【FKPF3N80FKPF3N80应用说明交换式电源供应器，调光器，电动闪光单元电视机，音响，冰箱，洗】,IC型号FKPF3N80,FKPF3N80 PDF资料,FKPF3N80经销商,ic,电子元器件-51电子网

FKPF3N80

应用说明

交换式电源供应器，调光器，电动闪光单元

电视机，音响，冰箱，洗衣机，面包机

电热毯，电磁驱动器，小型马达控制器

照片复印机，电动工具

1: T

2: T

3 ：门

1 2 3

TO-220F

双向晶闸管平面硅

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

DRM

参数

重复峰值断态电压

（注1）

等级

800

单位

符号

T（ RMS ）

TSM

的di / dt

G（ AV ）

英镑

ISO

参数

RMS通态电流

浪涌通态电流

对于融合

条件

商用频率的正弦波全波360°

导通，T

=110°C

正弦波1完整周期，峰值，

不重复

50Hz

60Hz

等级

4.5

0.5

- 40 ~ 125

单位

A / μs的

°C

相当于半波的1个周期的价值，

浪涌通态电流， TP = 10ms的

= 2X我

， TR

≤

100ns

通态电流临界上升率

栅极峰值功耗

平均门功耗

峰值栅极电压

栅极峰值电流

结温

储存温度

隔离电压

TA = 25° C， AC 1分钟，T

3G终端到

例

1500

热特性

符号

日（J -C ）

参数

热阻

测试条件

结到外壳

（注4 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

4.3

单位

° C / W

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年4月

FKPF3N80

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

DRM

参数

Repetieive峰值断态电流

通态电压

III

dv / dt的

（ dv / dt的）

门极触发电流

（注2 ）

门非触发电压

保持电流

闭锁电流

的临界上升率

关闭状态Voltag

临界速率的断态崛起

整流电压

（注3）

I, III

DRM

=额定，T

= 125°C,

指数上升

III

= 125°C ，V

=1/2V

DRM

= 12V，我

= 1A

= 12V，我

= 1.2I

= 12V ，R

=20

= 12V ，R

=20

测试条件

DRM

应用的

= 25 ° C，I

=4.5A

瞬时测量

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

T2 （ + ），门（ + ）

T2（ +），门（ - ）

T 2 （ - ），门（ - ）

分钟。

0.2

典型值。

300

马克斯。

1.5

单位

V / μs的

门极触发电压

（注2 ）

注意事项：

1.门打开

使用门极触发特性测量电路2.测量

3.临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表

4.接触热阻R

TH（ C-F ）

万一润滑的是0.5

° C / W

DRM

(V)

测试条件

整流电压和电流波形

（感性负载）

FKPF3N80

1.结温

=125°C

对状态衰变率2

换向电流

（ di / dt的）

= - 1.5A / MS

3.峰值断态电压

= 400V

电源电压

（ di / dt的）

主流

时间

主电压

（ dv / dt的）

时间

象限定义的三端双向可控硅

T2正

(+) T2

(-) I

门

(-) T2

(+) I

门

+ I

(+) T2

第二象限

我象限

第三象限

(-) I

门

(+) I

门

第四象限

T2负

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年4月

FKPF3N80

典型曲线

25 C

峰值浪涌通态电流[ A]

通态电流[ A]

125 C

60Hz

50Hz

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

100

导通状态电压[ V]

循环次数在50Hz和60Hz

图1.最大通态特性

图2.额定浪涌通态电流

=10V

=5W

G（ AV ）

=0.5W

=1.5V

=2A

归一门极触发电流[ ％ ]

100

1000

栅极电压[ V]的

100

Ⅲ

Ⅰ

, I

Ⅱ

0.1

RGT

Ⅰ

FGT

Ⅰ

, I

RGT

Ⅲ

100

=0.2V

1000

10000

-60

-40

-20

100

120

140

门电流[mA ]

结温[C]

图3.门特点

图4.门极触发电流与TJ

归一门极触发电压[ ％ ]

1000

100

瞬态热阻抗

结到外壳

日（J -C ）

[C / W]

100

0.1

-60

-40

-20

100

120

140

0.01

1E-3

0.01

0.1

100

结温[C]

时间[秒]

图5.门极触发电压VS TJ

图6.瞬态热阻抗

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年4月

FKPF3N80

典型曲线

（继续）

160

140

120

100

160

最大允许环境

温[C]

外壳温度[C]

①

无散热器

②

30 × 30 × 2毫米AL HEAT SINK

③

50×50× 2毫米铝热沉

④

70 × 70 × 2毫米AL HEAT SINK

⑤

100 × 100 × 2毫米AL HEAT SINK

140

120

100

曲线适用于基于何种

导通角

⑤

④

③

①

②

360

传导

电阻式，

电感

负载

RMS通态电流[ A]

图7.允许环境温度

VS RMS通态电流

归一化REPETIVITE断态电流[ ％ ]

图8.允许外壳温度

VS RMS通态电流

通态功耗[ W]

360

传导

电阻式，

电感

负载

典型的例子

-60

-40

-20

100

120

140

RMS通态CURRNT [ A]

结温[

℃

]

图9.最大通态功耗

图10.重复峰值断态电流

VS结温

1000

归一化擎住电流[ ％ ]

归一化控股电流[ ％ ]

Ⅲ

100

Ⅰ

, I

Ⅱ

-60

-40

-20

100

120

140

-60

-40

-20

100

120

140

结温[C]

图11.保持电流与

结温

图12. Laching电流与

结温

2004仙童半导体公司

版本A ， 2004年4月

FKPF3N80

典型曲线

（继续）

典型的例子

140

120

100

-60

归一门极触发电流[ ％ ]

160

1000

归一化转折电压[ ％ ]

Ⅱ

Ⅲ

100

Ⅰ

-40

-20

100

120

140

100

结温[C]

栅电流脉冲宽度[

图13.击穿电压 -

结温

图14.门极触发电流 -

栅电流脉冲宽度

崛起的断态临界速率

换相电压[V / US ]

160

归一化转折电压[ ％ ]

140

120

100

典型的例子

Tj=125

℃

100

典型

例子

=125 C

=4A

= 500US

=200V

F=3Hz

Ⅰ

象限

Ⅰ

象限

Ⅲ

象限

Ⅲ

象限

100

1000

10000

增长速度态电压[V / US ]

通态衰变率

换向电流[A / MS ]

图15.击穿电压 -

上升速率断态电压

图16.整流特性

2004仙童半导体公司

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