FJY3013R NPN外延硅晶体管
2006年11月
FJY3013R
NPN外延硅晶体管
特点
开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
内置偏置电阻（ R1 = 2.2KΩ ， R2 = 47KΩ ）
补到FJY4013R
Eqivalent电路
C
tm
C
E
S13
B
E
B
SOT
-
523F
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
50
50
10
100
-55~150
150
200
单位
V
V
V
mA
°C
°C
mW
T
英镑
T
J
P
C
存储温度范围
结温
集电极耗散功率
中，由R
θJA
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
R
θJA
*最小焊盘尺寸。
参数
热阻，结到环境
最大
600
单位
° C / W
电气特性*
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
I
CBO
h
FE
V
CE（
SAT
)
f
T
C
cb
V
I(
关闭
)
V
I(
上）
R
1
R
1
/R
2
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益 - 带宽积
产量
电容
测试条件
I
C
= 10微安，我
E
= 0
I
C
= 100微安，我
B
= 0
V
CB
= 40 V，I
E
= 0
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
- 0.5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
=为100uA
V
CE
= 0.2V ，我
C
= 5毫安
民
50
50
典型值
最大
单位
V
V
0.1
56
0.3
250
3.7
0.5
1.1
1.5
0.042
2.2
0.047
2.9
0.052
uA
V
兆赫
pF
V
V
K
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
*脉冲测试： PW≤300μs ，职务Cycle≤2 ％
2006仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FJY3013R版本A
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
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旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
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维持生命，或（c ）其不履行时的正确使用
按照标示中提供的使用说明，可以
合理预期会导致显著的伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统，其不履行可以合理预期
造成生命支持设备或系统的故障，或影响其
安全性和有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知随时更改，以提高
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
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恕不另行通知，以改进设计。
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初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I22
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