【FGH30N60LSD2007年8月FGH30N60LSD特点低饱和电压： VCE （ SAT ）=】,IC型号FGH30N60LSD,FGH30N60LSD PDF资料,FGH30N60LSD经销商,ic,电子元器件-51电子网

FGH30N60LSD

2007年8月

FGH30N60LSD

特点

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= 1.1V @我

C

= 30A

高输入阻抗

低传导损耗

tm

概述

该FGH30N60LSD是MOS门控高压开关

设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能

transistors.This装置具有一个高输入阻抗

MOSFET和双极性的低导通状态的导通损耗

晶体管。

应用

太阳能逆变器

UPS ，电焊机

E

C

G

C

G

集热器

（法兰）

E

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CM （1）

I

FSM

P

D

T

J

T

英镑

T

L

注意事项：

（ 1 ）重复评价：脉冲宽度有限的最大值。结温

描述

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

集电极电流

集电极电流脉冲

非重复性峰值浪涌电流

60Hz单半正弦波

最大功率耗散

工作结温

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“从案例5秒

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

@ T

C

= 25°C

@ T

C

= 100°C

FGH30N60LSD

600

±

20

60

30

90

150

480

192

-55到+150

300

单位

V

A

W

°C

热特性

符号

R

θJC

（IGBT）

R

θJC

（二极管）

R

θJA

参数

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

典型值。

--

马克斯。

0.26

0.92

40

单位

° C / W

2006仙童半导体公司

1

www.fairchildsemi.com

FGH30N60LSD牧师A1

FGH30N60LSD

包装标志和订购信息

器件标识

FGH30N60LSD

设备

FGH30N60LSDTU

包

TO-247

包装

TYPE

管

最大数量

每管数量

30ea

每盒

-

IGBT的电气特性

符号

开关特性

BV

CES

B

VCES

/

T

J

I

CES

I

GES

集电极 - 发射极击穿电压

分解温度系数

电压

集电极截止电流

G- ê漏电流

T

C

= 25 ° C除非另有说明

参数

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

GE

= 0V时，我

C

= 250uA

V

GE

= 0V时，我

C

= 250uA

V

CE

= V

CES

, V

GE

= 0V

V

GE

= V

GES

, V

CE

= 0V

600

--

0.6

--

250

±250

V

V /°C的

uA

nA

基本特征

V

GE （日）

V

CE （ SAT ）

G- ê阈值电压

集电极到发射极

饱和电压

I

C

= 250uA ，V

CE

= V

GE

I

C

= 30A

,

V

GE

= 15V

I

C

= 30A

,

V

GE

= 15V,

T

C

= 125°C

I

C

= 60 A

,

V

GE

= 15V

动态特性

C

IES

C

OES

C

水库

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

CE

= 30V

,

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

--

3550

245

90

--

pF

4.0

--

5.5

1.1

1.0

1.3

7.0

1.4

--

V

开关特性

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

Q

g

Q

ge

Q

gc

L

e

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总栅极电荷

栅极 - 射极电荷

栅极电荷收集

内置发射器电感

V

CE

= 600 V，I

C

= 30A,

V

GE

= 15V

测量5毫米从PKG

V

CC

= 400 V，I

C

= 30A,

R

G

=6.8, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 125°C

V

CC

= 400 V，I

C

= 30A,

R

G

= 6.8, V

GE

= 15V,

感性负载，T

C

= 25°C

--

18

46

250

1.3

1.1

21

17

45

270

2.6

1.1

36

225

30

105

7

--

2.0

--

ns

us

mJ

ns

us

mJ

nC

nH

2

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FGH30N60LSD

二极管的电气特性

参数

V

FM

I

RM

t

rr

t

a

t

b

Q

rr

I

F

= 15A

I

F

= 15A

V

R

= 600V

I

F

= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，V

CC

= 30V

I

F

= 15A ，的di / dt = 100A / μs的，V

CC

= 390V

I

F

= 15A ，的di / dt = 100A / μs的，V

CC

= 390V

T

C

= 25 ° C除非另有说明

条件

T

C

= 25

°C

T

C

= 125

°C

T

C

= 25

°C

T

C

= 25

°C

T

C

= 25

°C

T

C

= 25

°C

T

C

= 25

°C

T

C

= 25

°C

分钟。

-

典型值。

1.8

1.6

-

18

13

27.5

最大

2.2

-

100

35

40

-

单位

V

A

ns

nC

3

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FGH30N60LSD

典型性能特性

图1.Typical输出特性

90

T

C

= 25 C

o

图2.典型的饱和电压

特征

90

T

C

= 125 C

o

V

GE

= 20V

V

GE

= 20V

15V

12V

10V

8V

集电极电流，I

C

[A]

60

集电极电流，I

C

[A]

15V

12V

10V

8V

60

30

0

1

2

3

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

4

0

1

2

3

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

4

图3.典型的饱和电压

特色为

90

共发射极

V

GE

= 15V

图4.传输特性

90

共发射极

V

CE

= 20V

o

集电极电流，I

C

[A]

60

T

C

= 125 C

o

集电极电流，I

C

[A]

T

C

= 25 C

o

T

C

= 25 C

T

C

= 125 C

60

30

0

1

2

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

3

0

2

4

6

8

10

栅极 - 发射极电压，V

GE

[V]

12

图5.饱和电压与案例

温度变电流等级

1.4

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

共发射极

V

GE

= 15V

60A

图6.饱和电压与VGE

20

共发射极

集电极 - 发射极电压

,

V

CE

[V]

16

T = 25℃

C

o

1.2

12

1.0

30A

8

I

C

= 15A

0.8

4

30A

I

C

= 15A

60A

0.6

25

0

50

75

100

125

o

集电极 - EmitterCase温度，T

C

[

C

]

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

[V]

20

4

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FGH30N60LSD

典型性能特性

图7.饱和电压与VGE

20

集电极 - 发射极电压，V

CE

[

V

]

共发射极

T

C

= 125 C

o

（续）

图8.电容特性

13000

10000

C

IES

16

电容[ pF的]

12

C

OES

共发射极

V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

T

C

= 25 C

o

1000

C

水库

8

30A 60A

4

I

C

= 15A

100

50

0

4

8

12

16

栅极 - 发射极电压V

GE

[V]

20

0

5

10

15

20

25

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

30

图9.栅极电荷特性

15

共发射极

I

C

= 30A

图10. SOA Characteeristics

300

I

c

最大值（脉冲的）

栅极 - 发射极电压V

GE

[V]

集电极电流，I

c

[A]

o

12

T

C

= 25 C

100

V

cc

= 100V

300V

200V

50

s

I

c

MAX（连续）

100

s

9

10

1ms

6

1

单非重复性

o

3

脉冲吨

C

= 25 C

曲线必须降低

线性增长

温度

直流操作

0

50

100

150

200

栅极电荷，Q

g

[ NC ]

250

0.1

1

10

100

1000

集电极 - 发射极电压，V

CE

[V]

图11.负载电流比。频率

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0.1

占空比： 50 ％

o

T

c

= 100

C

鲍威消耗= 192W

V

cc

= 400V

负载电流：方波的峰值

图12.导通特性上与

栅极电阻

200

100

开关时间[ NS ]

负载电流[ A]

t

r

t

D（上）

共发射极

V

CC

= 400V, V

GE

= 15V

I

C

= 30A

T

C

= 25 C

T

C

= 125 C

o

1

10

100

频率[千赫]

1000

10

0

10

20

30

40

50

栅极电阻，R

G

[

]

5

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