FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGB30N6S2
2003年8月
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGB30N6S2
600V ，开关电源II系列N沟道IGBT
概述
该FGH30N6S2 ， FGP30N6S2和FGB30N6S2低
栅极电荷，低电压高原II SMPS IGBT的combin-
荷兰国际集团的开关电源的IGBT一起的开关速度快
低栅极电荷和平台电压和雪崩capa-
相容性（ UIS） 。这些LGC设备缩短延迟时间，并
降低栅极驱动器的功率要求。这些描述
恶习非常适合高电压开关模式pow-
呃电源应用中的低传导损耗，快
开关时间和UIS能力是必不可少的。 SMPS II
LGC设备已被专门设计用于：
功率因数校正（ PFC ）电路
全桥拓扑结构
半桥拓扑
推挽电路
不间断电源
零电压和零电流开关电路
特点
在390V ， 14A 100kHz的操作
在390V ， 9A 200kHz的操作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在TJ为90ns = 125
o
C
低栅极电荷。 。 。 。 。 。 。 。 。 23nC在V
GE
= 15V
低高原电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6.5V典型
UIS评级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150mJ
低传导损耗
以前发育类型TA49367 。
包
TO-247
E
C
G
符号
C
TO-220AB
E
C
G
TO-263AB
G
G
E
集热器
（背金属）
集热器
（法兰）
E
器件的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CES
I
C25
I
C110
I
CM
V
GES
V
创业板
SSOA
E
AS
P
D
T
J
T
英镑
参数
集电极到发射极击穿电压
连续集电极电流，T
C
= 25°C
连续集电极电流，T
C
= 110°C
集电极电流脉冲（注1 ）
门到发射极电压连续
门到发射极电压脉冲
开关安全工作区在T
J
= 150℃，如图2
脉冲雪崩能量，我
CE
= 20A ， L = 1.3mH ，V
DD
= 50V
功率耗散总T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
工作结温范围
存储结温范围
评级
600
45
20
108
±20
±30
60A电压为600V
150
167
1.33
-55到150
-55到150
mJ
W
W / ℃，
°C
°C
单位
V
A
A
A
V
V
注意：如果运行条件超过上述“设备最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2003仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGB30N6S2牧师A1
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
包装标志和订购信息
器件标识
30N6S2
30N6S2
30N6S2
30N6S2
设备
FGH30N6S2
FGP30N6S2
FGB30N6S2
FGB30N6S2T
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
TO-263AB
带尺寸
管
管
管
330mm
胶带宽度
不适用
不适用
不适用
24mm
QUANTITY
30个单位
50个单位
50个单位
800个
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
BV
CES
BV
ECS
I
CES
I
GES
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
门到发射极漏电流
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0
I
C
= -10mA ，V
GE
= 0
V
CE
= 600V
V
GE
= ± 20V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
600
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
2
±250
V
V
A
mA
nA
对国家特性
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-
-
2.0
1.7
2.5
2.0
V
V
动态特性
Q
G（ ON）的
V
GE （日）
V
GEP
栅极电荷
门到发射极阈值电压
门到发射极电压高原
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
3.5
-
23
26
4.3
6.5
29
33
5.0
8.0
nC
nC
V
V
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
开关特性
SSOA
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
开关SOA
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
IGBT和二极管在T
J
= 125°C
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 10
L = 200μH
测试电路 - 图20
T
J
= 150℃ ，R
G
= 10, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
10
40
53
55
110
100
11
17
73
90
55
160
250
-
-
-
-
-
-
-
150
-
-
100
100
-
200
350
A
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
IGBT和二极管在T
J
= 25°C,
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 10
L = 200μH
测试电路 - 图20
热特性
R
θJC
注意：
2.
值
热阻结案件
-
-
0.75
° C / W
两个导通损耗条件示为电路设计者的便利性。 ê
ON1
是导通损耗
IGBT的唯一。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图20中。
3.
