FJX3904 NPN外延硅晶体管
2007年1月
FJX3904
NPN外延硅晶体管
通用晶体管
3
2
SOT-323
1.底座2.辐射源3.收藏家
1
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
储存温度
价值
60
40
6
200
350
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于150 ° C的最高结温。
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
电气特性*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
h
FE
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
*集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
*直流电流增益
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CE
=30V, V
EB
=3V
V
CE
= 1V ，我
C
=0.1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=1mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CB
= 5V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
CE
= 20V ，我
C
=10mA
I
C
= 100μA ，V
CE
= 5V ，R
S
=1K
F = 10Hz到15.7kHz
V
CC
=3V, V
BE
=0.5V
I
C
= 10毫安，我
B1
=1mA
V
CC
= 3V ，我
C
=10mA
I
B1
=I
B2
=1mA
分钟。
60
40
6
马克斯。
单位
V
V
V
50
40
70
100
60
30
nA
300
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
C
ob
f
T
NF
t
ON
t
关闭
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
启动时间
关闭时间
0.2
0.3
0.65
0.85
0.95
4
300
5
70
250
V
V
V
V
pF
兆赫
dB
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FJX3904版本B
FJX3904 NPN外延硅晶体管
包装标志和订购信息
设备项目
（注）
FJX3904TF
器件标识
S1A
包
SOT-323
包装方法
磁带&卷轴
数量（PCS ）
3,000
注意：后缀“ -TF ”指Tape&卷轴包装方法，它可以是上fairchildsemi网站http://www.fairchildsemi.com/packaging
典型性能特性
240
V
BE
（SAT） ，V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
10
V
CE
= 1V
200
I
C
= 10 I
B
h
FE
，直流电流增益
160
1
V
BE
（SAT）
120
80
0.1
V
CE
（SAT）
40
0
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
6
1000
5
I
E
= 0
F = 1MHz的
f
T
[兆赫]
电流增益带宽积
V
CE
= 20V
C
ob
[ pF的] ，电容
4
3
100
2
1
0
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
CB
[V] ，集电极 - 基极电压
I
C
[马] ，集电极电流
图3.输出电容
图4.电流增益带宽积
2
FJX3904版本B
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FJX3904 NPN外延硅晶体管
FJX3904 NPN外延硅晶体管
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ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
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他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I22
4
FJX3904版本B
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