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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第400页 > FGL60N100BNTD
FGL60N100BNTD
IGBT
FGL60N100BNTD
NPT- IGBT沟槽
概述
海沟绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）与NPT
技术展示传导表现出色
和开关特性以及增强的
雪崩坚固性。这些装置非常适用于
感应加热（ I-H ）的应用
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.5 V @ I
C
= 60A
高输入阻抗
内置的快速恢复二极管
应用
微波烤箱，电磁炉， IH罐，感应加热器，家用电器
C
G
TO-264
G
C
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGL60N100BNTD
1000
±
25
60
42
120
15
180
72
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.69
2.08
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
IGBT的电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1000V, V
GE
= 0V
V
GE
= ± 25, V
CE
= 0V
1000
--
--
--
--
--
--
1.0
± 500
V
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 60毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.5
2.5
7.0
1.8
2.9
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
6000
260
200
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CC
= 600 V，I
C
= 60A,
R
G
= 51, V
GE
=15V,
阻性负载，T
C
= 25°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
,
, T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
140
320
630
130
275
45
95
--
--
--
250
350
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
R
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
瞬时反向电流
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A的di / dt = 20A /美
V
RRM
= 1000V
分钟。
--
--
--
典型值。
1.2
1.8
1.2
0.05
马克斯。
1.7
2.1
1.5
2
单位
V
V
us
uA
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
100
共发射极
T
C
= 25
℃
80
20V
15V
10V
9V
90
8V
80
70
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃ ━━
T
C
= 125
℃
------
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
5
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
60
40
7V
20
V
GE
= 6V
0
1
2
3
4
0
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
=15V
3
80A
60A
共发射极
O
T
C
= - 40 C
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
8
6
2
30A
4
30A
60A
80A
I
C
=10A
1
-50
0
50
100
150
2
I
C
=10A
0
4
8
12
16
20
外壳温度，T
C
[
℃
]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图3.饱和电压与案例
温度变式电流等级
图4.饱和电压与V
GE
10
共发射极
T
C
= 25
℃
10
共发射极
T
C
= 125
℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
8
8
6
30A
4
60A
80A
2
I
C
= 10A
0
4
8
12
16
20
6
30A
60A
80A
4
2
I
C
= 10A
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2004仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
10000
资本投资者入境计划
10000
V
CC
= 600V ，我
C
=60A
V
摹ê
=± 15V
T
C
=25 C
o
电容[ pF的]
tdoff
Tr
Tdon
Tf
卓越中心
100
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
℃
0
5
10
15
20
25
30
CRES
开关时间[ NS ]
1000
1000
100
10
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
摹吃 esistance ，R
G
[ ]
图7.电容特性
图8.开关特性对比
栅极电阻
20
1000
V
CC
= 6 0 0 V ， R G = 5 1
V
摹ê
= 1 ± 5 V ，T
C
= 2 5
℃
共发射极
V
CC
= 600V ，R
L
=10
T
C
=25
℃
开关时间[ NS ]
牛逼D 2 O FF
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
10
Tf
Tr
5
100
Tdon
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
C 0 LLE C到R C ④此T，I
C
[A ]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图9.开关特性对比
集电极电流
图10.栅极电荷特性
10
50us
100us
热响应，Z
thJC
[
℃
/W]
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
I
C
MAX 。 （连续）
集电极电流，I
C
[A]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
10
-4
10
1ms
直流操作
1
单一不重复的脉冲
T
C
= 25
℃
曲线必须darated
线性增长
温度
1
10
100
1000
0.1
1E-3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
矩形脉冲持续时间（秒）
图11. SOA特征
IGBT图12.瞬态热阻抗
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
100
1.2
I
F
=60A
T
C
=25
℃
120
反向恢复时间，T
rr
[
]
1.0
100
反向恢复电流我
rr
[A]
正向电流I
F
[A]
10
T
C
= 100
℃
0.8
t
rr
0.6
80
T
C
= 25
℃
1
60
0.4
40
0.2
I
rr
20
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0
40
80
120
160
200
0
240
正向电压，V
FM
[V]
di / dt的[ A /
]
图13.正向特性
图14.反向恢复特性
与di / dt的
1.2
反向恢复时间，T
rr
[
]
di/dt=-20A/
T
C
=25
℃
12
1000
100
反向恢复电流我
rr
[A]
t
rr
反向电流，I
R
[UA ]
1.0
10
T
C
= 150
℃
10
1
0.1
0.01
1E-3
0
300
600
900
T
C
= 25
℃
0.8
I
rr
8
0.6
6
0.4
4
10
20
30
40
50
60
正向电流I
F
[A]
反向电压， V
R
[V]
图15.反向恢复特性对比
正向电流
图16.反向电流和反向电压
250
T
C
= 25
℃
200
电容C
j
[ pF的]
150
100
50
0
0.1
1
10
100
反向电压， V
R
[V]
图17.结电容
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
IGBT
FGL60N100BNTD
NPT- IGBT沟槽
概述
海沟绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）与NPT
