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MOSFET
FKP252
十二月。 2005年
■特点
低导通电阻
低输入电容
雪崩能源保障能力
█Package
---TO220F
■应用
PDP驱动
高速开关
●等效
电路
D (2)
G (1)
S (3)
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID（
脉冲）
*1
PD
EAS
*2
IAS
总胆固醇
TSTG
等级
250
±30
±25A
±100A
40 （TC = 25℃ ）
200
25
150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
mJ
A
°C
°C
* 1 PW≤100μsec ，值班cycle≤1 ％
* 2 VDD = 20V ， L = 590μH ， ILP = 25A ，松开， RG = 50Ω ，参见图1
.
三垦电气有限公司。
http://www.sanken-ele.co.jp/en/
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T02-003EA-051206
MOSFET
FKP252
十二月。 2005年
电气特性
(Ta=25°C)
特征
符号
测试条件
范围
分钟。
250
±100
100
3.0
13
21
68
2000
330
70
30
50
75
4.5
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
μA
V
S
m
漏源击穿电压
门源漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
正向跨导
静态漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极阈值电压温度。
系数
V（ BR ） DSS
IGSS
IDSS
VTH
回复（ YFS ）
RDS （ ON）
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
VSD
± Vth的
/
Δ
总胆固醇
I
D
=100μA,V
GS
=0V
V
GS
=±30V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
V
DS
= 10V ，我
D
=12A
I
D
= 12A ，V
GS
=10V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 12A ，V
DD
≈
120V
RL = 10Ω ， VGS = 10V
Rg=5
见图2
I
SD
=25A,V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
pF
ns
100
40
0.9
-8
1.5
V
毫伏/°C的
三垦电气有限公司。
T02-003EA-051206
2/9
MOSFET
FKP252
十二月。 2005年
特性曲线
ID- VDS特性（典型值）
25
VGS=10
6.0
25
(Tc=25°C)
ID- VGS特性（典型值）
VDS=10V
20
5.5
20
15
ID （ A）
ID （ A）
15
10
5.0
10
Tc=-55℃
TC = 25 ℃
Tc=125℃
5
5
0
0
2
4
VDS （ V）
RDS （ ON） -ID特性（典型值）
VGS=10V
0.12
4
6
8
10
0
0
2
4
VGS （ V）
6
8
10
VDS - VGS特性（典型值）
0.10
3
0.08
RDS（ON） （ Ω ）
VDS （ V）
0.06
2
ID=25A
0.04
1
0.02
ID=12A
0.00
0
5
10
ID （ A）
15
20
25
0
1
10
VGS （ V）
100
RDS （ ON） -Tc特性（典型值）
0.20
ID=12A
VGS=10V
RDS（ON） （ Ω ）
0.10
0.00
-100
-50
0
Ｔ½ (℃)
50
100
150
三垦电气有限公司。
T02-003EA-051206
3/9
MOSFET
FKP252
十二月。 2005年
特性曲线
回复（ YFS ） -ID特性（典型值）
VDS=10V
100
10000
(Tc=25°C)
电容- VDS特性（典型值）
f=1MHz
VGS=0V
10
西塞
重（ YFS ）（S）
TC = 25 ℃
Tc=125℃
0.1
Capacitacnce （PF ）
1
Tc=-55℃
1000
COS
100
0.01
0.01
CRS
0.1
1
ID （ A）
10
100
IDR - VSD特性（典型值）
10
25
0
10
20
VDS （ V）
30
40
50
20
1000
安全工作区
15
IDR （ A）
号（脉冲）最大
100
10
ID最多
100μs(1shot)
10V
5
VGS=0V
ID [ A]
10
RDS （ ON）有限公司
0
0.0
1
0.2
0.4
0.6
VSD （V）的
0.8
1.0
1.2
1毫秒（ 1SHOT ）
P D-钽碳公顷R A CT呃IST集成电路
50
Tc=25℃
0.1
40
具有无穷散热器
30
PD （W）的
0.01
0.1
1
10
VDS [V]的
100
直流操作
1000
20
10
无需散热器
0
0
50
TA（ ℃ ）
100
150
三垦电气有限公司。
T02-003EA-051206
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MOSFET
FKP252
十二月。 2005年
图1非钳位感应测试方法（雪崩能量）
L
E
AS
=
V
（ BR ） DSS
1
??升??我
LP
2
2
V
（ BR ） DSS
V
DD
I
L
V
DS
I
Lp
R
G
V
GS
0V
V
DD
I
L
V
DS
V
（ BR ） DSS
V
DD
（ a）测试电路
（二）波形
Fig.2
开关时间测试方法
R
L
I
D
V
DS
R
G
V
GS
0V
P.W.=10μs
占空比= 1 ％
V
DD
VDD≈120V
I
D
=12A
R
L
=10
V
GS
=10V
R
G
=5
（ a）测试电路
90%
V
GS
10%
90%
V
DS
10%
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
（二）输出波形
三垦电气有限公司。
T02-003EA-051206
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