FJI5603D - NPN硅晶体管
2008年6月
FJI5603D
NPN硅晶体管
应用
等效电路
高电压和高速功率开关应用
电子镇流器应用
C
特点
宽安全工作区
微小差异的贮存时间
内置续流二极管
B
1
E
I
2
-PAK
2.Collector
3.Emitter
1.Base
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
D
T
J
T
英镑
EAS
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
集电极电流（脉冲） **
基极电流
基本电流（脉冲） **
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
评级
1600
800
12
3
6
2
4
100
150
- 65 ~ +150
3.5
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
mJ
功率耗散（T
C
=25°C)
结温
存储结温范围
雪崩能量（T
j
= 25 ° C， 8mH ）
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％
热特性*
符号
R
θJC
R
θJA
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
评级
1.25
80
单位
° C / W
° C / W
*设备安装在最小焊盘尺寸
订购信息
产品型号
FJI5603DTU
记号
J5603D
包
I2PAK
包装方法
管
备注
2008飞兆半导体公司
FJI5603D牧师A3
1
www.fairchildsemi.com
FJI5603D - NPN硅晶体管
电气特性*
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
测试条件
I
C
= 0.5毫安，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 0.5毫安，我
C
=0
V
CES
=1600V,
I
E
=0
V
CE
=800V,
V
BE
=0
V
EB
= 12V，我
C
=0
V
CE
=3V,
I
C
=0.4A
V
CE
= 10V ，我
C
=5mA
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
T
C
=25°C
T
C
=125°C
分钟。
1600
800
12
典型值。
1689
870
14.8
0.01
马克斯。
单位
V
V
V
100
1000
A
I
首席执行官
集电极截止电流
0.01
100
1000
A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
0.05
20
6
20
20
29
15
43
46
0.5
1.5
1.2
0.74
0.61
0.85
0.74
745
56
5
0.76
0.83
500
35
A
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 250毫安，我
B
= 25毫安牛逼
C
=25°C
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安牛逼
C
=25°C
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
T
C
=25°C
1.25
2.5
2.5
1.2
1.1
1.2
1.1
1000
500
V
V
V
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安牛逼
C
=25°C
T
C
=125°C
I
C
= 2A ，我
B
=0.4A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
V
C
ib
C
ob
f
T
V
F
输入电容
输出电容
电流增益带宽积
二极管的正向电压
V
EB
= 10V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
I
C
=0.1A,V
CE
=10V
I
F
=0.4A
I
F
=1A
pF
pF
兆赫
1.2
1.5
V
V
*脉冲测试：脉冲WIDT = 20μS ，职务Cycle≤10 ％
2008飞兆半导体公司
FJI5603D牧师A3
2
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FJI5603D - NPN硅晶体管
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值。
马克斯。
单位
阻性负载开关（ DC < 10 ％ ，脉冲宽度= 20μS ）
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 0.5A ，我
B1
= 50mA时我
B2
=250mA
V
CC
= 125V ，R
L
= 250
I
C
= 0.3A ，我
B1
= 50毫安我
B2
=150mA
V
CC
=125V
R
L
= 416
400
1.9
2.1
310
600
1.3
180
600
2.3
1000
1100
1.5
350
ns
s
ns
ns
s
ns
感应负载开关（V
CC
=15V)
t
英镑
t
F
t
C
t
英镑
t
F
t
C
贮存时间
下降时间
交叉时间
贮存时间
下降时间
交叉时间
I
C
= 0.5A ，我
B1
= 50mA时我
B2
=250mA,
VZ = 300V ，L
C
=200H
0.8
I
C
= 0.3A ，我
B1
=50mAI
B2
=150mA,
VZ = 300V ，L
C
=200H
0.8
-
170
180
-
140
170
1.2
250
250
1.2
175
200
s
ns
ns
s
ns
ns
2008飞兆半导体公司
FJI5603D牧师A3
3
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