打开-O FF
能量损失（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始处的后缘的积分
输入脉冲和结束的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有器件每个测试
JEDEC标准号24-1方法的功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法生产
ES真正的总导通关的能量损失。
2003仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2牧师A1
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
50
I
CE
， DC集电极电流（ A）
70
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V ， L = 100μH
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
40
30
20
10
0
25
50
T
C
75
100
125
150
，外壳温度（
o
C)
图1. DC集电极电流与案例
温度
1000
f
最大
，工作频率（千赫）
T
C
75
o
C
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
V
CE
= 390V ，R
G
= 10, T
J
= 125
o
C
10
300
8
t
SC
6
I
SC
250
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.49
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 3Ω L = 200μH ，V
CE
= 390V
,
200
4
150
2
9
10
11
12
13
14
15
10
1
10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
20
30
100
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
T
J
= 150
o
C
4
2
0
0.50
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图4.短路耐受时间
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
.5
.75
1
1.25
1.50
T
J
= 25
o
C
1.75
2.0
2.25
T
J
= 150
o
C
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
=15V
脉冲宽度= 250μs的
T
J
= 125
o
C
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
2003仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2牧师A1
I
SC
峰值短路电流（ A）
12
350
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
典型性能曲线
（续）
400
E
ON2
，开启能量损失（ μJ ）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
350
300
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
250
200
150
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
50
0
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
E
关闭
TURN -OFF能量损失（ μJ ）
600
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
500
400
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
300
200
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
0
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
16
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 10Ω L = 500μH ，V
CE
= 390V
,
14
12
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V
8
6
4
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
2
0
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
40
R
G
= 10Ω L = 500μH ，V
CE
= 390V
,
35
t
rI
，上升时间（ NS ）
30
25
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V, V
GE
= 10V
20
15
10
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
=15V
5
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
90
t
D（关
）关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
80
70
60
50
40
30
20
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
120
R
G
= 10Ω L = 500μH ，V
CE
= 390V
,
t
fI
，下降时间（ NS ）
100
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V或15V
80
60
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V或15V
40
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
2003仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2牧师A1
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
典型性能曲线
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
175
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
V
GE
，门到发射极电压（ V）
150
125
T
J
= 25 C
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
o
16
14
12
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
J
= 25
o
C
V
CE
= 600V
10
8
6
V
CE
= 400V
4
V
CE
= 200V
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
图14.栅极电荷
1.2
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
1.0
I
CE
= 24A
10
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
0.8
0.6
1
I
CE
= 24A
0.4
I
CE
= 12A
I
CE
= 12A
0.2
I
CE
= 6A
I
CE
= 6A
0.1
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
1.0
10
100
