FGH50N6S2D
2002年7月
FGH50N6S2D
600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联隐身
TM
二极管
概述
该FGH50N6S2D是一个低栅极电荷，低高原
电压SMPS IGBT II结合快速开关速度
开关电源的IGBT与低栅极电荷，高原
电压和雪崩能力（ UIS） 。这些设备LGC
缩短延迟时间，并降低的功率要求
栅极驱动。这些器件非常适用于高电压
年龄的开关模式电源的应用中的低
导通损耗，快速开关时间和UIS能力是
必不可少的。 SMPS II LGC设备已经专门设计
签署：
功率因数校正（ PFC ）电路
全桥拓扑结构
半桥拓扑
推挽电路
不间断电源
零电压和零电流开关电路
特点
在390V ， 40A 100kHz的操作
在390V ， 25A的200kHz工作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在TJ为90ns = 125
o
C
低栅极电荷。 。 。 。 。 。 。 。 。 70nC在V
GE
= 15V
低高原电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6.5V典型
UIS评级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 480mJ
低传导损耗
IGBT （联合组）以前发育类型TA49344
二极管以前发育类型TA49392
包
JEDEC风格-247
E
C
G
符号
C
G
E
器件的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CES
I
C25
I
C110
I
CM
V
GES
V
创业板
SSOA
E
AS
P
D
T
J
参数
集电极到发射极击穿电压
连续集电极电流，T
C
= 25°C
连续集电极电流，T
C
= 110°C
集电极电流脉冲（注1 ）
门到发射极电压连续
门到发射极电压脉冲
开关安全工作区在T
J
= 150℃，如图2
脉冲雪崩能量，我
CE
= 30A ， L = 1MH ，V
DD
= 50V
功率耗散总T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
工作结温范围
评级
600
75
60
240
±20
±30
150A在600V
480
463
3.7
-55到150
mJ
W
W / ℃，
°C
单位
V
A
A
A
V
V
存储结温范围
-55到150
°C
T
英镑
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2002仙童半导体公司
FGH50N6S2D RevA2
FGH50N6S2D
包装标志和订购信息
器件标识
50N6S2D
设备
FGH50N6S2D
包
TO-247
胶带宽度
不适用
QUANTITY
30
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
BV
CES
I
CES
I
GES
集电极到发射极击穿电压I
C
= 250μA ，V
GE
= 0
集电极到发射极漏电流
门到发射极漏电流
V
CE
= 600V
V
GE
= ± 20V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
600
-
-
-
-
-
-
-
-
250
2.8
±250
V
A
mA
nA
对国家特性
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
V
EC
二极管的正向电压
I
C
= 30A,
V
GE
= 15V
I
EC
= 30A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-
-
-
1.9
1.7
2.2
2.7
2.2
2.6
V
V
V
动态特性
Q
G（ ON）的
V
GE （日）
V
GEP
栅极电荷
门到发射极阈值电压
门到发射极电压高原
I
C
= 30A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
3.5
-
70
90
4.3
6.5
85
110
5.0
8.0
nC
nC
V
V
I
C
= 250μA ，V
CE
= V
GE
I
C
= 30A ，V
CE
= 300V
开关特性
SSOA
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
rr
开关SOA
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
二极管的反向恢复时间
I
EC
= 30A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
I
EC
= 1A ，二
EC
/ DT = 200A / μs的
IGBT和二极管在T
J
= 125°C
I
CE
= 30A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3
L = 200μH
测试电路 - 图26
T
J
= 150℃ ，V
GE
= 15V ，R
G
= 3
L = 100μH ，V
CE
= 600V
IGBT和二极管在T
J
= 25°C,
I
CE
= 30A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 3
L = 200μH
测试电路 - 图26
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
15
55
50
260
330
250
13
15
92
88
260
490
575
50
30
-
-
-
-
-
-
-
350
-
-
150
100
-
600
850
55
42
A
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
热特性
R
θJC
注意：
2.
值
热阻结案件
IGBT
二极管
-
-
-
-
0.27
1.1
° C / W
° C / W
两个导通损耗条件示为电路设计者的便利性。 ê
ON1
是导通损耗
IGBT的唯一。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图26中。
3.
打开-O FF
能量损失（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始处的后缘的积分
输入脉冲和结束的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有器件每个测试
JEDEC标准号24-1方法的功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法生产
ES真正的总导通关的能量损失。
FGH50N6S2D RevA2
2002仙童半导体公司
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