FGP5N60UFD 600V , 5A场截止IGBT
2008年10月
FGP5N60UFD
600V , 5A场截止IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= 1.9V @我
C
= 5A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
tm
概述
使用新型场站IGBT技术,飞兆半导体的全新系列
的场截止IGBT的提供最佳性能的感应
暖气, UPS , SMPS和PFC应用中的低传导
化和开关损耗是必不可少的。
应用
感应加热, UPS , SMPS , PFS
C
G
1
TO-220
E
1.Gate 2.Collector 3.Emitter
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM (1)
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的, 1/8“从案例5秒
@ T
C
=
25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
±
20
10
5
15
81
32
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
o
C
注意事项:
1 :重复评价:脉冲宽度有限的最大值。 juntion温度
热特性
符号
R
θJC
(IGBT)
R
θJC
(二极管)
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
典型值。
-
-
-
马克斯。
1.55
3.2
62.5
单位
o
o
C / W
C / W
o
C / W
2008飞兆半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FGP5N60UFD版本A
FGP5N60UFD 600V , 5A场截止IGBT
包装标志和订购信息
器件标识
FGP5N60UFD
设备
FGP5N60UFDTU
包
TO-220
包装
TYPE
管
最大数量
每管数量
50ea
每盒
-
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
V
GE
= 0V时,我
C
= 250A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ,T
C
= 25
o
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V,
T
C
= 125
o
C
600
-
-
-
-
-
0.7
-
-
-
-
-
250
1
±400
V
V/
o
C
A
mA
nA
I
GES
G- ê漏电流
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
基本特征
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250μA ,V
CE
= V
GE
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
,
V
GE
= 15V,
T
C
= 125
o
C
4.0
-
-
5.0
1.9
2.1
6.5
2.4
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
-
-
-
290
40
10
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 400V ,我
C
= 5A,
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V ,我
C
= 5A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 125
o
C
V
CC
= 400V ,我
C
= 5A,
R
G
= 20, V
GE
= 15V,
感性负载,T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
8
44
20
0.075
0.059
0.134
8
11
48
30
0.077
0.082
0.159
19.5
2.5
10.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
FGP5N60UFD版本A
2
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FGP5N60UFD 600V , 5A场截止IGBT
二极管的电气特性
符号
V
FM
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
二极管的正向电压
I
F
= 5A
测试条件
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
I
ES
= 5A ,二
ES
/ DT = 200A / μs的
T
C
= 125
o
C
T
C
= 25
o
C
T
C
= 125
o
C
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.7
1.5
30
140
25
173
最大
2.3
-
-
-
-
-
单位
V
二极管的反向恢复时间
ns
二极管的反向恢复电荷
nC
FGP5N60UFD版本A
3
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FGP5N60UFD 600V , 5A场截止IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
15
T
C
= 25 C
20V
15V
12V
o
图2.典型的输出特性
15
T
C
= 125 C
20V
15V
12V
o
集电极电流,I
C
[A]
10
集电极电流,I
C
[A]
10
10V
10V
5
5
V
GE
= 8V
V
GE
= 8V
0
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
10
0
0
2
4
6
8
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
10
图3.典型的饱和电压
特征
15
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
20
共发射极
V
CE
= 20V
集电极电流,I
C
[A]
T
C
= 25 C
集电极电流,I
C
[A]
o
10
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
10
T
C
= 125 C
o
5
0
0
1
2
3
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
4
1
6
8
10
栅极 - 发射极电压,V
GE
[V]
12
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.0
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
10A
图6.饱和电压与V
GE
20
共发射极
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
T
C
= -40 C
o
2.5
16
12
2.0
5A
8
10A
1.5
I
C
= 2.5A
4
5A
I
C
= 2.5A
1.0
25
50
75
100
125
o
集电极 - EmitterCase温度,T
C
[
C
]
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
FGP5N60UFD版本A
4
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FGP5N60UFD 600V , 5A场截止IGBT
典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压,V
CE
[
V
]
16
16
12
12
8
10A
8
5A
4
4
I
C
= 2.5A
5A
I
C
= 2.5A
10A
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
600
共发射极
V
GE
= 0V , F = 1MHz的
T
C
= 25 C
o
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
T
C
= 25 C
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
12
V
CC
= 100V
300V
200V
电容[ pF的]
400
C
IES
9
C
OES
6
200
C
水库
3
0
1
10
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
30
0
0
5
10
15
栅极电荷,Q
g
[ NC ]
20
图11. SOA特征
30
10
集电极电流,I
c
[A]
10
s
100
s
图12.导通特性上与
栅极电阻
50
开关时间[ NS ]
1
1ms
10毫秒
DC
10
t
r
t
D(上)
0.1
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 5A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压,V
CE
[V]
1000
1
0
10
20
30
40
栅极电阻,R
G
[
]
50
FGP5N60UFD版本A
5
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