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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第345页 > FHX13LG
FHX13LG , FHX14LG
超低噪声HEMT
特点
低噪声系数: 0.45分贝(典型值) @ F = 12GHz的( FHX13 )
高相关的增益: 13.0分贝(典型值) @ F = 12GHz的
了Lg
0.15μm的中,WG = 200微米
黄金门金属化的高可靠性
性价比高陶瓷微带( SMT )封装
磁带和卷轴包装可用
描述
该FHX13LG , FHX14LG是一个超级高电子迁移率晶体管( SuperHEMT )
用于在2-18GHz通用,超低噪声和高增益放大器
频率范围。该设备被包装在具有成本效益,低寄生,气密地
密封的金属陶瓷封装的高容量通信, TVRO , VSAT或
其它低噪声应用。
富士通的严格的质量保证计划,保证最高的可靠性和
一致的性能。
TM
绝对最大额定值(环境温度Ta = 25 ℃)
漏源电压
栅源电压
总功耗
储存温度
通道温度
*注意:
安装在氧化铝板( 30 ×30× 0.65毫米)
富士通建议对砷化镓场效应晶体管的可靠运行条件如下:
1.漏极 - 源极的工作电压(VDS)应不超过2伏。
2.正向和反向栅极电流不应超过0.2和-0.05毫安分别与
4000Ω的栅极电阻。
3.工作通道温度( TCH)不应超过80 ℃。
符号
VDS
VGS
PT *
TSTG
总胆固醇
等级
3.5
-3.0
180
-65到+175
175
单位
V
V
mW
°C
°C
电气特性(环境温度Ta = 25 ℃)
饱和漏极电流
捏-O FF电压
门源击穿电压
噪声系数
相关的增益
噪声系数
相关的增益
热阻
可用表壳款式:
LG
注意:
RF参数LG设备以抽样方式测量如下:
很多数量。
or
to
to
or
样本数量。
125
200
315
500
接受/拒绝
(0,1)
(0,1)
(1,2)
(1,2)
符号
IDSS
gm
Vp
VGSO
NF
NF
FHX14LG
RTH
条件
VDS = 2V , VGS = 0V
VDS = 2V , IDS = 10毫安
VDS = 2V , IDS = 1毫安
IGS = -10μA
VDS = 2V ,
IDS = 10毫安,
F = 12GHz的
渠道情况
分钟。
10
35
-0.1
-3.0
-
11.0
-
11.0
-
极限
典型值。马克斯。
30
60
-
50
-0.7
-1.5
-
-
0.45
13.0
0.55
13.0
300
0.50
-
0.60
-
400
单位
mA
mS
V
V
dB
dB
dB
dB
° C / W
FHX13LG
1200
1201
3201
10001
3200
10000
过度
1.1版
1999年7月
1
FHX13LG , FHX14LG
超低噪声HEMT
功率降额曲线
总功率耗散( mW)的
200
150
100
50
0
LG
0
50
100
150
200
环境温度( ℃)
漏极电流与漏源电压
40
漏极电流(mA )
30
VGS = 0V
20
-0.2V
10
-0.4V
-0.6V
-0.8V
3
0
1
2
4
漏源极电压( V)
2
FHX13LG , FHX14LG
超低噪声HEMT
NF &煤气与频率的关系
FHX13LG
3.0
VDS=2V
IDS=10mA
噪声系数(dB )
2
10
噪声系数(dB )
3
15
相关的增益(分贝)
2.5
2.0
1.5
1.0
NF
0.5
NF
0
4
6
8 10 12
频率(GHz )
20
0
10
20
30
9
NF &煤气与IDS
FHX13LG
f=12GHz
VDS=2V
14
相关的增益(分贝)
13
12
11
10
1
5
漏极电流(mA )
NF &气体与温度
FHX13LG
1.5
f=12GHz
VDS=2V
IDS=10mA
1.0
10
15
相关的增益(分贝)
输出功率(dBm )
输出功率与输入功率
FHX13LG
25 F = 12GHz的
15
VDS=2V
IDS=10mA
噪声系数(dB )
10
0.5
NF
5
5
0
100
200
300
400
-10
-5
0
5
10
环境温度( ° K)的
输入功率(dBm )
3
FHX13LG , FHX14LG
超低噪声HEMT
典型噪声系数圆
FHX13LG
+j50
+j100
+j25
1.5
+j10
2.5
3.0
2.0
Γ
选择
10
25
1.0
+j250
