FHR1200 - 微功耗，超宽电压调节器
2013年7月
FHR1200
微功耗，超宽电压调节器
特点
低工作电流： 12
μA
马克斯。
选项来直接驱动反馈引脚
在PWM控制器
可编程输出： 7.5 V至100 V
宽工作温度范围： -55 ° C至+ 150°C
输出电压精度：
±2%
卓越的输出电压补偿： -30 PPM /°C的
灌电流能力： 10
μA
到50mA
小型封装： SC70-6 （ SOT363 ）
描述
该FHR1200是一个高效率的调节器，其outper-
形成了典型的并联稳压器中的反激式电源
电源通过提供100最大调节电压
V时，较低的偏置电流，并在马克西更好的稳定性
妈妈工业级温度范围，从而导致效率
节省待机模式。
在某些配置中，提高效率以节省FHR1200
可以直接驱动的PWM控制器。该选项消除
纳茨复杂性和光耦器和额外的成本
tional反馈引脚驱动电路。为了兼容电路，
该FHR1200可以低至20调节
μA
供应
电流（偏置和水槽级） ，比90％更大的驱动
节省功率比标准分路调节器。
该FHR1200封装节省空间的surface-
安装SC70-6 （ SOT363 ），以最大限度地减少空间布局和
成本。
应用
在反激式开关电源原边调节
在反激式开关电源次级端调节
高输入电压开关电源
智能电表
工业电机控制
无线基础设施
工业和街道照明LED电源
典型用途
V
AC
IN
在P ü吨
权证■如果IE R 5
C A P A C IT运R 5
和
BALAN权证
+
C3
V
DC
OUT
PW M
0：N TR LLER
FB
牛逼为R n a s是T O服务
S W IT建华
FH R 1200
PTO C 0 UPLER
图1 。反激式电源次级端调节
订购信息
产品型号
FHR1200
顶标
FH
包
SC70-6 （ SOT363 ）
包装方法
磁带和卷轴
备注
3000个，卷带尺寸是7"
2013仙童半导体公司
FHR1200版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
1
FHR1200 - 微功耗，超宽电压调节器
框图
A
E
1
6
C
B
C
N.C
2
5
B
K
Pin1
SC70-6
N.C
E
K
3
4
A
图2.内部连接
图3.器件封装
引脚德网络nitions
针＃
4
2
5
1
3
6
名字
跨接器
NC
跨接器
GND
输入REG
OUT
无连接
参考BIAS引脚
接地连接
参考电压
稳压器输出
描述
参考BIAS引脚：铁R4接地偏压;配合盖到地面的噪音更低
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
OUT
I
BIAS
P
D
T
J,
T
英镑
稳压器输出
阴极电流
功耗
参数
价值
100
50
T
A
= 25°C
227
-55到+150
单位
V
mA
mW
°C
工作和存储结温范围
热特性
(1)
符号
R
θJA
Ψ
JB
注意：
1， PCB板规格： FR4 76× 114 ×0.6毫米牛逼
3
（ 3.0英寸× 4.5英寸× 0.062英寸），最小尺寸的焊盘布局。
Ψ
JB
测试方法：T- 36线规热电偶直接焊接到所述集电引线脚约1毫米的距离
从封装引线。
参数
热阻，结点到空气
结到电路板的热特性参数
价值
550
370
单位
° C / W
° C / W
2013仙童半导体公司
FHR1200版本1.0.0
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2
FHR1200 - 微功耗，超宽电压调节器
电气特性
值是在T
A
= 25 ° C除非另有说明
.
