FJH1100
只有信息数据表
最后反向电流&正向电压限制可能会略有增加
概述：
超低漏二极管的DO- 35封装。
正向电压通常大于0.5伏
在1.0微安培。
该产品具有光敏性，对身体的损害
会影响涂层的反向漏电流，当暴露在
LIGHT 。
TA = 25
O
C除非另有说明
超低漏电二极管
绝对最大额定值*
符号
T
英镑
T
J
P
D
储存温度
工作结温
在T总功率耗散
A
= 25
O
C
从T线性降额因子
A
= 25
O
C
R
OJA
W
iv
I
F
热阻结到环境
工作电压逆
直流正向电流（I
F
)
参数
价值
-55到+200
175
250
1.67
300
15
150
单位
O
C
O
C
mW
毫瓦/
O
C
O
C / W
V
mA
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
0.500
最低
12.70
典型值1.000
阴极
BAND
标志
FJH
11
00
0.090 (2.28)
直径
0.060 (1.53)
典型正向电压
1.0微安 - - - - - - - - - - 530毫伏
10微安 - - - - - - - - - - 605毫伏
100微安 - - - - - - - - - - 685毫伏
1.0马 - - - - - - - - - 780毫伏
10马 - - - - - - - - - 895毫伏
50马 - - - - - - - - - 995毫伏
100马 - - - - - - - - - 1.07 V
0.022 (0.558)
直径
0.018 (0.458)
典型值20密耳
0.200 (5.08)
0.120 (3.05)
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
C
T
TA = 25
O
C除非另有说明
特征
击穿电压
反向漏
正向电压
二极管电容
民
30
最大
单位
V
I
R
测试条件
=
5.0微安
5.0 V
15 V
50毫安
0 V ， F = 1.0 MHz的
FJH1100 - 版本A
3.0
10
1.05
2.0
pA
pA
V
pF
V
R
=
V
R
=
I
F
=
V
R
=
1999仙童半导体公司
DO- 35磁带和卷轴数据
DO- 35封装
CON组fi guration ：
图1.0
Soabar标签
波纹外衬套
白（阳极）
红色/蓝色（阴极）
T50R
TNR选项
牛皮纸伤口
层与层之间
DO- 35封装
信息表：
图2.0
DO- 35包装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
卷带尺寸（英寸直径）
里面带间距（毫米）
INT箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷/弹药重量（kg ）
T50R
TNR
10,000
13
52
30,000
0.137
2.23
T50A
弹药
5,000
-
52
50,000
0.137
0.800
标准
（无流量代码）
袋
500
-
-
Soabar标签样本
P.O.号
TYPE
转
PKG
数量
Q.C.
10,000
IN5225A
A2
标志
产品型号
EC NO 。
M.O.号
日期
OX5046F035
D9903
BLK - BRN
254x79x794 406x267x184 279x133x108
5,000
0.137
-
体积
MFD 。根据美国PAT 3.025.589 &其他美国PATS &应用
注/评论
DO- 35卷尺寸：
图3.0
Soabar标签
卷轴尺寸
项目说明
D1
卷筒直径
内孔直径（标准）
D2
纤芯直径
法兰法兰内宽
D1
D2
D3
W1
10.375
1.245
3.190
10.625
1.255
3.310
3.400
符号
最低
最大
注：所有尺寸单位：英寸
W1
D3
2000仙童半导体国际
1999年9月，修订版A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师H3
FJH1100超低漏二极管
FJH1100
超低漏电二极管
概述
在DO- 35封装的超低漏二极管。正向电压通常大于0.5伏， 1.0微安培。
本品对光敏感，对身体涂任何伤害都会影响到反向漏电流，当暴露在光线。
DO-35
颜色频带为负极
绝对最大额定值*
符号
W
iv
I
F
P
D
R
θJA
T
英镑
T
J
工作电压逆
直流正向电流（I
F
)
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
15
150
250
1.67
300
-55到+200
175
单位
V
mA
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
在T总功率耗散
A
= 25°C
从T线性降额因子
A
= 25°C
热阻结到环境
储存温度
工作结温
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
电气特性
符号
B
V
I
R
V
F
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
反向漏
正向电压
测试条件
I
R
= 5.0A
V
R
= 5.0V
V
R
= 15V
I
F
= 1.0A
I
F
= 10A
I
F
= 100A
I
F
= 1.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 0V ， F = 1.0MHz的
民
30
典型值。
马克斯。
3.0
10
单位
V
pA
pA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
pF
530
605
685
780
895
995
1.07
1050
2.0
C
T
二极管电容
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FJH1100牧师B1
FJH1100超低漏二极管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I15
2
FJH1100版本B
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