0
50
100
F = 12 GHz的
VDS = 2V
IDS = 10毫安
Γopt
= 0.61∠150°
RN / 50 = 0.04
NFmin = 0.45分贝
-j10
-j250
-j25
-j50
-j100
嘎(最大值) & | S21 | 2与频率的关系
20
VDS = 2V
IDS = 10毫安
15
增益(dB )
嘎(最大值)
10
|S21|2
5
0
4
6
8 10 12
20
频率(GHz )
噪声参数
FHX13LG
VDS = 2V ,IDS = 10毫安
频率。
(千兆赫)
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Γopt
(MAG) (ANG )
0.96
0.92
0.86
0.79
0.71
0.61
0.50
0.38
0.24
29
57
83
107
129
150
168
-175
-161
NFmin
( dB)的
0.33
0.34
0.35
0.37
0.40
0.45
0.53
0.63
0.83
Rn/50
0.22
0.20
0.15
0.11
0.07
0.04
0.04
0.06
0.10
4
FHX13LG , FHX14LG
超低噪声HEMT
+j50
+j100
+j25
20 GHz的
20 GHz的
S11
S22
+90°
S21
S12
+j250
+j10
15
1.0 GHz的
6
4
5
5
1.0 GHz的
1
0.02
10
10
15
15
0
15
25
50
100
250
1.0 GHz的
180°
8
2
量表| S21 |
20 GHz的
0.04
0.06
0.08
-j10
10
5
-j250
量表| S12 |
10
1.0 GHz的
20 GHz的
-j25
5
-j100
-j50
-90°
S-参数
FHX13/14LG
VDS = 2V ,IDS = 10毫安
频率
(兆赫)
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
19000
20000
S11
MAG
0.988
0.956
0.908
0.862
0.811
0.763
0.727
0.701
0.682
0.659
0.636
0.618
0.608
0.596
0.585
0.564
0.543
0.525
0.506
0.470
S21
-20.0
-39.5
-58.1
-75.5
-91.6
S12
160.1
141.0
123.0
105.9
89.7
74.4
60.0
46.4
33.8
21.4
9.3
-3.3
-14.8
-26.6
-38.3
-50.7
-63.6
-77.1
-91.4
S22
75.7
63.3
50.1
39.0
29.3
21.0
13.2
7.9
3.5
-0.0
-2.6
-5.2
-5.7
-7.8
-9.7
-12.8
-17.6
-24.7
-33.1
-43.7
MAG
5.327
5.133
4.851
4.534
4.213
3.886
3.582
3.300
3.078
2.899
2.748
2.593
2.466
2.366
2.279
2.244
2.217
2.185
2.143
2.089
MAG
0.015
0.028
0.039
0.048
0.053
0.056
0.057
0.056
0.055
0.055
0.054
0.054
0.054
0.055
0.056
0.058
0.061
0.063
0.063
0.061
MAG
0.574
0.560
0.539
0.522
0.502
0.488
0.487
0.498
0.515
0.531
0.544
0.561
0.590
0.619
0.654
0.677
0.701
0.727
0.748
0.763
-16.3
-32.1
-47.3
-62.0
-75.6
-89.6
-103.0
-114.9
-125.0
-134.4
-144.0
-155.1
-164.0
-172.4
-179.7
172.6
163.4
154.1
143.6
137.2
-107.1
-121.1
-133.3
-144.1
-154.2
-164.4
-175.4
175.5
166.6
158.3
148.8
138.2
127.3
116.2
106.5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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