符号
参数
V
REF
参考电压
（齐纳+基地发射器
电压）
温度
系数
(2)
在变化的比率
参考电压的
改变阴极
电压
V
OUT
= V
REF
，如图。 4 ，
V
CC
= 17.3 V,
准确度=
±2%,
I
Z
= 25
μA
V
OUT
= V
REF
,
图。 4 ，
准确度=
±
2%,
条件
R3 = 49.9 kΩ的
,
I
REF
= 1
μΑ,
R4 = 23.2 kΩ的
,
I
CC
= 200
μΑ
分钟。
典型值。马克斯。
单位
V
7.115 7.260 7.405
TCV
REF
T
A
= 0到
R3 = 49.9 kΩ的
,
I
REF
= 1
μA,
+100°C
R4 = 9.53千欧
,
I
CC
= 200
μA,
T
A
= -40
I
Z
= 60
μA,
V
CC
= 10 V
+125°C
R3 = 100 kΩ的
,
R2 = 53.6 kΩ的
,
R1 = 0 | 499千欧
,
R4 = 23.2 kΩ的
,
I
CC
= 200
μA,
I
REF
= 150
μA
29
PPM /°C的
57
ΔV
REF
/
ΔV
OUT
I
Z
ΔI
Z
/ΔT
ΔV
REF /
ΔI
CC
图。 5，V
CC
= V
OUT
+ 20 V,
I
Z
= 25μA,
V
OUT
= V
REF
+75V,
R5 =
∞
(3)
0.024 0.200
7.7
5.45
12.0
mV / V的
μA
μA /°C的
参考输入电流I
CC
= 1.0毫安，图5，V
CC
= 17.3 V,
R1 = 10.0 kΩ的
,
R2 =
∞
中，R3 = 100kΩ的
,
R4 = 499 kΩ的
,
参考偏差
R5 =
∞
(4)
我过温
Z
输出阻抗
图。 4，V
OUT
= V
REF
,
V
CC
= 15.4 | 19.4 V,
I
Z
= 25
μA,
F = 0赫兹，
R5 =
∞
(5)
V
OUT
= V
REF
，如图。 6 ，
I
CC
= 1.0毫安， V
CC
= 17.3 V,
V
REF
= 7.35 V，I
Z
=25
μA,
R3 = 15.00千欧
,
R4 = 28.7 kΩ的
,
F = 400赫兹至100千赫兹
I
CC
= 160 | 240
μA,
R3 = 49.9 kΩ的
,
R4 = 23.2 kΩ的
C
N
= N / A ，C
L
=不适用
C
N
= 0.1
μF,
C
L
=不适用
C
N
= N / A ，C
L
= 0.1
μF
C
N
= 0.1
μF,
C
L
= 0.1
μF
154
141.0
8.1
57
8.0
300
Ω
e
n
输出噪声电压
(6)
μVRMS
GBW
(3db)
I
CC
= 1.0毫安， V
CC
= 27 V
DC
, V
IN
= 2 Vp-p的，
I
B
1 = 5
μA,
I
Z
= 25
μA,
C
G
,C
L
=
∞
, C
N
= 0.1
μF,
增益带宽积
R1 = 23.2 kΩ的
,
R2 = 39.2 kΩ的
,
R3 = 15 kΩ的
,
R4 = 28.7 kΩ的
,
R5 = 22 kΩ的
,
V
OUT
= 12 V，I
REF
= 200
μA,
增益= -1 ，图7
压摆率
I
CC
= 1.0毫安， V
CC
= 27 V
DC
, V
IN
= 2 Vp-p的，
I
B
1 = 5
μA,
I
Z
= 25
μA,
C
G
,C
L
=
∞
, C
N
= 0.1
μF,
R1 = 23.2 kΩ的
,
R2 = 39.2 kΩ的
,
R3 = 15 kΩ的
,
R4 = 28.7 kΩ的
,
R5 = 22 kΩ的
,
V
OUT
= 12 V，I
REF
= 200
μA,
增益= -1 ，图7
4.47
兆赫
SR
18.8
V / μs的
注意事项：
2.偏差参数V
参考文献（DEV ）
我
参考文献（DEV ）
被定义为最大和之间的差异
获得超过额定温度范围最低值。的平均全范围温度系数
参考输入电压， TCV
REF
，是德网络定义为：
(T
A
） ：环境温度
PPM
TCV
REF
|(
)=
V
REF
（DEV ） ： V
REF
在整个温度范围内的偏差
°C
ΔT
哪里
ΔT
是该装置的额定工作自由空气的温度范围内。
TCV
REF
可以是正的或负的，取决于最小是否V
REF
或最大V
REF
分别出现在
在较低的温度。
V
REF
1 - V
REF
2
3.
ΔV
REF
=
ABS
V
OUT
1 - V
OUT
2
ΔV
OUT
4.
I
Z
=
(
V
参考文献（DEV ）
6
V
REF
(T
A
=25°C) * 10
)
V
REF
- V
OUT
R1
V
REF
2 - V
REF
1
I
CC
2 - I
CC
1
5.
Z
OUT
=
6.测试：a ） HFE典型 200 ; b）所有电阻都是金属膜; c）所有的电容都是塑料薄膜。
2013仙童半导体公司
FHR1200版本1.0.0
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