1000
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
图15.总开关损耗VS案例
温度
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.4
频率= 1MHz的
1.2
C，电容（ NF）
1.0
0.8
C
IES
0.6
0.4
0.2
C
水库
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
图16.总开关损耗VS门
阻力
3.5
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
3.0
2.5
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
2.0
I
CE
= 6A
C
OES
1.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图17.电容VS集电极到发射极
电压
图18.集电极到发射极通态电压VS
门到发射极电压
2003仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2牧师A1
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2001年7月
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGB30N6S2
600V ，开关电源II系列N沟道IGBT
概述
该FGH30N6S2 ， FGP30N6S2和FGB30N6S2低
栅极电荷，低电压高原II SMPS IGBT的combin-
荷兰国际集团的开关电源的IGBT一起的开关速度快
低栅极电荷和平台电压和雪崩capa-
相容性（ UIS） 。这些LGC设备缩短延迟时间，并
降低栅极驱动器的功率要求。这些描述
恶习非常适合高电压开关模式pow-
呃电源应用中的低传导损耗，快
开关时间和UIS能力是必不可少的。 SMPS II
LGC设备已被专门设计用于：
功率因数校正（ PFC ）电路
全桥拓扑结构
半桥拓扑
推挽电路
不间断电源
零电压和零电流开关电路
特点
在390V ， 14A 100kHz的操作
在390V ， 9A 200kHz的操作
600V开关SOA能力
典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。在TJ为90ns = 125
o
C
低栅极电荷。 。 。 。 。 。 。 。 。 23nC在V
GE
= 15V
低高原电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .6.5V典型
UIS评级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150mJ
低传导损耗
以前发育类型TA49367 。
包
JEDEC风格-247
符号
E
JEDEC风格- 220AB
JEDEC风格- 263AB
C
C
G
E
C
G
G
E
C
G
E
器件的最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CES
I
C25
I
C110
I
CM
V
GES
V
创业板
SSOA
E
AS
P
D
T
J
T
英镑
参数
集电极到发射极击穿电压
连续集电极电流，T
C
= 25°C
连续集电极电流，T
C
= 110°C
集电极电流脉冲（注1 ）
门到发射极电压连续
门到发射极电压脉冲
开关安全工作区在T
J
= 150℃，如图2
脉冲雪崩能量，我
CE
= 20A ， L = 1.3mH ，V
DD
= 50V
功率耗散总T
C
= 25°C
功耗降额牛逼
C
> 25℃
工作结温范围
存储结温范围
评级
600
45
20
108
±20
±30
60A电压为600V
150
167
1.33
-55到150
-55到150
mJ
W
W / ℃，
°C
°C
单位
V
A
A
A
V
V
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件的操作不暗示。
注意：
1.脉冲宽度有限的最高结温。
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FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGB30N6S2版本A
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
包装标志和订购信息
器件标识
30N6S2
30N6S2
30N6S2
设备
FGH30N6S2
FGP30N6S2
FGB30N6S2
包
TO-247
TO-220AB
TO-263AB
胶带宽度
-
-
24mm
QUANTITY
-
-
800
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
关态特征
BV
CES
BV
ECS
I
CES
I
GES
集电极到发射极击穿电压
发射极到集电极击穿电压
集电极到发射极漏电流
门到发射极漏电流
I
C
= 250μA ，V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
GE
= 0
V
CE
= 600V
V
GE
= ± 20V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
600
10
-
-
-
-
25
-
-
-
-
-
100
2
±250
V
V
A
mA
nA
对国家特性
V
CE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压
I
C
= 12A,
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
-
-
2.0
1.7
2.5
2.0
V
V
动态特性
Q
G（ ON）的
V
GE （日）
V
GEP
栅极电荷
门到发射极阈值电压
门到发射极电压高原
I
C
= 12A,
V
CE
= 300V
V
GE
= 15V
V
GE
= 20V
-
-
3.5
-
23
26
4.3
6.5
29
33
5.0
8.0
nC
nC
V
V
I
C
= 250μA ，V
CE
= 600V
I
C
= 12A ，V
CE
= 300V
开关特性
SSOA
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
t
D（ ON ）I
t
rI
t
D（ OFF ）I
t
fI
E
ON1
E
ON2
E
关闭
开关SOA
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
电流导通延迟时间
电流上升时间
电流关断延迟时间
电流下降时间
开启能量（注2 ）
开启能量（注2 ）
关断能量（注3 ）
IGBT和二极管在T
J
= 125°C
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 10
L = 200μH
测试电路 - 图20
T
J
= 150℃ ，R
G
= 10, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
IGBT和二极管在T
J
= 25°C,
I
CE
= 12A,
V
CE
= 390V,
V
GE
= 15V,
R
G
= 10
L = 200μH
测试电路 - 图20
60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
10
40
53
55
110
100
11
17
73
90
55
160
250
-
-
-
-
-
-
-
150
-
-
100
100
-
200
350
A
ns
ns
ns
ns
J
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
J
热特性
R
θJC
注意：
2.
值
热阻结案件
-
-
0.75
° C / W
两个导通损耗条件示为电路设计者的便利性。 ê
ON1
是导通损耗
IGBT的唯一。 ê
ON2
是当一个典型的二极管被用在测试电路中的导通损耗和二极管是在同一
J
作为IGBT 。二极管类型被指定在图20中。
3.
