100

150

200

10

–1

DC

3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

2 3

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

P

D

= 35W

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 20V

10V

7V

6V

5.5V

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

40

V

GS

= 20V

10V

7V

6V

16

30

12

5V

20

5V

8

4.5V

10

4V

4

4V

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

2002年3月

三菱N沟道功率MOSFET

FL16KM-6A

高速开关使用

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

I

D

= 30A

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

0.5

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

16

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

0.4

V

GS

= 10V

20V

12

0.3

8

16A

0.2

4

8A

0.1

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

5

4

3

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

2

24

10

1

7

5

4

3

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

16

8

0

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

0

7

5

V

DS

= 10V

脉冲测试

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

0

4

8

12

16

20

10

0

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

3

2

开关特性

（典型值）

t

D（关闭）

t

f

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

4

3

2

10

3

7

5

3

2

西塞

t

r

10

2

7

5

3 T

C

H = 25℃

2 F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

科斯

t

D（上）

10

1

7

5

4

3

CRSS

10

1

T

C

H = 25℃

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3

10

0

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

2002年3月

三菱N沟道功率MOSFET

FL16KM-6A

高速开关使用

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

20

T

C

H = 25℃

I

D

= 16A

V

DS

= 50V

100V

16

32

T

C

= 125°C

75°C

25°C

12

200V

24

8

16

4

8

0

10

20

30

40

50

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 10V

7 I

D

= 8A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

3.0

10

0

7

5

3

2

2.0

1.0

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH- C）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5 D = 1.0

3

0.5

2

1.2

10

0

0.2

7

5 0.1

3

2

P

DM

0.05

0.02

0.01

单脉冲

tw

T

D

=

tw

T

1.0

0.8

10

–1

7

5

3

2

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

沟道温度Tch （ ° C）

2002年3月

三菱N沟道功率MOSFET

.

ATION

NGE 。

pecific要查

INAL SE主题

af

不限制AR

这

otice ：参

N

一些

P

AR

IMIN

REL

Y

FL16KM-6A

高速开关使用

FL16KM-6A

外形绘图

10 ± 0.3

尺寸（mm）

2.8 ± 0.2

15 ± 0.3

φ

3.2 ± 0.2

14 ± 0.5

3.6 ± 0.3

1.1 ± 0.2

0.75 ± 0.15

6.5 ± 0.3

3 ± 0.3

0.75 ± 0.15

2.54 ± 0.25

2.6 ± 0.2

q

10V驱动器

q

V

DSS ................................................. ..............................

300V

q

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ..................

0.35

q

I

D .........................................................................................

16A

门

漏

来源

TO-220FN

应用

开关电源，逆变器荧光灯

灯等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

DA

P

D

T

ch

T

英镑

V

ISO

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

雪崩漏电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

隔离电压

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

300

±30

16

48

16

35

–55 ~ +150

2000

2.0

4.5 ± 0.2

单位

V

A

W

°C

V

g

Sep.1998

L = 200μH

交流时间1分钟，终端到外壳

典型的价值

三菱N沟道功率MOSFET

.

ATION

NGE 。

pecific要查

INAL SE主题

af

不限制AR

这

otice ：参

N

一些

P

AR

IMIN

REL

Y

FL16KM-6A

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

参数

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

GS

= -100μA ，V

DS

= 0V

V

GS

= ±25V, V

DS

= 0V

V

DS

= 300V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

300

±30

—

2.0

—

典型值。

—

3.0

0.29

2.32

10

950

175

20

15

30

150

60

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4.0

0.35

2.80

—

2.0

3.57

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

V

DD

= 150V ，我

D

= 8A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 8A ，V

GS

= 0V

渠道情况

性能曲线

功耗降额曲线

50

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

2

7

5

3

2

40

TW = 10微秒

10

1

7

5

3

2

30

100s

1ms

10ms

20

10

0

7

5

3

2

T

C

= 25°C

单脉冲

10

0

50

100

150

200

10

–1

DC

3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3 5 7

10

3

2 3

案例温度T

C

(°C)

漏源电压V

DS

(V)

输出特性

（典型值）

50

P

D

= 35W

T

C

= 25°C

脉冲测试

输出特性

（典型值）

20

T

C

= 25°C

脉冲测试

V

GS

= 20V

10V

7V

6V

5.5V

漏电流I

D

(A)

40

漏电流I

D

(A)

V

GS

= 20V

10V

7V

6V

16

30

12

5V

20

5V

8

4.5V

10

4V

4

4V

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

.

ATION

NGE 。

pecific要查

INAL SE主题

af

不限制AR

这

otice ：参

N

一些

P

AR

IMIN

REL

Y

FL16KM-6A

高速开关使用

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

0.5

I

D

= 30A

T

C

= 25°C

脉冲测试

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

16

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.4

V

GS

= 10V

20V

12

0.3

8

16A

0.2

4

8A

0.1

0

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

漏电流I

D

(A)

0

4

8

12

16

20

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

5

4

3

正向转移导纳

与漏电流

（典型值）

漏电流I

D

(A)

正向传递

导纳

y

fs

(S)

32

2

24

10

1

7

5

4

3

2

T

C

= 25°C

75°C

125°C

16

8

0

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

0

7

5

V

DS

= 10V

脉冲测试

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

0

4

8

12

16

20

10

0

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

电容与

漏源电压

（典型值）

10

4

7

5

3

2

3

2

开关特性

（典型值）

t

D（关闭）

t

f

切换时间（纳秒）

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

4

3

2

10

3

7

5

3

2

西塞

t

r

10

2

7

5

3 T

C

H = 25℃

2 F = 1MH

Z

V

GS

= 0V

科斯

t

D（上）

10

1

7

5

4

3

CRSS

10

1

T

C

H = 25℃

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 50

2

3 4 5 7

10

1

2

3 4 5 7

10

2

3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

2 3

10

0

漏源电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Sep.1998

三菱N沟道功率MOSFET

.

ATION

NGE 。

pecific要查

INAL SE主题

af

不限制AR

这

otice ：参

N

一些

P

AR

IMIN

REL

Y

FL16KM-6A

高速开关使用

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

40

源电流我

S

(A)

V

GS

= 0V

脉冲测试

栅源电压

VS.栅极电荷

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

20

T

C

H = 25℃

I

D

= 16A

16

V

DS

= 50V

100V

200V

32

T

C

= 125°C

75°C

25°C

12

24

8

16

4

8

0

4

8

12

16

20

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

V

GS

= 10V

7 I

D

= 8A

5脉冲测试

3

2

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

3.0

10

0

7

5

3

2

2.0

1.0

10

–1

–50

0

50

100

150

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

瞬态热阻抗Z

日（ CH - C ）

（ ° C / W）

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

1.4

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5 D = 1.0

3

0.5

2

1.2

10

0

0.2

7

5 0.1

3

2

P

DM

0.05

0.02

0.01

单脉冲

tw

T

D

=

tw

T

1.0

0.8

10

–1

7

5

3

2

0.6

0.4

–50

0

50

100

150

10

–2 –4

10

2 3 5 7

10

–3

2 3 5 7

10

–2

2 3 5 7

10

–1

2 3 5 7

10

0

2 3 5 7

10

1

2 3 5 7

10

2

脉冲宽度t

w

(s)

Sep.1998

沟道温度Tch （ ° C）