FJP5200 - 音频功率放大器
2008年7月
FJP5200
音频功率放大器
特点
高电流能力：我
C
= 15A
高功率耗散
广S.O.A
补充FJP1943
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
230
230
5
15
1.5
- 50 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
°C
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
器件总功耗（T
C
=25°C)
减免上述25℃
热阻，结到外壳
马克斯。
100
0.8
1.25
单位
W
W / ℃，
° C / W
R
θJC
*具有无限的散热器。
*设备安装在FR- 4 PCB板1.6 “ ×1.6 ”× 0.06 “ 。
2008飞兆半导体公司
FJP5200版本A
www.fairchildsemi.com
1
FJP5200 - 音频功率放大器
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益*
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=∞
I
E
= 5毫安，我
C
=0
V
CB
= 230V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CE
= 5V ，我
C
=7A
I
C
= 8A ，我
B
=0.8A
V
CE
= 5V ，我
C
=7A
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
55
35
60
0.4
1.0
30
360
3.0
1.5
V
V
兆赫
pF
分钟。
230
230
5
5.0
5.0
160
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
μA
μA
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
*h
FE
分类
分类
h
FE1
R
55 ~ 110
O
80 ~ 160
2008飞兆半导体公司
FJP5200版本A
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2
FJP5200 - NPN外延硅晶体管
2009年1月
FJP5200
NPN外延硅晶体管
应用
高保真音频输出放大器
通用功率放大器
特点
高电流能力：我
C
= 17A.
高功率耗散： 80瓦特。
高频率： 30MHz的。
高电压： V
首席执行官
=250V
宽S.O.A进行可靠操作。
出色的增益线性度低THD 。
补充FJP1943
热和电Spice模型可供选择。
同样的晶体管也可用于：
- TO264封装， 2SC5200 / FJL4315 ： 150瓦特
- TO3P封装， 2SC5242 / FJA4313 ： 130瓦特
- TO220F封装， FJPF5200 ： 50瓦特
1
TO-220
1.Base
2.Collector
3.Emitter
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
基极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
250
250
5
17
1.5
80
0.64
- 50 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
W / ℃，
°C
器件总功耗（T
C
=25°C)
减免上述25℃
结温和存储温度
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性*
符号
R
θJC
*设备安装在最小焊盘尺寸
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到外壳
马克斯。
1.25
单位
° C / W
h
FE
分类
分类
h
FE1
R
55 ~ 110
O
80 ~ 160
2009仙童半导体公司
FJP5200版本C
1
www.fairchildsemi.com
FJP5200 - NPN外延硅晶体管
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
C
ob
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
测试条件
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=∞
I
E
= 5毫安，我
C
=0
V
CB
= 230V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CE
= 5V ，我
C
=7A
I
C
= 8A ，我
B
=0.8A
V
CE
= 5V ，我
C
=7A
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
分钟。
250
250
5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
5.0
5.0
55
35
60
0.4
1.0
30
200
3.0
1.5
160
A
A
V
V
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲WIDT = 20μS ，职务Cycle≤2 ％
订购信息
产品型号
FJP5200RTU
FJP5200OTU
记号
J5200R
J5200O
包
TO-220
TO-220
包装方法
管
管
备注
hFE1 - [R级
hFE1 级
2009仙童半导体公司
FJP5200版本C
2
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