http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
FGW35N60HD
分立的IGBT （高速V系列）
600V / 35A
低功耗
低开关浪涌和噪声
高可靠性，高耐用性（ RBSOA ， SCSOA等）
不间断电源
电源coditionner
功率因数校正电路
分立IGBT
特点
应用
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
绝对最大额定值（在T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
CES
V
GES
I
C@25
I
C@100
I
CP
-
I
F@25
I
F@100
I
FP
t
SC
P
D_IGBT
P
D_FWD
T
j
T
英镑
最大额定值和特性
等效电路
集电极电流脉冲
关断安全工作区
二极管的正向电流
二极管脉冲电流
短路承受时间
IGBT最大。功耗
FWD最大。功耗
工作结温
储存温度
注* 1 ：脉冲宽度有限的TJMAX 。
特色单位
备注
600
V
±20
V
64
A
T
C
=25°C,T
j
=150°C
35
A
T
C
=100°C,T
j
=150°C
105
A
注* 1
105
A
V
CE
≤600V,T
j
≤175°C
30
A
15
A
105
A
注* 1
V
CC
≤300V,V
GE
=12V
5
s
T
j
≤150°C
230
T
C
=25°C
W
80
T
C
=25°C
-40 ~ +175
°C
-55 ~ +175
°C
集热器
门
辐射源
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
（ BR ） CES
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
项
集电极 - 发射极击穿电压
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
开启能量
关闭能源
条件
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= + 20V ，我
C
= 35毫安
V
GE
= + 15V ，我
C
= 35A
T
j
=25°C
T
j
=175°C
T
j
=25°C
T
j
=175°C
V
CE
=25V
V
GE
=0V
f=1MHz
V
CC
= 400V
I
C
= 35A
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
V
CC
= 400V
I
C
= 35A
V
GE
= 15V
R
G
= 10
L = 500μH
能量损失包括“尾巴”和FWD反向
恢复。
T
j
= 175°C
V
CC
= 400V
I
C
= 35A
V
GE
= 15V
R
G
= 10Ω
L = 500μH
能量损失包括“尾巴”和FWD反向
恢复。
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
600
-
-
-
-
250
-
-
10
-
-
200
4.0
5.0
6.0
-
1.50
1.95
-
1.80
-
-
2800
-
-
140
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
210
32
60
200
40
0.90
0.85
33
60
225
50
1.40
1.25
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
mA
nA
V
V
pF
nC
ns
mJ
ns
mJ
1
FGW35N60HD
FWD特色
描述
正向电压降
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分立IGBT
符号
V
F
t
rr1
t
rr2
Q
rr
t
rr2
Q
rr
条件
I
F
=15A
V
CC
=30V,I
F
= 1.5A
-di/dt=200A/μs
V
CC
=400V
I
F
=15A
- 二
F
/dt=200A/s
T
j
=25°C
V
CC
=400V
I
F
=15A
- 二
F
/dt=200A/s
T
j
=175°C
T
j
=25°C
T
j
=175°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
2.0
2.6
-
1.4
-
-
24
0.03
-
-
-
0.06
0.15
0.65
31
-
-
-
-
单位
V
V
ns
μs
μC
μs
μC
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热阻特性
项
热阻，结到环境
热电阻， IGBT结到管壳
热阻， FWD结到管壳
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -C ） _IGBT
R
日（J -C ） _FWD
条件
-
-
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
50
-
-
0.641
-
-
1.786
单位
° C / W
2
FGW35N60HD
特性（代表）
Graph.1
集电极直流电流与牛逼
V
≥+15V,
T
≤175
C
GE
j
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分立IGBT
C
Graph.2
集电极电流与开关频率
V = + 15V ，T
≤175
C，V = 400V ， D = 0.5 ，
R = 10Ω ， T = 100
C
GE
G
C
CC
C
100
180
160
80
140
开关频率fs [千赫]
125
150
175
集电极电流I
C
[A]
60
T
j
≤175℃
120
100
80
40
60
20
40
20
0
25
50
75
100
0
0
10
20
30
40
50
60
外壳温度[
°
C]
集电极 - 发射极corrent ：我
CE
[A]
Graph.3
典型的输出特性（V -I ）
T =25
C
CE
C
j
Graph.4
典型的输出特性（V -I ）
T =175
C
CE
C
j
60
60
V
GE
=20V
50
15V
12V
10V
8V
50
V
GE
=20V
15V
40
40
12V
10V
8V
I
C
[A]
I
C
[A]
30
30
20
20
10
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
CE
[V]
V
CE
[V]
Graph.5
典型的传输特性
V =+15V
GE
Graph.6
栅极阈值电压与T
I = 35毫安，V = 20V
C
CE
j
60
8
7
50
40
栅极阈值电压V
GE （日）
[V]
6
马克斯。
典型值。
分钟。
5
I
C
[A]
30
4
T
j
=175℃
20
T
j
=25℃
3
2
10
1
0
0
2
4
6
8
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GE
[V]
T
j
[℃]
3
FGW35N60HD
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分立IGBT
Graph.7
典型电容
V = 0V ， F = 1MHz时， T = 25℃
GE
j
Graph.8
典型栅极电荷
V = 400V ， I = 35A ， T = 25℃
CC
C
j
10
4
20
资本投资者入境计划
10
3
15
V
CC
=400V
卓越中心
10
2
C [ pF的]
V
GE
[V]
10
CRES
10
1
5
10
0
0
B
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0
50
100
150
200
250
300
V
CE
[V]
Q
G
[ NC ]
Graph.9
典型的开关时间和I
T = 175 ° C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
C
j
CC
GE
G
Graph.10
典型的开关时间与
T = 175 ° C，V = 400V ， I = 35A ， L = 500μH
V =15V
G
j
CC
C
GE
1000
1000
开关时间[纳秒]
t
D（关闭）
开关时间[纳秒]
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
t
r
10
100
100
t
f
t
D（上）
10
t
r
1
0
10
20
30
40
50
60
70
1
0
10
20
30
40
50
60
集电极电流I
C
[A]
门电阻R
G
[Ω]
Graph.11
典型的开关损耗与我
T = 175 ° C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
j
CC
GE
G
C
Graph.12
典型的开关损耗与
T = 175 ° C，V = 400V ， I = 35A ， L = 500μH
V =15V
G
j
CC
C
GE
4
4
开关损耗[兆焦耳]
开关损耗[兆焦耳]
3
3
2
E
on
E
关闭
2
E
关闭
E
on
1
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
0
0
10
20
30
40
50
60
集电极电流I
C
[A]
门电阻R
G
[Ω]
4
FGW35N60HD
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分立IGBT
Graph.13
FWD正向压降（V -I ）
F
F
Graph.14
典型的反向恢复特性与我
T =175
C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
j
CC
GE
G
F
30
150
1.50
25
125
1.25
20
T
j
=175℃
T
j
=25℃
100
1.00
Q
rr
75
0.75
I
F
[A]
15
t
rr
50
0.50
10
5
25
0.25
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0.00
V
F
[V]
I
F
[A]
Graph.15
典型的反向恢复损耗与我
T =175
C，V = 400V ， L = 500μH
V = 15V ， R = 10Ω
j
CC
GE
G
F
Graph.16
反向偏置安全工作区
T
≤175
C，V = + 15V / 0V ， R = 10Ω
j
GE
G
300
200
250
150
反向恢复损耗[ UJ ]
集电极电流I
C
[A]
200
150
100
100
50
50
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
200
400
600
800
I
F
[A]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
5
反向恢复电荷[的uC ]
反向恢复时间[纳秒]
QQ：2880707522 复制
