FJA3835
FJA3835
功率放大器
高电流能力：我
C
=8A
高功率耗散
宽S.O.A
1
TO-3P
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
200
120
8
8
16
80
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
t
ON
t
F
t
英镑
*脉冲测试： PW = 20μs的
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
*
DC
测试条件
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=∞
I
E
= 5毫安，我
C
=0
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
=20V,
I
C
=1A=10I
B1
=-10I
B2
R
L
=20
分钟。
200
120
8
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
0.1
0.1
120
250
0.5
1.2
30
210
0.26
0.68
6.68
mA
mA
V
V
兆赫
pF
s
s
s
电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
下降时间
贮存时间
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
TM
I
2
C
EnSigna
TM
ImpliedDisconnect
FACT
等平面
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师I6
FJA3835
FJA3835
功率放大器
高电流能力：我
C
=8A
高功率耗散
宽S.O.A
1
TO-3P
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
200
120
8
8
16
80
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
ob
t
ON
t
F
t
英镑
*脉冲测试： PW = 20μs的
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
*
DC
测试条件
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=∞
I
E
= 5毫安，我
C
=0
V
CB
= 80V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
I
C
= 3A ，我
B
=0.3A
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
=20V,
I
C
=1A=10I
B1
=-10I
B2
R
L
=20
分钟。
200
120
8
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
0.1
0.1
120
250
0.5
1.2
30
210
0.26
0.68
6.68
mA
mA
V
V
兆赫
pF
s
s
s
电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
下降时间
贮存时间
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
TM
I
2
C
EnSigna
TM
ImpliedDisconnect
FACT
等平面
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
牧师I6
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