打开-O FF
能量损失（E
关闭
）被定义为瞬时功率损耗的开始处的后缘的积分
输入脉冲和结束的点处的集电极电流等于零（我
CE
= 0A ） 。所有器件每个测试
JEDEC标准号24-1方法的功率器件关断开关损耗测量。这种测试方法生产
ES真正的总导通关的能量损失。
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典型性能曲线
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
50
I
CE
， DC集电极电流（ A）
70
T
J
= 150
o
C，R
G
= 10, V
GE
= 15V ，L = 100MH
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
40
30
20
10
0
25
50
75
100
o
125
150
T
C
，外壳温度（ C）
图1. DC集电极电流与案例
温度
1000
f
最大
，工作频率（千赫）
T
C
75
o
C
图2.最小开关安全工作区
t
SC
，短路耐受时间（μs ）
V
CE
= 390V ，R
G
= 10, T
J
= 125
o
C
10
300
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
8
t
SC
6
I
SC
250
100
f
MAX1
= 0.05 / (t
D（ OFF ）I
+ t
D（ ON ）I
)
f
MAX2
= (P
D
- P
C
) / (E
ON2
+ E
关闭
)
P
C
=传导耗散
（占空比= 50％）
R
θJC
= 0.49
o
C / W ，见注解
T
J
= 125
o
C，R
G
= 3Ω ， L = 200mH ，V
CE
= 390V
200
4
150
2
9
10
11
12
13
14
15
10
1
10
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
20
30
100
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
图3.工作频率与集电极
发射极电流
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
18
16
14
12
10
8
6
T
J
= 150
o
C
4
2
0
0.50
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
= 10V
脉冲持续时间= 250毫秒
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图4.短路耐受时间
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
.5
.75
1
1.25
1.50
T
J
= 25
o
C
1.75
2.0
2.25
T
J
= 150
o
C
占空比< 0.5 ％ ，V
GE
=15V
脉冲持续时间= 250毫秒
T
J
= 125
o
C
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
2.25
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图5.集电极到发射极导通电压
图6.集电极到发射极导通电压
2001仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2版本A
I
SC
峰值短路电流（ A）
12
350
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
典型性能曲线
（续）
400
E
ON2
，开启能量损失（兆焦耳）
R
G
= 10Ω ， L = 500mH ，V
CE
= 390V
350
300
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
250
200
150
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
50
0
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
E
关闭
TURN -OFF能量损失（ μJ ）
600
R
G
= 10Ω ， L = 500mH ，V
CE
= 390V
500
400
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
300
200
100
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
= 15V
0
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图7.开启能量损失VS收藏家
发射极电流
16
t
D（ ON ）I
，导通延迟时间（纳秒）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
14
12
10
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V
8
6
4
T
J
= 25
o
C，T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V
2
0
图8. TURN -OFF能量损失VS收藏家
发射极电流
40
R
G
= 10Ω ， L = 500mH ，V
CE
= 390V
35
t
rI
，上升时间（ NS ）
30
25
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 15V, V
GE
= 10V
20
15
10
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V, V
GE
=15V
5
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图9.导通延迟时间与收藏家
发射极电流
90
t
D（关
）关断延迟时间（纳秒）
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
80
70
60
50
40
30
20
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图10.导通上升时间与收藏家
发射极电流
120
R
G
= 10Ω ， L = 500μH ，V
CE
= 390V
t
fI
，下降时间（ NS ）
100
T
J
= 125
o
C，V
GE
= 10V或15V
80
60
T
J
= 25
o
C，V
GE
= 10V或15V
40
0
5
10
15
20
25
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
图11.关断延迟时间与收藏家
发射极电流
图12. FALL时间与集电极到发射极
当前
2001仙童半导体公司
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2版本A
FGH30N6S2 / FGP30N6S2 / FGS30N6S2
典型性能曲线
（续）
I
CE
，集电极到发射极电流（ A）
175
V
GE
，门到发射极电压（ V）
16
占空比< 0.5 ％ ，V
CE
= 10V
脉冲宽度= 250μs的
I
G（ REF ）
= 1毫安，R
L
= 25, T
J
= 25
o
C
150
125
14
12
V
CE
= 600V
T
J
= 25 C
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
T
J
= 125
o
C
T
J
= -55
o
C
o
10
8
6
V
CE
= 400V
4
V
CE
= 200V
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Q
G
，栅极电荷（ NC）
图13.传输特性
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
E
总
，总交换能量损失（兆焦耳）
图14.栅极电荷
1.2
R
G
= 10Ω ， L = 500mH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
10
T
J
= 125
o
C，L = 500μH ，V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
E
总
= E
ON2
+ E
关闭
1.0
I
CE
= 24A
0.8
0.6
1
I
CE
= 24A
0.4
I
CE
= 12A
I
CE
= 12A
0.2
I
CE
= 6A
I
CE
= 6A
0.1
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（
o
C)
1.0
10
100
1000
R
G
，栅极电阻（ Ω ）
图15.总开关损耗VS案例
温度
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
1.4
频率= 1MHz的
1.2
C，电容（ NF）
1.0
0.8
C
IES
0.6
0.4
0.2
C
水库
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
图16.总开关损耗VS门
阻力
3.5
占空比< 0.5 ％
脉冲宽度= 250μs的，T
J
= 25
o
C
3.0
2.5
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
2.0
I
CE
= 6A
C
OES
1.5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
，门到发射极电压（ V）
V
CE
，集电极到发射极电压（ V）
图17.电容VS集电极到发射极
电压
图18.集电极到发射极通态电压VS
门到发射极电压
2001仙童半导体公司
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