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FJV4104R
FJV4104R
开关应用
（偏置电阻内置）
开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 47千欧姆，R
2
=47K)
补到FJV3104R
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
等效电路
记号
R1
B
R2
C
R 74
PNP外延硅晶体管
E
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-50
-50
-10
-100
200
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
f
T
C
ob
V
I
（关闭）
V
I
（上）
R
1
R
1
/R
2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -100μA ，我
B
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA
V
CB
= -10V ，我
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
= -5V ，我
C
= -100A
V
CE
= -0.3V ，我
C
= -2mA
32
0.9
47
1
-0.5
-3
62
1.1
200
5.5
68
-0.3
V
兆赫
pF
V
V
K
分钟。
-50
-50
-0.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
FJV4104R
典型特征
1000
-100
V
CE
= - 5V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
V
CE
= - 0.3V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
h
FE
，直流电流增益
V
I
（上） [ V]时，输入电压
-10
100
-1
10
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
280
图2.在输入电压
-1000
I
C
[
A] ，集电极电流
V
CE
= - 5V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
240
P
C
[毫瓦] ，功率耗散
200
160
-100
120
80
40
-10
-0.0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
I
（关闭） [ V]时，输入关闭电压
T
a
[C] ，环境温度
图3.输入电压关
图4.功率降额
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
FJV4104R
包装尺寸
SOT-23
0.20 MIN
2.40
±0.10
0.40
±0.03
1.30
±0.10
0.45~0.60
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±0.03
0.96~1.14
2.90
±0.10
0.12
–0.023
+0.05
0.95
±0.03
0.95
±0.03
1.90
±0.03
0.508REF
0.97REF
单位：毫米
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
我牧师
FJV4104R
FJV4104R
开关应用
（偏置电阻内置）
开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 47千欧姆，R
2
=47K)
补到FJV3104R
3
2
1
SOT-23
1.底座2.辐射源3.收藏家
等效电路
记号
R1
B
R2
C
R 74
PNP外延硅晶体管
E
绝对最大额定值
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-50
-50
-10
-100
200
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
h
FE
V
CE
（SAT）
f
T
C
ob
V
I
（关闭）
V
I
（上）
R
1
R
1
/R
2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -100μA ，我
B
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -5mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.5mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA
V
CB
= -10V ，我
E
=0
f=1.0MHz
V
CE
= -5V ，我
C
= -100A
V
CE
= -0.3V ，我
C
= -2mA
32
0.9
47
1
-0.5
-3
62
1.1
200
5.5
68
-0.3
V
兆赫
pF
V
V
K
分钟。
-50
-50
-0.1
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
FJV4104R
典型特征
1000
-100
V
CE
= - 5V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
V
CE
= - 0.3V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
h
FE
，直流电流增益
V
I
（上） [ V]时，输入电压
-10
100
-1
10
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
I
C
[马] ，集电极电流
I
C
[马] ，集电极电流
图1.直流电流增益
280
图2.在输入电压
-1000
I
C
[
A] ，集电极电流
V
CE
= - 5V
R
1
= 47 K
R
2
= 47 K
240
P
C
[毫瓦] ，功率耗散
200
160
-100
120
80
40
-10
-0.0
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
I
（关闭） [ V]时，输入关闭电压
T
a
[C] ，环境温度
图3.输入电压关
图4.功率降额
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
FJV4104R
包装尺寸
SOT-23
0.20 MIN
2.40
±0.10
0.40
±0.03
1.30
±0.10
0.45~0.60
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±0.03
0.96~1.14
2.90
±0.10
0.12
–0.023
+0.05
0.95
±0.03
0.95
±0.03
1.90
±0.03
0.508REF
0.97REF
单位：毫米
2002仙童半导体公司
版本A ， 2002年7月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
我牧师
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FSCQ0965RTYDTU
FZ1800R16KF4
F8A12GF
FLD5F20NP-E33
FC0.6-8-06L
FU-68PDF-510M68B
FE0208WFU
FSM14PL
FQPF2NA90
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FJV4104
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
FJV4104
ON/安森美
21+
53200
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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