FJD5555 - NPN硅晶体管
2008年4月
FJD5555
NPN硅晶体管
高压开关模式的应用
快速开关速度
宽安全工作区
适用于电子镇流器应用
DPAK
1
标记： J5555
1.底座2.收藏家3.发射
绝对最大额定值*
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
集电极电流（脉冲）
集电极耗散。
结温
存储结温范围
价值
1050
400
14
5
10
2
4
1.34
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
R
θJA
*设备安装在最小焊盘尺寸
参数
热阻，结到环境
价值
95
单位
° C / W
包装标志和订购信息
产品型号
FJD5555TM
记号
J5555
包
D- PAK
包装方法
磁带&卷轴
备注
2008飞兆半导体公司
FJD5555牧师A2
1
www.fairchildsemi.com
FJD5555 - 高电压开关模式应用
电气特性*
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
条件
I
C
= 500μA ，我
E
=0
I
C
= 5毫安，我
B
=0
I
E
= 500μA ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 3V ，我
C
=0.8A
分钟。
1050
400
14
10
20
典型值。
最大
单位
V
V
V
40
0.17
0.5
1.5
1.2
45
1.0
1.2
0.3
V
V
V
pF
s
s
s
2.0
2.5
0.3
s
s
s
mJ
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
I
C
= 3.5A ，我
B
=1.0A
V
BE
（SAT）
C
ob
t
ON
t
英镑
t
F
t
ON
t
英镑
t
F
EAS
基射极饱和电压
输出电容
启动时间
贮存时间
下降时间
启动时间
贮存时间
下降时间
雪崩能量
I
C
= 3.5A ，我
B
=1.0A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 125V ，我
C
=0.5A
I
B1
= 45毫安，我
B2
=0.5A
R
L
=250
V
CC
= 250V ，我
C
=2.5A
I
B1
= 0.5A ，我
B2
=1.0A
R
L
=100
6
L = 2MH
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
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FJD5555高压开关模式的应用
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用，
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
快
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MillerDrive
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权，也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件，特别是THEREIN保证，其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，或
（二）支持或维持生命，和（c） ，其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改，恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知，随时变更，以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改，恕不另行通知，以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I31
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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