【三菱N沟道功率MOSFETFK16VS-5高速开关使用FK16VS-5外形绘图r1.5MAX.尺寸（】,IC型号FK16VS-5,FK16VS-5 PDF资料,FK16VS-5经销商,ic,电子元器件-51电子网

三菱N沟道功率MOSFET

FK16VS-5

高速开关使用

FK16VS-5

外形绘图

r

1.5MAX.

尺寸（mm）

4.5

1.3

10.5MAX.

1.5MAX.

8.6 ± 0.3

9.8 ± 0.5

3.0

+0.3

–0.5

0

–0

+0.3

1

5

0.8

0.5

Q宽E

wr

2.6 ± 0.4

V

DSS ................................................. ...............................

250V

r

DS （ ON）（ MAX ） ........................................... ...................

0.31

I

D .........................................................................................

16A

综合

快恢复二极管（ MAX 。） ........为150ns

q

门

w

漏

e

来源

r

漏

e

TO-220S

应用

伺服电机驱动，机器人， UPS ，逆变器原子荧光

灯等。

最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

DM

I

S

I

SM

P

D

T

ch

T

英镑

—

（ TC = 25 ° C）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏电流（脉冲）

源出电流

源电流（脉冲）

最大功率耗散

通道温度

储存温度

重量

V

GS

= 0V

V

DS

= 0V

条件

评级

250

±30

16

48

16

48

125

–55 ~ +150

1.2

4.5

单位

V

A

W

°C

g

Feb.1999

典型的价值

(1.5)

三菱N沟道功率MOSFET

FK16VS-5

高速开关使用

电气特性

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

V

DS （ ON）

y

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

SD

R

TH（ CH-C ）

t

rr

参数

（总胆固醇= 25 ℃）下

测试条件

I

D

= 1mA时， V

GS

= 0V

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0V

V

GS

=

±25V,

V

DS

= 0V

V

DS

= 250V, V

GS

= 0V

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

GS

= 10V

I

D

= 8A ，V

DS

= 10V

V

DS

= 25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

范围

分钟。

250

±30

—

2

—

6.5

—

典型值。

—

3

0.24

1.92

10.0

1050

220

45

20

40

110

50

1.5

—

马克斯。

—

±10

1

4

0.31

2.48

—

2.0

1.00

150

单位

V

A

mA

V

S

pF

ns

V

° C / W

ns

漏源击穿电压

栅源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

漏源通态电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

源 - 漏电压

热阻

反向恢复时间

V

DD

= 150V ，我

D

= 8A ，V

GS

= 10V ，R

根

= R

GS

= 50

I

S

= 8A ，V

GS

= 0V

渠道情况

I

S

= 16A ，D

is

/d

t

= -100A / μs的

性能曲线

功耗降额曲线

200

功耗P

D

(W)

漏电流I

D

(A)

最大安全工作区

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

tw=10s

100s

1ms

10ms

T

C

= 25°C

单脉冲

DC

160

120

80

40

0

50

100

150

200

10

–1

10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3 5 7 10

3

漏源电压V

DS

(V)

Feb.1999

案例温度T

C

(°C)

三菱N沟道功率MOSFET

FK16VS-5

高速开关使用

输出特性

（典型值）

50

P

D

=

125W

漏电流I

D

(A)

40

V

GS

= 20V

10V

7V

30

6V

T

C

= 25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

输出特性

（典型值）

V

GS

=20V

10V

20

P

D

= 125W

6V

16

T

C

= 25°C

脉冲测试

5.5V

12

20

8

5V

10

5V

4

4.5V

0

10

20

30

40

50

0

4

8

12

16

20

漏源电压V

DS

(V)

漏源电压V

DS

(V)

导通电压VS.

栅源电压

（典型值）

20

漏极 - 源极导通状态

电压V

DS （ ON）

(V)

漏极 - 源极导通状态

电阻R

DS （ ON）

()

T

C

= 25°C

脉冲测试

16

0.5

通态电阻VS.