技术展示传导表现出色
和开关特性以及增强的
雪崩坚固性。这些装置非常适用于
感应加热（ I-H ）的应用
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 2.5 V @ I
C
= 60A
高输入阻抗
内置的快速恢复二极管
应用
微波烤箱，电磁炉， IH罐，感应加热器，家用电器
C
G
TO-264
G
C
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGL60N100BNTD
1000
±
25
60
42
120
15
180
72
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.69
2.08
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
IGBT的电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1000V, V
GE
= 0V
V
GE
= ± 25, V
CE
= 0V
1000
--
--
--
--
--
--
1.0
± 500
V
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 60毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 10A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
,
V
GE
= 15V
4.0
--
--
5.0
1.5
2.5
7.0
1.8
2.9
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
=10V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
6000
260
200
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CC
= 600 V，I
C
= 60A,
R
G
= 51, V
GE
=15V,
阻性负载，T
C
= 25°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 60A,
V
GE
= 15V
,
, T
C
= 25°C
--
--
--
--
--
--
--
140
320
630
130
275
45
95
--
--
--
250
350
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
I
R
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
瞬时反向电流
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
I
F
= 15A
I
F
= 60A
I
F
= 60A的di / dt = 20A /美
V
RRM
= 1000V
分钟。
--
--
--
典型值。
1.2
1.8
1.2
0.05
马克斯。
1.7
2.1
1.5
2
单位
V
V
us
uA
2004仙童半导体公司
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
100
共发射极
T
C
= 25
℃
80
20V
15V
10V
9V
90
8V
80
70
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃ ━━
T
C
= 125
℃
------
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
5
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
60
40
7V
20
V
GE
= 6V
0
1
2
3
4
0
4
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的饱和电压特性
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
=15V
3
80A
60A
共发射极
O
T
C
= - 40 C
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
8
6
2
30A
4
30A
60A
80A
I
C
=10A
1
-50
0
50
100
150
2
I
C
=10A
0
4
8
12
16
20
外壳温度，T
C
[
℃
]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图3.饱和电压与案例
温度变式电流等级
图4.饱和电压与V
GE
10
共发射极
T
C
= 25
℃
10
共发射极
T
C
= 125
℃
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
8
8
6
30A
4
60A
80A
2
I
C
= 10A
0
4
8
12
16
20
6
30A
60A
80A
4
2
I
C
= 10A
0
4
8
12
16
20
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2004仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
FGL60N100BNTD版本A
FGL60N100BNTD
10000
资本投资者入境计划
10000
V
CC
= 600V ，我
C
=60A
V
摹ê
=± 15V
T
C
=25 C
o
电容[ pF的]
tdoff
Tr
Tdon
Tf
卓越中心
100
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
T
C
= 25
℃
0
5
10
15
20
25
30
CRES
开关时间[ NS ]
1000
1000
100
10
0
50
100
150
200
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
摹吃 esistance ，R
G
[ ]
图7.电容特性
图8.开关特性对比
栅极电阻
20
1000
V
CC
= 6 0 0 V ， R G = 5 1
V
摹ê
= 1 ± 5 V ，T
C
= 2 5
℃
共发射极
V
CC
= 600V ，R
L
=10
T
C
=25
℃
开关时间[ NS ]
牛逼D 2 O FF
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
15
10
Tf
Tr
5
100
Tdon
0
10
20
30
40
50
60
0
50
100
150
200
250
300
C 0 LLE C到R C ④此T，I
C
[A ]
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
图9.开关特性对比
集电极电流
图10.栅极电荷特性
10
50us
100us
热响应，Z
thJC
[
℃
/W]
100
I
C
MAX 。 （脉冲）
I
C
MAX 。 （连续）
集电极电流，I
C
[A]
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
10
-4
10
1ms
直流操作
1
单一不重复的脉冲
T
C
= 25
℃
曲线必须darated
线性增长
温度
1
10
100
1000
0.1
1E-3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
矩形脉冲持续时间（秒）
图11. SOA特征
IGBT图12.瞬态热阻抗
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FGL60N100BNTD
100
1.2
I
F
=60A
T
C
=25
℃
120
反向恢复时间，T
rr
[
]
1.0
100
反向恢复电流我
rr
[A]
正向电流I
F
[A]
10
T
C
= 100
℃
0.8
t
rr
0.6
80
T
C
= 25
℃
1
60
0.4
40
0.2
I
rr
20
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0
40
80
120
160
200
0
240
正向电压，V
FM
[V]
di / dt的[ A /
]
图13.正向特性
图14.反向恢复特性
与di / dt的
1.2
反向恢复时间，T
rr
[
]
di/dt=-20A/
T
C
=25
℃
12
1000
100
反向恢复电流我
rr
[A]
t
rr
反向电流，I
R
[UA ]
1.0
10
T
C
= 150
℃
10
1
0.1
0.01
1E-3
0
300
600
900
T
C
= 25
℃
0.8
I
rr
8
0.6
6
0.4
4
10
20
30
40
50
60
正向电流I
F
[A]
反向电压， V
R
[V]
图15.反向恢复特性对比
正向电流
图16.反向电流和反向电压
250
T
C
= 25
℃
200
电容C
j
[ pF的]
150
100
50
0
0.1
1
10
100
反向电压， V
R
[V]
图17.结电容
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