http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
FGW50N60VD
分立的IGBT （高速V系列）
600V / 50A
低功耗
低开关浪涌和噪声
高可靠性，高耐用性（ RBSOA ， SCSOA等）
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
分立IGBT
特点
应用
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
绝对最大额定值（在T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
CES
V
GES
I
C@25
I
C@100
I
CP
-
I
F@25
I
F@100
I
FP
t
SC
P
D_IGBT
P
D_FWD
T
j
T
英镑
最大额定值和特性
等效电路
集热器
集电极电流脉冲
关断安全工作区
二极管的正向电流
二极管脉冲电流
短路承受时间
IGBT最大。功耗
FWD最大。功耗
工作结温
储存温度
注* 1 ：脉冲宽度有限的TJMAX 。
特色单位
备注
600
V
±20
V
85
A
T
C
= 25 ° C，T
j
=150°C
50
A
T
C
= 100 ° C，T
j
=150°C
100
A
注* 1
100
A
V
CE
= 600V ，T
j
≤175°C
70
A
35
A
100
A
注* 1
V
CC
≤320V, V
GE
=15V
10
μs
T
j
≤150°C
360
T
C
=25°C
W
220
T
C
=25°C
-40~+175
°C
-55~+175
°C
门
辐射源
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
V
F
t
rr1
t
rr2
Q
rr
项
集电极 - 发射极击穿电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
正向电压降
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= + 20V ，我
C
= 50毫安
V
GE
= + 15V ，我
C
= 50A
T
j
=25°C
T
j
=175°C
T
j
=25°C
T
j
=175°C
V
CE
=25V
V
GE
=0V
f=1MHz
V
CC
= 400V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
V
CC
= 400V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
R
G
= 10
L = 500μH
能量损失包括“尾巴”和FWD反向
恢复。
T
j
= 175°C
V
CC
= 400V
I
C
= 50A
V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω
L = 500μH
能量损失包括“尾巴”和FWD反向
恢复。
T
j
=25°C
I
F
=35A
T
j
=175°C
V
CC
=30V
I
F
= 3.5A
-di/dt=200A/s
V
CC
=400V
I
F
=35A
- 二
F
/dt=200A/s
T
j
=25°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
600
-
-
-
-
250
-
-
10
-
-
200
6.2
6.7
7.2
-
1.60
2.05
-
2.1
-
-
2900
-
-
215
-
-
175
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
360
45
90
310
55
2.4
1.4
45
100
340
60
4.1
2.0
1.5
1.3
50
0.31
0.75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.95
-
65
-
-
单位
V
A
mA
nA
V
V
pF
nC
ns
mJ
ns
mJ
V
V
ns
s
C
1
FGW50N60VD
项
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
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符号
t
rr2
Q
rr
分立IGBT
条件
V
CC
=400V
I
F
=35A
- 二
F
/dt=200A/s
T
j
=175°C
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ） _IGBT
R
日（J -C ） _FWD
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
特征
典型值。
-
-
-
0.49
3.3
-
-
单位
s
C
热阻
项
热阻，结到环境
热电阻， IGBT结到管壳
热阻， FWD结到管壳
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
0.417
0.735
单位
° C / W
2
FGW50N60VD
特性（代表）
Graph.1
集电极直流电流与牛逼
V
≥+15V,
T
≤175
C
GE
j
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分立IGBT
C
Graph.2
集电极电流与开关频率
V = + 15V ，T
≤175
C，V = 400V ， D = 0.5 ，
R = 10Ω ， T = 100
C
GE
G
C
CC
C
140
120
120
100
开关频率fs [千赫]
100
集电极电流I
C
[A]
80
80
T
j
≤
175℃
60
60
40
40
20
20
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
20
40
60
80
100
外壳温度[
°
C]
集电极 - 发射极corrent ：我
CE
[A]
Graph.3
典型的输出特性（V -I ）
T =25
C
CE
C
j
Graph.4
典型的输出特性（V -I ）
T =175
C
CE
C
j
100
100
V
GE
= 20V
80
15V
V
GE
= 20V
12V
80
15V
12V
60
10V
60
I
C
[A]
I
C
[A]
10V
40
40
20
20
8V
8V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
Graph.5
典型的传输特性
V =+15V
GE
Graph.6
栅极阈值电压与T
I = 50mA时V = 20V
C
CE
j
100
10
9
栅极阈值电压V
GE （日）
[V]
80
8
7
6
典型值。
马克斯。
60
分钟。
5
4
3
2
1
I
C
[A]
40
T
j
=175℃
20
T
j
=25℃
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GE
[V]
T
j
[℃]
3
FGW50N60VD
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分立IGBT
Graph.7
典型电容
V = 0V ， F = 1MHz时， T = 25
C
GE
j
Graph.8
典型栅极电荷
V = 400V ， I = 50A ， T = 25
C
CC
C
j
20
10
4
C
IES
15
V
CC
=400V
C [ pF的]
10
3
V
GE
[V]
10
C
OES
C
水库
10
2
5
10
1
0
B
10
-2
10
-1
10
V
CE
[V]
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
g
[ NC ]
Graph.9
典型的开关时间和I
T =175
C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
C
j
CC
GE
G
Graph.10
典型的开关时间与
T =175
C，V = 400V ， I = 50A ， L = 500μH
V =15V
G
j
CC
C
GE
1000
1000
t
D（关闭）
t
D（关闭）
开关时间[纳秒]
开关时间[纳秒]
t
f
100
t
r
100
t
f
t
D（上）
t
D（上）
10
t
r
10
1
0
20
40
60
80
100
1
0
10
20
30
40
50
60
集电极电流I
C
[A]
门电阻R
g
[Ω]
Graph.11
典型的开关损耗与我
T =175
C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
C
j
CC
GE
G
Graph.12
典型的开关损耗与
T =175
C，V = 400V ， I = 50A ， L = 500μH
V =15V
G
j
CC
C
GE
18
16
14
8
开关损耗[兆焦耳]
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
开关损耗[兆焦耳]
6
E
on
E
on
4
E
关闭
E
关闭
2
0
0
10
20
30
40
50
60
集电极电流I
C
[A]
门电阻R
g
[Ω]
4
FGW50N60VD
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分立IGBT
Graph.13
FWD正向压降（V -I ）
F
F
Graph.14
典型的反向恢复特性与我
T = 175 ° C，V = 400V ， L = 500μH ，
V = 15V ，R
=10Ω
j
CC
GE
G
F
80
600
6
500
5
反向恢复时间[纳秒]
60
T
j
=175℃
T
j
=25℃
400
4
I
F
[A]
t
rr
300
3
40
200
2
20
100
1
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0
20
40
60
80
0
V
F
[V]
I
F
[A]
Graph.15
典型的反向恢复损耗与我
T = 175 ° C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10
j
CC
GE
G
F
Graph.16
反向偏置安全工作区
T
≤175°C,V
=+15V/0V,R
=10Ω
j
GE
G
2.00
200
1.75
反向恢复损耗[兆焦耳]
1.50
150
1.25
1.00
集电极电流I
C
[A]
100
0.75
0.50
50
0.25
0.00
0
20
40
60
80
0
0
200
400
600
800
I
F
[A]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
5
反向恢复电荷[的uC ]
Q
rr
QQ：2880707522 复制
