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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符F型号页 > 首字符F的型号第64页 > FGL40N150D
FGL40N150D
IGBT
FGL40N150D
概述
飞兆半导体的绝缘栅双极晶体管
（IGBT）
提供低传导损耗和开关损耗。
该FGL40N150D是专为感应加热
应用程序。
特点
高速开关
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 3.5 V @ I
C
= 40A
高输入阻抗
内置的快速恢复二极管
应用
家电产品，感应加热器，1H JAR和微波炉。
C
G
TO-264
G
C
E
T
C
= 25 ° C除非另有说明
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
I
F
I
FM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 100°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 100°C
FGL40N150D
1500
±
25
40
20
120
10
100
200
80
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
注意事项：
（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
--
--
--
马克斯。
0.625
0.83
25
单位
° C / W
° C / W
° C / W
2002仙童半导体公司
FGL40N150D牧师A1
FGL40N150D
IGBT的电气特性
T
符号
参数
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0V时，我
C
= 3毫安
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
1500
--
--
--
--
--
--
3.0
± 100
V
mA
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极
饱和电压
I
C
= 40毫安，V
CE
= V
GE
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
3.5
2.5
5.0
3.5
7.5
4.5
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
--
--
--
2450
220
75
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
V
CC
= 600 V，I
C
= 40A,
R
G
= 51, V
GE
= 15V,
阻性负载，T
C
= 25°C
V
CE
= 600 V，I
C
= 40A,
V
GE
= 15V
--
--
--
--
--
--
--
100
350
200
100
110
15
40
200
700
400
300
170
25
60
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
二极管的电气特性
T
符号
V
FM
t
rr
参数
二极管的正向电压
二极管的反向恢复时间
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
I
F
= 10A
I
F
= 10A ，的di / dt = 200A / us的
分钟。
--
--
典型值。
1.3
170
马克斯。
1.8
300
单位
V
ns
2002仙童半导体公司
FGL40N150D牧师A1
FGL40N150D
100
共发射极
80
T
C
= 25 C
8V
o
120
20V
15V
10V
100
共发射极
V
GE
= 15V
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
集电极电流，I
C
[A]
8
集电极电流，I
C
[A]
80
60
60
40
40
20
V
GE
= 6V
20
0
0
2
4
6
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
6
共发射极
V
GE
= 15V
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
5
I
C
= 80A
5000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
4000
TC = 25℃
o
电容[ pF的]
4
3000
资本投资者入境计划
I
C
= 40A
3
I
C
= 20A
2
2000
卓越中心
1000
CRES
1
25
50
75
100
o
0
125
150
1
10
外壳温度，T
C
[ C]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图3.集电极到发射极饱和
电压与外壳温度
图4.典型电容与
集电极到发射极电压
20
共发射极
T
C
= 25 C
o
20
共发射极
T
C
= 125 C
0
集电极 - 发射极电压， V [ V]
CE
16
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
16
12
12
8
80A
4
40A
20A
0
0
4
8
12
16
20
8
80A
4
40A
20A
0
0
4
8
12
16
20
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
图5.饱和电压与V
GE
2002仙童半导体公司
图6.饱和电压与V
GE
FGL40N150D牧师A1
FGL40N150D
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 51
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
1000
共发射极
V
GE
=
±
15V ，R
G
= 51
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
开关时间[ NS ]
tf
开关时间[ NS ]
1000
tr
100
TD （上）
TD （关闭）
100
10
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
20
30
40
50
60
70
80
90
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
图7.关断特性对比
集电极电流
图8.打开，在主场迎战特点
集电极电流
共发射极
V
摹ê
=
±
15V ，R
G
= 51
T
C
= 25 C
10000
T
C
= 125 C
o
o
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
o
开关时间[ NS ]
开关损耗[
J]
1000
T
C
= 125 C
o
tf
1000
EOFF
宙
100
TD （关闭）
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
100
集电极电流，I
C
[A]
栅极电阻，R
G
[
]
图9.开关损耗与集电极电流
图10.关断特性对比
栅极电阻
1000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
o
o
10000
共发射极
V
CC
= 600V, V
GE
=
±
15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
o
o
开关时间[ NS ]
开关损耗[
J]
T
C
= 125 C
tr
T
C
= 125 C
TD （上）
100
EOFF
1000
10
宙
10
100
10
100
栅极电阻，R
G
[
]
栅极电阻，R
G
[
]
图11.导通特性对比
栅极电阻
2002仙童半导体公司
图12.开关损耗与栅极电阻
FGL40N150D牧师A1
FGL40N150D
16
14
共发射极
R
L
= 15
, V
CC
= 600V
T
C
= 25 C
12
100
s
o
100
IC MAX （脉冲）
IC MAX（连续）
50
s
门 - 发射极电压，V
GE
[V]
集电极电流，I
C
[A]
10
1ms
直流操作
1
单非重复性
0.1
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
0.1
1
10
100
1000
o
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
0.01
栅电荷QG [ NC ]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
图13.栅极电荷特性
图14. SOA特征
500
450
300
270
反向恢复时间，T
rr
[ NS ]
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
I
F
= 10A
反向恢复时间，T
rr
[ NS ]
240
210
180
150
120
90
60
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
100A/us
200A/us
的di / dt = 50A /美
di / dt的[A / US ]
正向电流I
F
[A]
图15.典型的牛逼
rr
与di / dt的
图16.典型的牛逼
rr
与正向电流
1000
100
100
10
T
C
= 125℃
100℃
瞬时正向电流，I
F
[A]
反向电流，I
R
[UA ]
10
T
C
=125℃
25℃
1
1
0.1
25℃
0.01
1E-3
300.0
600.0
900.0
1.2k
1.5k
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
反向电压， V
R
[V]
瞬时电压，V
F
[V]
图17.反向电流和反向电压
图18.典型正向电压降
与正向电流
FGL40N150D牧师A1
2002仙童半导体公司
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    FGL40N150D
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