订购数量： ENN6217
NPN外延平面硅晶体管复合
FH103
高频低噪声放大器呃，
差分放大器器的应用
特点
包含在用2个晶体管·复合型
MCP封装当前正在使用的，改进的
安装效率大大。
·该FH103形成有两个芯片，是等价
借给2SC4867 ，放置在一个包中。
·卓越的热平衡和对能力。
电气连接
B1
B2
E2
1 2
0.65
2.0
3
0.2
0.425
包装尺寸
单位：mm
2149
[FH103]
0.425
0.15
6
5
4
1.25
2.1
0-0.1
C1
E1
C2
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
总功耗
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
PT
Tj
TSTG
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
×0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
×0.8mm)
条件
0.9
Tr1
Tr2
评级
16
8
1.5
50
300
500
150
-55到+150
0.2
0.25
1 ： Collector1
2 ： Emitter1
3 ： Collector2
4 ： Emitter2
5 ：和Base2
6 ： BASE1
三洋： MCP6
单位
V
V
V
mA
mW
mW
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益比
基极 - 发射极电压差
符号
ICBO
IEBO
的hFE
的hFE
VCB = 10V ， IE = 0
VEB = 1V ， IC = 0
VCE = 5V ， IC = 15毫安
VCE = 5V ， IC = 15毫安
VCB = 5V ， IC = 15毫安
90
0.7
0.95
1.0
mV
条件
评级
民
典型值
最大
1.0
10
200
单位
A
A
（小/大）
（大，小）
VBE
接下页。
注）上面所示的特定网络连接的阳离子是为每个单独的晶体管。
标记： 103
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
N0199TS （ KOTO ） TA- 1706 No.6217-1 / 4
FH103
从接下页。
参数
增益带宽积
输出电容
正向传输增益
噪声系数
符号
fT
COB
| S21e |
NF
2
条件
VCE = 5V ， IC = 15毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 5V ， IC = 15mA时F = 1GHz的
VCE = 5V ， IC = 5毫安中，f = 1GHz的
评级
民
典型值
9
0.6
10
13
1.2
2.5
1.1
最大
单位
GHz的
pF
dB
dB
注）上面所示的特定网络连接的阳离子是为每个单独的晶体管。
标记： 103
3
2
的hFE - IC
VCE=5V
增益带宽积， FT - GHz的
2
FT - IC
VCE=5V
10
7
5
3
2
直流电流增益， hFE参数
100
7
5
3
2
1.0
7
5
3
10
7
5
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7 100
2
5
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
集电极电流， IC - 毫安
5
3
IT00300
5
集电极电流， IC - 毫安
7 100
IT00301
COB - VCB
反向传输电容， Cre重组酶 - pF的
f=1MHz
CRE - VCB
f=1MHz
3
2
输出电容，科夫 - pF的
2
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
0.1
7
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
集电极 - 基极电压VCB - V
IT00302
16
集电极 - 基极电压VCB - V
10
NF - IC
正向传输增益，
S21e
DB
VCE=5V
f=1GHz
S21e
- 集成电路
2
IT00303
14
12
10
8
6
4
2
0
VCE=5V
f=1GHz
8
噪声系数NF - 分贝
6
4
2
0
7
1.0
2
3
5
7
10
2
3
5
7
2
3
5
7
集电极电流， IC - 毫安
1.0
2
3
5
IT00304
集电极电流， IC - 毫安
7 10
2
3
5
7 100
IT00305
No.6217–2/4
FH103
600
PC - TA
安装在陶瓷板（ 250毫米
2
×0.8mm)
集电极耗散，电脑
–
mW
500
400
To
t
300
al
di
ss
ip
ATI
200
1u
NIT
on
100
0
0
20
环境温度，钽 -
°C
40
60
80
100
120
140
160
IT00306
s参数
VCE=5V
F =为200MHz至2000MHz （ 200MHz的步骤）
j50
j25
j100
j150
j10
25
j200
j250
VCE=5V
F =为200MHz至2000MHz （ 200MHz的步骤）
90
°
0.2G
120
°
Hz
IC
=1
5m
A
0.2GHz
I
C=5m
°
150
A
H
2.0G
60
°
30
°
2.0
GH
z
100
150
250
z
GH
2.0
z
2.0GHz
0
10
50
±180°
4
8
12
16 20
0
=1
IC
5m
A
=5
IC
--j10
0.2
GH
z
Hz
0.2G
--j25
--j50
--j250
--j200
--j150
--j100
z
VCE=5V
F =为200MHz至2000MHz （ 200MHz的步骤）
90
°
2.0
mA
--150
°
--30
°
--120
°
IT00307
--60
°
--90
°
IT00308
VCE=5V
F =为200MHz至2000MHz （ 200MHz的步骤）
GH
120
°
5m
A
60
°
j25
30
°
j10
j50
j100
j150
j200
j250
0.2
GH
0.2
±180°
GH
z
IC =
5
z
mA
150
°
IC =
1
2.0
GH
z
0.04 0.08 0.12 0.16 0.2
0
0
10
25
50
100
150
250
IC
=1
--j10
--150
°
--30
°
2.0
z
GH
z
GH
IC=5mA
2.0
5m
A
--j250
--j200
--j150
--120
°
--60
°
--90
°
IT00309
--j25
--j50
--j100
IT00310
No.6217–3/4
FH103
的S参数（共发射极）
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安，Z
O
=50
频率（MHz ）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
| S11 |
0.749
0.583
0.487
0.428
0.405
0.387
0.377
0.365
0.362
0.361
∠
S11
–50.7
–85.7
–109.6
–126.6
–139.3
–150.6
–160.1
–166.8
–174.3
178.3
| S21 |
12.229
8.900
6.636
5.276
4.379
3.731
3.258
2.924
2.589
2.363
∠
S21
141.6
118.1
103.7
93.9
85.9
78.7
72.6
67.5
61.9
56.8
| S12 |
0.044
0.068
0.081
0.093
0.106
0.117
0.130
0.142
0.156
0.171
∠
S12
65.4
54.3
51.6
51.6
52.6
53.6
54.4
55.2
55.6
55.9
| S22 |
0.847
0.655
0.538
0.473
0.443
0.421
0.405
0.393
0.387
0.383
∠
S22
–25.4
–37.4
–42.3
–44.4
–46.2
–48.1
–49.6
–52.1
–54.3
–56.4
V
CE
= 5V ，我
C
= 15毫安，Z
O
=50
频率（MHz ）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
| S11 |
0.507
0.382
0.341
0.332
0.320
0.316
0.315
0.314
0.311
0.313
∠
S11
–81.6
–119.5
–140.9
–154.0
–163.0
–170.9
–178.0
176.7
171.2
165.4
| S21 |
19.422
11.595
8.046
6.182
5.063
4.263
3.716
3.270
2.922
2.656
∠
S21
124.2
103.8
93.3
86.4
79.8
74.1
69.2
64.3
60.0
55.9
| S12 |
0.033
0.050
0.065
0.081
0.099
0.116
0.134
0.150
0.167
0.186
∠
S12
61.9
61.0
63.3
65.1
65.6
65.7
65.0
64.4
63.3
62.1
| S22 |
0.650
0.445
0.365
0.330
0.318
0.311
0.304
0.297
0.293
0.295
∠
S22
–36.9
–43.0
–43.5
–43.3
–43.8
–45.9
–47.4
–50.3
–52.6
–54.8
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
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或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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