【FGH60N6S22003年8月FGH60N6S2600V ，开关电源II系列N沟道IGBT概述该F】,IC型号FGH60N6S2,FGH60N6S2 PDF资料,FGH60N6S2经销商,ic,电子元器件-51电子网

FGH60N6S2

2003年8月

FGH60N6S2

600V ，开关电源II系列N沟道IGBT

概述

该FGH60N6S2是一个低栅极电荷，低电压高原

年龄SMPS的第二IGBT的组合的开关速度快

开关电源的IGBT与低栅极电荷和高原

电压和雪崩能力（ UIS）。这些设备LGC

缩短延迟时间，并降低的功率要求

栅极驱动。这些器件非常适用于高电压

年龄的开关模式电源的应用中的低

导通损耗，快速开关时间和UIS能力是

必不可少的。 SMPS II LGC设备已经专门设计

签署：

功率因数校正（ PFC ）电路

全桥拓扑结构

半桥拓扑

推挽电路

不间断电源

零电压和零电流开关电路

特点

在390V ， 52A 100kHz的操作

在390V ， 31A的200kHz工作

600V开关SOA能力

典型的下降时间。。。。。。。。。。。在TJ 77ns = 125

o

C

低栅极电荷。。。。。。。。 140nC在V

GE

= 15V

低高原电压。。。。。。。。。。。。 .6.5V典型

UIS评级。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 700mJ

低传导损耗

以前发育类型TA49346 。

包

TO-247

符号

E

C

G

C

G

集热器

（背金属）

E

器件的最大额定值

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CES

I

C25

I

C110

I

CM

V

GES

V

创业板

SSOA

E

AS

P

D

T

J

参数

集电极到发射极击穿电压

连续集电极电流，T

C

= 25°C

连续集电极电流，T

C

= 110°C

集电极电流脉冲（注1 ）

门到发射极电压连续

门到发射极电压脉冲

开关安全工作区在T

J

= 150℃，如图2

脉冲雪崩能量，我

CE

= 20A ， L = 1.3mH ，V

DD

= 50V

功率耗散总T

C

= 25°C

功耗降额牛逼

C

> 25℃

工作结温范围

评级

600

75

320

±20

±30

200A在600V

700

625

5

-55到150

mJ

W

W / ℃，

°C

单位

V

A

V

存储结温范围

-55到150

°C

T

英镑

注意：如果运行条件超过上述“设备最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和

该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。

注意：

1.脉冲宽度有限的最高结温。

2003仙童半导体公司

FGH60N6S2牧师A2

FGH60N6S2

包装标志和订购信息

器件标识

60N6S2

设备

FGH60N6S2

包

TO-247

带尺寸

管

胶带宽度

不适用

QUANTITY

30

电气特性

T

J

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

关态特征

BV

CES

BV

ECS

I

CES

I

GES

集电极到发射极击穿电压

发射极到集电极击穿电压

集电极到发射极漏电流

门到发射极漏电流

I

C

= 250μA ，V

GE

= 0

I

C

= -10mA ，V

GE

= 0

V

CE

= 600V

V

GE

= ± 20V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

600

20

-

250

3

±250

V

A

mA

nA

对国家特性

V

CE （ SAT ）

集电极到发射极饱和电压

I

C

= 40A,

V

GE

= 15V

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

-

1.9

1.65

2.5

2.2

V

动态特性

Q

G（ ON）的

V

GE （日）

V

GEP

栅极电荷

门到发射极阈值电压

门到发射极电压高原

I

C

= 40A,

V

CE

= 300V

V

GE

= 15V

V

GE

= 20V

-

3.5

-

140

180

4.3

6.5

175

225

5.0

8.0

nC

V

I

C

= 250μA ，V

CE

= V

GE

I

C

= 40A ，V

CE

= 300V

开关特性

SSOA

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

t

D（ ON ）I

t

rI

t

D（ OFF ）I

t

fI

E

ON1

E

ON2

E

关闭

开关SOA

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注2 ）

关断能量（注3 ）

电流导通延迟时间

电流上升时间

电流关断延迟时间

电流下降时间

开启能量（注2 ）

关断能量（注3 ）

IGBT和二极管在T

J

= 125°C

I

CE

= 40A,

V

CE

= 390V,

V

GE

= 15V,

R

G

= 3

L = 100μH

测试电路 - 图20

T

J

= 150℃ ，R

G

= 3, V

GE

=

15V ， L = 100μH ，V

CE

= 600V

IGBT和二极管在T

J

= 25°C,

I

CE

= 40A,

V

CE

= 390V,

V

GE

= 15V,

R

G

= 3

L = 100μH

测试电路 - 图20

200

-

18

15

70

50

400

490

310

27

32

110

77

400

750

688

-

450

-

150

90

450

850

950

A

ns

J

ns

J

热特性

R

θJC

注意：

2.

值

热阻结案件

TO-247

-

0.2

° C / W

两个导通损耗条件示为电路设计者的便利性。 ê

ON1

是导通损耗

IGBT的唯一。 ê

ON2

是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一

J

作为IGBT 。二极管类型被指定在图20中。

3.

