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FJPF5321
FJPF5321
高电压和高可靠性
高开关速度
宽安全工作区
1
TO-220F
2.Collector
3.Emitter
1.Base
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
功率耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
800
500
7
5
10
2
4
40
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比Cycle≤10 ％
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
C
ib
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
测试条件
I
C
= 1mA时，我
E
= 0
I
C
= 5毫安，我
B
= 0
I
C
= 1mA时，我
C
= 0
V
CB
= 800V ，我
E
= 0
V
EB
= 7V ，我
C
= 0
V
CE
= 5V ，我
C
= 0.6A
V
CE
= 5V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
V
CE
= 10V ，我
C
= 0.6A
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 7V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CC
= 125V ，我
C
= 1A
I
B1
= -I
B2
= 0.2A
R
L
= 125
V
CC
= 250V ，我
C
= 4A
I
B1
= 0.8A ，我
B2
= -1.6A
R
L
= 62.5
分钟。
800
500
7
-
-
15
8
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
65
1400
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
10
40
-
1.0
1.5
-
100
2000
0.5
6.5
0.3
0.5
3.0
0.3
V
V
兆赫
pF
pF
s
s
s
s
s
s
单位
V
V
V
A
A
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FJPF5321
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
热阻
T
C
= 25 ° C除非另有说明
特征
结到外壳
结到环境
等级
3.1
62.5
单位
° C / W
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FJPF5321
典型特征
5.0
4.5
100
V
CE
= 5 V
I
B
= 350毫安
T
C
= 125 C
o
T
C
= 75 C
o
I
C
[A] ，集电极电流
4.0
3.5
3.0
h
FE
，直流电流增益
I
B
= 150毫安
2.5
2.0
1.5
T
C
= - 25 C
10
o
T
C
= 25 C
o
I
B
= 100毫安
I
B
= 50毫安
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
10
10
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
T
C
= 125 C
1
o
T
C
= 75 C
T
C
= - 25 C
o
o
V
BE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 5 I
B
I
C
= 5 I
B
T
C
= 25 C
1
o
T
C
= - 25 C
o
0.1
T
C
= 25 C
o
T
C
= 125 C
o
T
C
= 75 C
o
0.01
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.饱和电压
图4.饱和电压
100
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
C
MAX （ PULSE）
50
s
10ms
I
C
MAX （DC）的
1
1ms
100
s
0.1
I
B1
= 3A ，R
B2
=0
L = 1MH ，V
CC
=20V
1
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
图5.反向偏置安全工作区
图6.正向偏置安全工作区
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FJPF5321
典型特征
（续）
10
60
50
t
F
, t
英镑
[
S] ，切换时间
P
C
[W] ，功率耗散
1
10
1
40
30
0.1
20
I
B1
= 0.2A ，我
B2
=-0.2A
V
CC
=125V
0.01
0.1
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
I
C
[A] ，集电极电流
T
C
[C] ，外壳温度
图7.阻性负载开关时间
图8.功率降额
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
FJPF5321
包装尺寸
TO-220F
3.30
±0.10
10.16
±0.20
(7.00)
3.18
±0.10
2.54
±0.20
(0.70)
6.68
±0.20
15.80
±0.20
(1.00x45°)
MAX1.47
9.75
±0.30
0.80
±0.10
(3
)
0
°
0.35
±0.10
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
#1
0.50
–0.05
2.54TYP
[2.54
±0.20
]
4.70
±0.20
+0.10
2.76
±0.20
9.40
±0.20
单位：毫米
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
15.87
±0.20
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FX5545G0064V7T2
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FDC10-12D12
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    FJPF5321
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