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FJAF6910

高压彩色显示水平

偏转输出

高集电极 - 基极击穿电压： BV

CBO

= 1700V

低饱和电压： V

（SAT） = 3V （最大）

高开关速度：吨

（典型值） = 0.15μs

对于彩色显示器

TO-3PF

2.Collector

3.Emitter

1.Base

NPN型三重扩散平面硅晶体管

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

集电极耗散功率

结温

储存温度

参数

等级

1700

800

150

-55 ~ 150

单位

°C

*脉冲测试：脉冲宽度= 5毫秒，占空比< 10 ％

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

CES

CBO

EBO

CBO

首席执行官

EBO

FE1

FE2

（SAT）

英镑

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

贮存时间

下降时间

测试条件

= 1400V ，R

= 800V ，我

= 4V ，我

= 500μA ，我

= 5毫安，我

= 500μA ，我

= 5V ，我

=1A

= 5V ，我

=6A

= 6A ，我

=1.5A

= 6A ，我

=1.5A

= 200V ，我

= 6A ，R

=33

= 1.2A ，我

= - 2.4A

1700

800

1.5

0.3

民

典型值

最大

单位

*脉冲测试： PW = 20μS ，占空比= 1 ％脉冲

热特性

= 25 ° C除非另有说明

符号

θJC

参数

热阻，结到外壳

典型值

最大

2.08

单位

° C / W

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年7月

FJAF6910

典型特征

100

= 2.0A

= 5V

TA = 125℃

[A] ，集电极电流

TA = 25℃

= 0.6A

= 0.4A

，直流电流增益

TA = - 25℃

= 0.2A

0.1

[V] ，集电极 - 发射极电压

[A] ，集电极电流

图1.静态特性

图2.直流电流增益

（饱和） [ V]时，饱和电压

TA = 125℃

（饱和） [ V]时，饱和电压

= 5 I

= 3 I

TA = 25℃

TA = 125℃

TA = 25℃

100m

TA = - 25℃

10m

0.1

10m

0.1

[A] ，集电极电流

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.集电极 - 发射极饱和电压

= 5V

[A] ，集电极电流

= 200V,

= 6A ，我

= 1.2A

英镑

＆放大器;牛逼

[

S] ，切换时间

英镑

0.1

25 C

125 C

- 25 C

0.0

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

[ V]时，基极发射极电压

[A] ，反向基极电流

图5.基射极电压上

图6.阻性负载开关时间

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年7月

FJAF6910

典型特征

（续）

= 200V,

= 6A ，我

= - 2.4A

= 200V,

= 1.2A ，我

= - 2.4A

英镑

＆放大器;牛逼

[

S] ，切换时间

英镑

＆放大器;牛逼

[

S] ，切换时间

英镑

0.1

0.01

[A] ，正向基极电流

[A] ，集电极电流

图7.阻性负载开关时间

图8.电阻负载开关时间

100

[A] ，集电极电流

= 0, I

= 15A

= 30V ， L = 200

（脉冲）T = 100毫秒

（DC）的

T = 10ms的

T = 1毫秒

（关闭） = - 6V

0.1

（关闭） = - 3V

= 25 C

单脉冲

0.01

100

1000

10000

100

1000

10000

[V] ，集电极 - 发射极电压

图9.反向偏置安全工作区

图10.正向偏置安全工作区

[W] ，集电极耗散功率

100

125

150

175

[C] ，外壳温度

图11.功率降额

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年7月

FJAF6910

包装Demensions

TO-3PF

5.50

±0.20

4.50

±0.20

15.50

±0.20

3.60

±0.20

3.00

±0.20

(1.50)

10.00

±0.20

26.50

±0.20

23.00

±0.20

16.50

±0.20

14.50

±0.20

0.85

±0.03

16.50

±0.20

2.00

±0.20

14.80

±0.20

2.00

±0.20

2.00

±0.20

4.00

±0.20

0.75

–0.10

+0.20

2.00

±0.20

2.50

±0.20

2.00

±0.20

3.30

±0.20

5.45TYP

[5.45

±0.30

]

5.45TYP

[5.45

±0.30

]

0.90

–0.10

+0.20

3.30

±0.20

2.00

±0.20

5.50

±0.20

1.50

±0.20

单位：毫米

2001仙童半导体公司

版本A ， 2001年7月

22.00

±0.20

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不

旨在成为所有此类商标的详尽清单。

* STAR POWER

快

OPTOPLANAR

ACEX

深不见底

CoolFET

CROSSVOLT

DenseTrench

DOME

EcoSPARK

CMOS

Ensigna

FACT

FACT静音系列

FASTr

FRFET

GlobalOptoisolator

GTO

HiSeC

等平面

LittleFET

的MicroFET

MICROWIRE

OPTOLOGIC

吃豆

POP

Power247

的PowerTrench

QFET

QT光电

静音系列

SLIENT SWITCHER

SMART START

隐形

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TruTranslation

TinyLogic

UHC

UltraFET

VCX

STAR *电源根据许可证使用

放弃

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何

责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;

它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准

公司。

如本文所用：

2.关键部件是在生命支持任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或系统

设备或系统，其未能履行可

其中，（ a）打算通过外科手术移植到体内，

或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行

合理预期造成的生命支持故障

装置或系统，或影响其安全性或有效性。

如果使用得当按照使用说明

提供的标签，可以合理预期

造成显著伤害到用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

阶段或

设计

一是生产

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

初步

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

2001仙童半导体公司

牧师H3