FGH40N60UF - 600 V ， 40 A场截止IGBT
2013年11月
FGH40N60UF
600 V ， 40 A场截止IGBT
特点
高电流能力
低饱和电压： V
CE （ SAT ）
= 1.8 V @ I
C
= 40 A
高输入阻抗
快速开关
符合RoHS
概述
采用新颖的场站IGBT技术，飞兆半导体的场截止
IGBT的提供最佳性能的太阳能逆变器， UPS ，
焊机和PFC应用中的低传导和开关
荷兰国际集团的损失是必不可少的。
应用
太阳能逆变器， UPS ，电焊机， PFC
E
C
G
集热器
（法兰）
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM （1）
P
D
T
J
T
英镑
T
L
描述
集电极到发射极电压
门到发射极电压
集电极电流
集电极电流
集电极电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结温
存储温度范围
最大的铅温度。焊锡
目的， 1/8“从案例5秒
@ T
C
=
25
o
C
@ T
C
= 100
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 25
o
C
@ T
C
= 100 C
o
评级
600
20
80
40
120
290
116
-55到+150
-55到+150
300
单位
V
V
A
A
A
W
W
o
C
o
C
o
C
注意事项：
1 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温
热特性
符号
R
θJC
（IGBT）
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
典型值。
-
-
马克斯。
0.43
40
单位
o
o
C / W
C / W
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FGH40N60UF牧师C1
FGH40N60UF - 600 V ， 40 A场截止IGBT
包装标志和订购信息
产品型号
FGH40N60UFTU
顶标
FGH40N60UF
包装包装方法
TO-247
管
带尺寸
不适用
胶带宽度
不适用
QUANTITY
30
IGBT的电气特性
符号
开关特性
BV
CES
ΔBV
CES
T
J
I
CES
I
GES
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极到发射极击穿电压V
GE
= 0 V，I
C
= 250
A
分解温度系数
电压
集电极截止电流
G- ê漏电流
V
GE
= 0 V，I
C
= 250
A
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0 V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0 V
600
-
-
-
-
0.6
-
-
-
-
250
±400
V
V/
o
C
A
nA
基本特征
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
G- ê阈值电压
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 250
A,
V
CE
= V
GE
I
C
= 40 A
,
V
GE
= 15 V
I
C
= 40 A
,
V
GE
= 15 V,
T
C
= 125
o
C
4.0
-
-
5.0
1.8
2.0
6.5
2.4
-
V
V
V
动态特性
C
IES
C
OES
C
水库
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
CE
= 30 V
,
V
GE
= 0 V,
F = 1 MHz的
-
-
-
2110
200
60
-
-
-
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
Q
g
Q
ge
Q
gc
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
总栅极电荷
门极 - 发射极充
门到集充电
V
CE
= 400 V，I
C
= 40 A,
V
GE
= 15 V
V
CC
= 400 V，I
C
= 40 A,
R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V,
感性负载，T
C
= 125
o
C
V
CC
= 400 V，I
C
= 40 A,
R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V,
感性负载，T
C
= 25
o
C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
24
44
112
30
1.19
0.46
1.65
24
45
120
40
1.2
0.69
1.89
120
14
58
-
-
-
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
nC
nC
nC
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FGH40N60UF - 600 V ， 40 A场截止IGBT
典型性能特性
图1.典型的输出特性
120
100
集电极电流，I
C
[A]
集电极电流，I
C
[A]
T
C
= 25 C
20V
o
图2.典型的输出特性
120
T
C
= 125 C
o
15V
15V
20V
12V
12V
100
80
60
80
60
10V
10V
40
20
V
GE
= 8V
40
20
0
0.0
V
GE
= 8V
0
0.0
1.5
3.0
4.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
1.5
3.0
4.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
6.0
图3.典型的饱和电压
特征
120
100
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
GE
= 15V
图4.传输特性
120
100
集电极电流，I
C
[A]
共发射极
V
CE
= 20V
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
T
C
= 25 C
o
80
60
40
20
0
0
T
C
= 125 C
o
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
10
11
栅极 - 发射极电压，V
GE
[V]
12
1
2
3
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
4
图5.饱和电压与案例
温度变电流等级
3.5
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
共发射极
V
GE
= 15V
图6.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= - 40 C
o
3.0
80A
16
2.5
12
2.0
40A
8
40A
I
C
= 20A
80A
1.5
I
C
= 20A
4
1.0
25
50
75
100
o
外壳温度，T
C
[ C]
125
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
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典型性能特性
图7.饱和电压与V
GE
20
集电极 - 发射极电压
,
V
CE
[V]
共发射极
T
C
= 25 C
o
图8.饱和电压与V
GE
20
共发射极
T
C
= 125 C
o
集电极 - 发射极电压，V
CE
[
V
]
16
16
12
12
8
40A
80A
8
40A
80A
4
I
C
= 20A
4
I
C
= 20A
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
0
4
8
12
16
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
20
图9.电容特性
5000
共发射极
V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
图10.栅极电荷特性
15
共发射极
o
4000
电容[ pF的]
C
国际空间站
T
C
= 25 C
o
栅极 - 发射极电压V
GE
[V]
T
C
= 25 C
12
V
cc
= 100V
200V
300V
3000
C
OSS
9
2000
6
1000
C
RSS
3
0
0.1
0
1
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
30
0
50
100
栅极电荷，Q
g
[ NC ]
150
图11. SOA特征
400
图12.导通特性上与
栅极电阻
200
10
s
100
集电极电流，I
c
[A]
100
10
100
s
1ms
开关时间[ NS ]
t
r
1
单非重复性
脉冲TC = 25℃
曲线必须降低
线性增长
温度
10毫秒
DC
t
D（上）
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
0.1
0.01
1
10
100
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
1000
10
0
10
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
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典型性能特性
图13.关断特性对比
栅极电阻
5500
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
图14.导通特性上与
集电极电流
500
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
o
o
开关时间[ NS ]
开关时间[ NS ]
1000
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
o
o
T
C
= 125 C
t
D（关闭）
t
r
100
100
t
f
t
D（上）
10
0
10
20
30
40
50
栅极电阻，R
G
[
]
10
20
40
60
80
集电极电流，I
C
[A]
图15.关断特性对比
集电极电流
600
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
t
D（关闭）
o
o
图16.开关损耗与栅极电阻
10
共发射极
V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
I
C
= 40A
T
C
= 25 C
T
C
= 125 C
E
on
E
关闭
o
o
100
t
f
开关损耗[兆焦耳]
开关时间[ NS ]
T
C
= 125 C
1
10
20
40
60
80
0.3
0
10
集电极电流，I
C
[A]
20
30
40
栅极电阻，R
G
[
]
50
图17.开关损耗与集电极电流
10
共发射极
V
GE
= 15V ，R
G
= 10
T
C
= 25 C
o
图18.关闭开关
SOA特性
200
100
集电极电流，I
C
[A]
E
on
开关损耗[兆焦耳]
T
C
= 125 C
o
1
E
关闭
10
安全工作区
V
GE
= 15V ，T
C
= 125 C
o
0.1
20
1
40
60
80
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
[A]
集电极 - 发射极电压，V
CE
[V]
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