打开-O FF

能量损失（E

关闭

）被定义为瞬时功率损耗的开始处的后缘的积分

输入脉冲和结束的点处的集电极电流等于零（我

CE

= 0A ）。所有器件每个测试

JEDEC标准号24-1方法的功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法生产

ES真正的总导通关的能量损失。

2003仙童半导体公司

FGH60N6S2牧师A2

FGH60N6S2

典型性能曲线

T

J

= 25 ° C除非另有说明

175

150

125

100

包装有限公司

75

50

25

0

25

50

75

100

o

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

TJ = 150

o

C

225

200

175

150

125

100

75

50

25

0

T

J

= 150

o

C，R

G

= 3 V

GE

= 15V ， L = 100μH

,

I

CE

， DC集电极电流（ A）

125

150

0

100

200

300

400

500

600

700

T

C

，外壳温度（ C）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

图1. DC集电极电流与案例

温度

1000

T

J

= 125

o

C，R

G

= 3Ω L = 100μH ，V

CE

= 390V

,

f

最大

，工作频率（千赫）

T

C

= 75

o

C

500

图2.最小开关安全工作区

16

t

SC

，短路耐受时间（μs ）

V

CE

= 390V ，R

G

= 3, T

J

= 125

o

C

14

12

I

SC

10

8

6

t

SC

4

2

0

30

50

100

9

10

11

12

13

14

15

16

V

GE

，门到发射极电压（ V）

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

I

SC

峰值短路电流（ A）

2.2

V

GE

= 15V

100

f

MAX1

= 0.05 / (t

D（ OFF ）I

+ t

D（ ON ）I

)

f

MAX2

= (P

D

- P

C

) / (E

ON2

+ E

关闭

)

50

30

5

10

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

P

C

=传导耗散

（占空比= 50％）

R

θJC

= 0.2

o

C / W ，见注解

V

GE

= 10V

图3.工作频率与集电极

发射极电流

80

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

70

60

50

40

30

20

10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

T

J

= 125

o

C

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 10V

脉冲宽度= 250μs的

图4.短路耐受时间

80

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

70

60

50

40

T

J

= 125

o

C

30

20

10

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

占空比< 0.5 ％，V

GE

= 15V

脉冲宽度= 250μs的

T

J

= 150

o

C

T

J

= 25

o

C

图5.集电极到发射极导通电压

图6.集电极到发射极导通电压

2003仙童半导体公司

FGH60N6S2牧师A2

FGH60N6S2

典型性能曲线

T

J

= 25 ° C除非另有说明

4.0

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

E

关闭

TURN -OFF能量损失（兆焦耳）

E

ON2

，开启能量损失（兆焦耳）

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

0

10

20

30

40

50

60

70

80

0.0

0

10

20

30

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 10V

1.75

1.50

1.25

1.00

T

J

= 125

o

C，V

GE

= 10V, V

GE

= 15V

0.75

0.50

0.25

T

J

= 25

o

C，V

GE

= 10V, V

GE

= 15V

40

50

60

70

80

2.00

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图7.开启能量损失VS收藏家

发射极电流

32

30

t

D（ ON ）I

，导通延迟时间（纳秒）

28

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家

发射极电流

90

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

80

70

t

rI

，上升时间（ NS ）

26

24

22

20

18

16

14

12

0

10

20

30

40

50

60

70

80

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 10V

60

50

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 10V

40

30

20

10

0

10

20

30

40

50

60

70

80

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

图9.导通延迟时间与收藏家

发射极电流

120

图10.导通上升时间与收藏家

发射极电流

90

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

80

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V

t

D（ OFF ）I

，关断延迟时间（纳秒）

100

70

80

V

GE

= 10V, V

GE

= 15V ，T

J

= 125

o

C

t

fI

，下降时间（ NS ）

60

50

40

30

20

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 10V

60

V

GE

= 10V, V

GE

= 15V ，T

J

= 25

o

C

40

T

J

= 25

o

C，T

J

= 125

o

C，V

GE

= 15V

0

10

20

30

40

50

60

70

80

0

10

20

30

40

50

60

70

80

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

图11.关断延迟时间与收藏家

发射极电流

图12. FALL时间与集电极到发射极

当前

2003仙童半导体公司

FGH60N6S2牧师A2

FGH60N6S2

典型性能曲线

T

J

= 25 ° C除非另有说明

200

I

CE

，集电极到发射极电流（ A）

V

GE

，门到发射极电压（ V）

175

150

125

100

T

J

= 25

o

C

75

50

T

J

=

25

T

J

= -55

o

C

0

3.0

0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

0

20

V

GE

，门到发射极电压（ V）

40

60

80

100

Q

G

，栅极电荷（ NC）

120

140

125

o

C

占空比< 0.5 ％，V

CE

= 10V

脉冲宽度= 250μs的

16

I

G（ REF ）

= 1毫安，R

L

= 7.5

14

12

10

8

6

4

2

V

CE

= 200V

V

CE

= 600V

V

CE

= 400V

图13.传输特性

E

总

，总交换能量损失（兆焦耳）

R

G

= 3Ω ， L = 100μH ，V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

4

I

CE

= 80A

3

E

总

，总交换能量损失（兆焦耳）

5

100

图14.栅极电荷

T

J

= 125

o

C，L = 100μH ，V

CE

= 390V, V

GE

= 15V

E

总

= E

ON2

+ E

关闭

10

I

CE

= 80A

1

I

CE

= 40A

I

CE

= 20A

2

I

CE

= 40A

1

I

CE

= 20A

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（

o

C)

0.1

1

10

100

1000

R

G

，栅极电阻（ Ω ）

图15.总开关损耗VS案例

温度

10

C

IES

C，电容（ NF）

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

频率= 1MHz的

图16.总开关损耗VS门

阻力

2.8

占空比< 0.5 ％

脉冲宽度= 250μs的

2.6

1

2.4

C

OES

0.1

2.2

I

CE

= 60A

2.0

I

CE

= 40A

1.8

I

CE

= 20A

1.6

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

C

水库

0.01

0

20

40

60

80

V

CE

，集电极到发射极电压（ V）

100

V

GE

，门到发射极电压（ V）

图17.电容VS集电极到发射极

电压

图18.集电极到发射极通态电压VS

门到发射极电压

2003仙童半导体公司

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