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FJAF6810D
FJAF6810D
高压彩色显示水平
偏转输出(阻尼二极管内置)
高集电极 - 基极击穿电压: BV
CBO
= 1500V
高开关速度:吨
F
(典型值) =为0.1μs
对于彩电
TO-3PF
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
等效电路
C
B
NPN型三重扩散平面硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
=25°C
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
参数
35Ω (典型值) 。
E
等级
1500
750
6
10
20
60
150
-55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
*脉冲测试:脉冲宽度= 5毫秒,占空比< 10 %
电气特性
T
C
=25°C
除非另有说明
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
BV
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
F
t
英镑
*
t
F
*
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
基极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
阻尼二极管导通电压
贮存时间
下降时间
测试条件
V
CB
= 1500V ,R
BE
=0
V
CB
= 800V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
E
= 300毫安,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=1A
V
CE
= 5V ,我
C
=6A
I
C
= 6A ,我
B
=1.5A
I
C
= 6A ,我
B
=1.5A
I
F
= 6A
V
CC
= 200V ,我
C
= 6A ,R
L
=33
I
B1
= 1.2A ,我
B2
= - 2.4A
40
6
7
5
8
3
1.5
2
3
0.2
V
V
V
s
s
典型值
最大
1
10
250
单位
mA
A
mA
V
*脉冲测试: PW = 20μS ,占空比= 1 %脉冲
热特性
T
C
=25°C
除非另有说明
符号
R
θJC
参数
热阻,结到外壳
典型值
最大
2.08
单位
° C / W
2001仙童半导体公司
版本B , 2001年8月
FJAF6810D
典型特征
10
100
I
B
=2.0A
V
CE
= 5V
I
C
[A] ,集电极电流
8
h
FE
,直流电流增益
I
B
=1.0A
6
TA = 25℃
TA = 125℃
10
o
o
I
B
=0.8A
I
B
=0.6A
I
B
=0.4A
4
I
B
=0.2A
2
TA = - 25℃
o
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
1
0.1
1
10
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ,集电极电流
图1.静态特性
图2.直流电流增益
10
I
C
= 5 I
B
I
C
= 3 I
B
V
CE
(饱和) [ V]时, SATURATIOM电压
V
CE
(SAT) ,饱和电流
10
1
1
TA = 125℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
0.1
o
o
o
TA = 125℃
TA = 25℃
TA = - 25℃
0.1
1
10
o
o
o
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.集电极 - 发射极饱和电压
20
18
10
I
B1
= 1.2A ,我
C
= 6A
V
CC
= 200V
I
C
[A] ,集电极电流
t
F
&放大器;牛逼
英镑
[
S] ,切换时间
16
14
12
10
8
6
4
2
1
t
英镑
t
F
0.1
TA = 25℃
o
TA = - 25℃
TA = 125℃
0
0.0
o
o
0.01
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1
10
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
I
B2
[A] ,反向基极电流
图5.基射极电压上
图6.阻性负载开关时间
2001仙童半导体公司
版本B , 2001年8月
FJAF6810D
典型特征
(续)
10
10
t
F
&放大器;牛逼
英镑
[
S] ,切换时间
t
英镑
1
t
F
&放大器;牛逼
英镑
[
S] ,切换时间
t
英镑
1
t
F
t
F
0.1
0.1
I
B2
= -2.4A ,我
C
= 6A
V
CC
= 200V
0.01
1
10
I
B1
= 1.2A ,我
B2
= -2.4A
V
CC
= 200V
0.01
1
10
I
B1
[A] ,正向基极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图7.阻性负载开关时间
图8.电阻负载开关时间
30
25
R
B2
= 0, I
B1
= 15A
V
CC
= 30V , L = 200
H
100
I
C
[A] ,集电极电流
20
I
C
(脉冲)T = 100毫秒T = 10ms的
I
C
[A] ,集电极电流
15
10
I
C
(DC)的
T = 1毫秒
10
V
BE
(关) = -6V
5
1
V
BE
(关) = -3V
0
10
100
1000
10000
0.1
o
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
= 25 C
单脉冲
0.01
1
10
100
1000
10000
图9.反向偏置安全工作区
图10.正向偏置安全工作区
80
70
P
C
[W] ,功率耗散
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
T
C
[C] ,外壳温度
图11.功率降额
2001仙童半导体公司
版本B , 2001年8月
FJAF6810D
包装Demensions
TO-3PF
5.50
±0.20
4.50
±0.20
15.50
±0.20
3.60
±0.20
3.00
±0.20
(1.50)
10.00
±0.20
10
°
26.50
±0.20
23.00
±0.20
16.50
±0.20
14.50
±0.20
0.85
±0.03
16.50
±0.20
2.00
±0.20
14.80
±0.20
2.00
±0.20
2.00
±0.20
4.00
±0.20
0.75
–0.10
+0.20
2.00
±0.20
2.50
±0.20
2.00
±0.20
3.30
±0.20
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
5.45TYP
[5.45
±0.30
]
0.90
–0.10
+0.20
3.30
±0.20
2.00
±0.20
5.50
±0.20
1.50
±0.20
单位:毫米
2001仙童半导体公司
版本B , 2001年8月
22.00
±0.20
商标
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旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
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产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
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飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
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初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
H4牧师
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联系人:陈泽强
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2443+
23000
TO-3PF
一级代理专营,原装现货,价格优势
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9634
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全新原装现货,原厂代理。
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20918
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21+
15360
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TO-3PF
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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