漏电流

（典型值）

T

C

= 25°C

脉冲测试

0.4

20V

0.3

V

GS

= 10V

12

I

D

= 30A

8

16A

4

8A

0

4

8

12

16

20

0.2

0.1

0

10

–1

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

传输特性

（典型值）

40

漏电流I

D

(A)

T

C

= 25°C

V

DS

= 50V

脉冲测试

10

1

7

5

正向传递

导纳

y

fs

(S)

3

2

10

0

7

5

3

2

正向转移导纳

VS.DRAIN CURRENT

（典型值）

T

C

= 25°C

75°C

125°C

32

24

16

8

0

4

8

12

16

20

10

–1 0

10

V

DS

= 10V

脉冲测试

2 3

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FK16VS-5

高速开关使用

电容与

漏源电压

（典型值）

5

3

2

电容

西塞，科斯，的Crss （PF ）

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

CRSS

3总胆固醇= 25°C

2 F = 1MHz的

V

GS

= 0V

10

0

2 3 5 7 10

0

2 3 5 7 10

1

2 3 5 7 10

2

2 3

漏源电压V

DS

(V)

西塞

切换时间（纳秒）

10

3

7

5

3

2

t

D（关闭）

10

2

7

5

3

2

10

1

10

0

2 3

开关特性

（典型值）

TCH = 25°C

V

DD

= 150V

V

GS

= 10V

R

根

= R

GS

= 25

科斯

t

f

t

r

t

D（上）

5 7 10

1

2 3

5 7 10

2

漏电流I

D

(A)

栅源电压

VS.GATE CHARGE

（典型值）

栅极 - 源极电压V

GS

(V)

20

源电流我

S

(A)

TCH = 25°C

I

D

= 16A

16

V

DS

= 50V

100V

200V

8

40

源极 - 漏极二极管

正向特性

（典型值）

V

GS

= 0V

脉冲测试

75°C

24

25°C

T

C

= 125°C

32

12

16

4

8

0

20

40

60

80

100

0

0.8

1.6

2.4

3.2

4.0

栅极电荷q

g

（ NC ）

源极 - 漏极电压V

SD

(V)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

(25°C)

漏源通态电阻R

DS （ ON）

（T ° C）

通态电阻VS.

通道温度

（典型值）

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

10

–1

0

50

100

150

200

250

5.0

门极 - 源

电压V

GS （ TH）

(V)

V

GS

= 10V

I

D

= 1/2I

D

脉冲测试

阈值电压 -

通道温度

（典型值）

V

DS

= 10V

I

D

= 1毫安

4.0

3.0

2.0

1.0

0

–50

0

50

100

150

沟道温度Tch （ ° C）

Feb.1999

三菱N沟道功率MOSFET

FK16VS-5

高速开关使用

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

(25°C)

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

（T ° C）

击穿电压VS.

通道温度

（典型值）

V

GS

= 0V

I

D

= 1毫安

1.2

反向恢复时间吨

rr

（纳秒）

1.4

1.0

0.8

10

2

7

5

3

2

10

1 0

10

t

rr

10

1

7

5

3

2

0.6

IRR

T

ch

= 25°C

T

ch

= 150°C

2 3

5 7 10

1

2 3

0.4

–50

0

50

100

150

10

0

5 7 10

2

沟道温度Tch （ ° C）

反向恢复电流我

rr

(A)

瞬态热阻抗Z

TH（ CH-C ）

（ ° C / W）

二极管的反向VS.

源电流D

is

/d

t

特征

（典型值）

10

2

10

3

I

S

= 16A

7

5

V

GS

= 0V

3

V

DD

= 150V 3

2

10

2

7

5

3

2

10

1

7

5

3

2

10

0

10

1

2 3

5 7 10

2

t

rr

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

源电流我

S

(A)

瞬态热阻抗

特征

10

1

7

5

3

2

10

0

7

5

3

2

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

tw

T

D = TW

T

反向恢复时间吨

rr

（纳秒）

I

rr

T

ch

= 25°C

T

ch

= 150°C

2 3

10

–1

7

5

3

2

10

–1

5 7 10

3

单脉冲

10

–2

10

–4

2 3 5710

–3

2 3 5710

–2

2 3 5710

–1

2 3 5710

0

2 3 5710

1

2 3 5710

2

脉冲宽度t

w

(s)

源电流D

is

/d

t

（ -A /μs的）

反向恢复电流我

rr

(A)

Feb.1999

二极管的反向VS.

源电流特性

（典型值）

3

10

2

10

d

是/

d

t

= -100A /μs的7

7

V

GS

= 0V

5

V

DD

= 150V

3

2